[发明专利]超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒在审

专利信息
申请号: 202011433010.6 申请日: 2020-12-14
公开(公告)号: CN112553684A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 夏秋良;刘坤 申请(专利权)人: 新美光(苏州)半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/22 分类号: C30B15/22;C30B29/06
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 荣颖佳
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法及单晶硅棒,涉及单晶硅加工技术领域,本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法,包括以下步骤:加热单晶硅原料的底部,待单晶硅原料的底部熔化时向上拉制熔化的单晶硅原料;随着单晶硅原料被拉升,减小对熔化的单晶硅原料的拉升速度。本发明提供的超大尺寸半导体单晶硅棒生长方法,可以在单晶硅棒的放肩部位形成弧形曲面,且可降低产生断线的几率。
搜索关键词: 超大 尺寸 半导体 单晶硅 生长 方法
【主权项】:
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