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[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备-CN201711034355.2有效
发明人：何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法电力电子设备

[发明专利]半导体器件的集电极结构及TI-IGBT-CN201410133404.8有效
发明人：张文亮;朱阳军;滕渊 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI‑IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极的表面相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区的表面相接触，且与集电区和短路区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子电流的传导路径为集电极上方→绝缘体上方→短路区上方，因此电子传导路径的电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力
半导体器件集电极结构 ti igbt

[发明专利]半导体器件的集电极结构及TI-IGBT-CN201410133920.0在审
发明人：张文亮;朱阳军;喻巧群 -专利权人：中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2014-04-03 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI-IGBT，其中集电极结构包括：相互隔离的集电区与短路区；集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区相接触，且绝缘体与集电区和短路区均相接触；与漂移区的掺杂类型相反的浮空区，浮空区的结深大于短路区的结深，浮空区覆盖短路区靠近集电区一端的表面，不覆盖短路区远离所述集电区一端的表面由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子通道电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。
半导体器件集电极结构 ti igbt

[发明专利]集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管及制造方法-CN202310336791.4在审
发明人：王曦;熊娟;蒲红斌;杨莺;纪轩;陈嘉翔 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管，包括n型4H‑SiC衬底，n型4H‑SiC衬底的表面向上制作有n+发射区，n+发射区表面中间位置向上制作有p型基区，p型基区表面向上依次为n‑集电区和n+集电区，n+集电区表面向上制作有集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜，集电极欧姆接触金属和透明导电薄膜间隔排布于n+集电区表面，且n+集电区表面两侧为集电极欧姆接触金属，集电极欧姆接触金属、n+集电区、n‑集电区和p型基区形成一个整体等，本发明还公开了一种集成测温单元的SiC顶集电区紫外光电晶体管的制备方法，本发明解决了现有技术中存在的
集成测温单元 sic 顶集电区紫外光电晶体管制造方法

[发明专利]逆导型IGBT器件及其制备方法-CN202310892475.5在审
发明人：陈开宇 -专利权人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括缓冲层、漂移区、体区、源区、栅极结构、第二导电类型集电区、第一导电类型集电区、发射电极、栅极引出端及集电极，其中，相邻的第一导电类型集电区和第二导电类型集电区之间构成台阶，第二导电类型集电区的底面不低于第一导电类型集电区的顶面。本发明通过于第一导电类型集电区与第二导电类型集电区之间形成为台阶，提高缓冲层的扩展电阻，使得第二导电类型集电区和第一导电类型集电区之间的电压降增大，从而使器件尽快进入双极导通模式，降低了器件的电压折回效应
逆导型 igbt 器件及其制备方法

[发明专利]锗硅HBT的集电区引出结构及其制造方法-CN201210163783.6有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本申请公开了一种锗硅HBT的集电区引出结构，包括集电区电极；还包括填充结构，其顶面接触集电区电极的底面。所述填充结构对称分布于集电区两侧的隔离区及其下方的衬底中。掺杂多晶硅的深度＞集电区的深度＞隔离区的深度。两个掺杂多晶硅的侧面接触集电区。本申请还公开了其制造方法。本申请可以降低集电区引出结构与衬底之间的寄生电容。
锗硅 hbt 集电区引出结构及其制造方法

[发明专利]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件-CN202111042571.8在审
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。
一种开启电压 rb igbt 器件

[实用新型]一种低开启电压的超结RB-IGBT器件-CN202122146800.2有效
发明人：吴玉舟;李菲;李欣;刘铁川;禹久赢 -专利权人：上海超致半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。
一种开启电压 rb igbt 器件

[发明专利]共振隧穿二极管近红外探测器-CN201510547194.1有效
发明人：裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种共振隧穿二极管近红外探测器，包括一衬底；一集电区接触层，其制作在衬底上，集电区接触层一侧的上面形成一台面；一集电区，其制作在集电区接触层上台面的一侧，该集电区为圆形；一吸收层，其制作在集电区上；一空穴堆积层，其制作在吸收层上，其直径小于吸收层的直径；一双势垒结构，其制作在空穴堆积层上；一隔离层，其制作在双势垒结构上；一发射区，其制作在隔离层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在集电区接触层一侧的台面上
共振二极管红外探测器

