[发明专利]一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法有效
申请号: | 201710473915.8 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN107342319B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 周春宇;王冠宇;宋昱彤 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | H01L29/737 | 分类号: | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/331 |
代理公司: | 13116 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 续京沙 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法,所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底;在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构;在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置;在有源区依次外延Si集电区、Si | ||
搜索关键词: | 一种 复合 应变 si sige 异质结 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管,其特征在于:所述晶体管选取晶向为(100)的单晶Si衬底;在所述单晶Si衬底的上部两端形成STI隔离区结构;在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置;在有源区依次外延N型Si集电区、P型Si
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