[发明专利]横向RC-IGBT器件及其制造方法-CN201810960333.7有效
发明人：杨珏琳 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向RC‑IGBT器件及其制造方法，其集电极结构包括第二导电类型集电极短路区、第二导电类型电场阻止层以及第一导电类型集电区；连接金属与第二导电类型集电极短路区欧姆接触；所述集电极金属与第一导电类型集电区欧姆接触，多晶电阻区通过电阻区氧化层与第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区间隔，电阻区氧化层支撑在第二导电类型集电极短路区、第一导电类型集电区上；多晶电阻区位于连接金属与集电极金属之间，且多晶电阻与连接金属、集电极金属接触，连接金属通过绝缘介质层与发射极结构、栅极结构绝缘隔离。
横向 rc igbt 器件及其制造方法

[发明专利]一种逆导型IGBT器件及其形成方法-CN201210500942.7有效
发明人：张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌;卢烁今 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种逆导型IGBT器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底下表面内的集电极，所述集电极包括并列设置的集电区和短路区；形成于所述集电极表面的铝金属层，所述铝金属层至少覆盖所述集电区；形成于所述铝金属层表面的钛金属层，所述钛金属层完全覆盖所述集电区和短路区，从而使得所述集电区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，且所述短路区与其表面的金属层之间形成良好的欧姆接触，进而降低所述集电极与其表面金属层的接触电阻
一种逆导型 igbt 器件及其形成方法

[实用新型]一种InAlAs雪崩光电探测器结构-CN202122496454.0有效
发明人：杨志茂;王斌 -专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种InAlAs雪崩光电探测器结构，其包括自下而上依次设置的背电极、p型InP衬底、p型InP缓冲层、吸收层、带宽渐变层、p型电荷控制层、倍增层和腐蚀截止层；腐蚀截止层的上层设置有n型InP中央集电区、n型InP电场保护环、以及InP阻隔层，在n型InP中央集电区、n型InP电场保护环以及InP阻隔层上表面镀有带金属接触窗口的光学减反膜，所述金属接触窗口为环形，位于n型InP中央集电区的上表面；在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极，上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与所述n型InP中央集电区接触；上电极上的光学入射窗口位于n型InP中央集电区上表面的光学减反膜的上方。
一种 inalas 雪崩光电探测器结构

[发明专利]一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管-CN201910781958.1有效
发明人：金冬月;吴玲;张万荣;那伟聪;孙晟;杨绍萌 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。
一种掺杂浓度可调横向 sige 异质结双极晶体管

[发明专利]IGBT背面结构及制备方法-CN201310064612.2有效
发明人：吴凯;朱阳军;卢烁今;陈宏 -专利权人：江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT背面结构，包括间隔分布的P+集电区、背面金属电极、SiO2保护层；所述SiO2保护层设置于N型基区的背面，SiO2保护层上间隔设置接触孔，所述间隔分布的P+集电区对应接触孔处被刻蚀形成凹陷坑，并且间隔分布的P+集电区的剩余厚度小于电子在其中的扩散长度；背面金属电极的金属完全填充间隔分布的P+集电区的凹陷坑，与间隔分布的P+集电区紧密接触。
igbt 背面结构制备方法

[发明专利]基于锗硅集电区的IGBT结构-CN201610083760.2在审
发明人：冯松;薛斌;李连碧;雷倩倩;宋立勋;翟学军;朱长军 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2016-02-14 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开的基于锗硅集电区的IGBT结构，包括有P+锗硅集电区，P+锗硅集电区的下部设有第一电极，P+锗硅集电区的上部设有复合区，复合区的上部靠近边缘处对称的设置有两个SiO₂栅氧层，两个SiO₂栅氧层之间的复合区上部设有第三电极，每个SiO₂栅氧层的上部依次设有多晶硅栅及第二电极；复合区包括紧贴P+锗硅集电区设置的N-漂移区，N-漂移区的上部内嵌有本发明的IGBT结构具有集电极电流大及关断时间短的优点，改善了IGBT的电流传输能力，以及关断特性，提升了IGBT芯片面积的使用率，减小了IGBT的关断损耗，便于IGBT向尺寸小、功耗低的方向发展。
基于锗硅集电区 igbt 结构

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