[发明专利]一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺在审

申请号：	201910498835.7	申请日：	2019-06-11
公开（公告）号：	CN110190004A	公开（公告）日：	2019-08-30
发明（设计）人：	王培洲;李广益;李鹏军;李睿	申请（专利权）人：	山东海声尼克微电子有限公司
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/492
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	276800 山东省日照市***	国省代码：	山东;37
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摘要：	本发明公开了一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺，所述一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺包括：（a）芯片贴膜、划片；（b）芯片粘片；（c）焊接；（d）塑封、固化；（e）激光打标；（f）去溢胶、引脚镀锡；（g）切筋、整形；（h）测试、包装、入库；所述（c）焊接工序中采用金属薄片将芯片上的电极跟管脚连接起来，焊接后芯片上与金属薄片上表面垂直高度≤0.5MM。本发明的有益效果是：提高生产效率，降低成本，减少一次性投入，通过回流焊固化，不会在芯片表面附加压力及超声功率，对芯片表面不造成损伤，具有空间优势和成本优势。
搜索关键词：	焊接工艺大电流电源模块键金属薄片芯片表面芯片固化焊接一次性投入超声功率成本优势焊接工序激光打标空间优势生产效率芯片贴膜回流焊脚连接上表面电极整形镀锡跟管划片切筋塑封溢胶引脚粘片损伤垂直入库测试
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【主权项】：

1.一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺，所述一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺包括：（a）芯片贴膜、划片；（b）芯片粘片；（c）焊接；（d）塑封、固化；（e）激光打标；（f）去溢胶、引脚镀锡；（g）切筋、整形；（h）测试、包装、入库；其特征在于，所述（c）焊接工序中采用金属薄片将芯片上的电极跟管脚连接起来，焊接后芯片上与金属薄片上表面垂直高度≤0.5MM。

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摘要：本实用新型公开了一种集成电路引线接合结构，包括放置箱，所述放置箱的底部开设有放置槽，所述放置箱的左侧栓接有微型马达，所述微型马达的输出轴延伸至放置槽的内部卡接有螺纹杆，所述螺纹杆的表面螺纹连接有螺母。本实用新型通过放置箱、放置槽、微型马达、螺纹杆、螺母、载物板、支撑杆、支撑套、连接块、镜框、放大镜、支撑架和电焊笔的设置，使集成电路引线接合结构具有方便对集成电路进行移动、且可以对集成电路进行放大接合的优点，方便工作人员对集成电路的位置进行细调节，并提升工作人员的工作效率，同时解决了现有的集成电路引线接合结构不方便对集成电路进行移动、且无法对集成电路进行放大接合的问题。

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摘要：本实用新型属于电子元件封装技术领域，尤其为一种用于半导体封装的保护式压板结构，包括压板主体，所述压板主体的一侧开设有空腔，所述压板主体的内底壁固定连接有第一固定条，所述第一固定条的一侧固定连接有第一滑轨，所述第一滑轨上表面的左右两端均固定连接有第一螺母，所述第一螺母的内部螺纹连接有螺纹杆；该用于半导体封装的保护式压板结构，在使用时，将引线放置到弧形板上，拨动滑块能够使弧形片滑动，方便工作人员使用，将第一螺母和第二螺母通过螺纹杆连接在一起，能够将第一滑轨和第二滑轨连接在一起，能够对引线进行固定，且通过更换长短不同的螺纹杆，能够对不同粗细大小的引线进行固定。

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申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/60
摘要：公开了一种用于晶圆键合对准补偿的方法。该方法包括：键合包括位于第一对晶圆上的多个键合对准标记对的第一对晶圆；基于对至少两个键合对准标记对的测量来第一次分析第一对晶圆之间的平移不对准和旋转不对准；基于第一次分析来控制晶圆位置调整模块以补偿在键合第二对晶圆期间的平移不对准和旋转不对准；基于对多个键合对准标记对的测量来第二次分析第一对晶圆之间的平均跳动不对准；以及基于第二次分析来控制晶圆变形调整模块以补偿在键合第三对晶圆期间的跳动不对准。

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摘要：本发明公开了一种微铜柱的制造方法，包括：步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构，在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘；步骤二、制作微阳极，微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配；步骤三、制作微阳极夹具盘，将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域，并将各微阳极连通；步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方，使微阳极与焊盘一一对应，将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极，芯片连接至电镀电源的负极；步骤五、采用局部电化学沉积方法，在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低，制备过程简单，降低了制作成本；并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱，生产效率较高。

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申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明提供一种焦平面阵列探测器倒装焊对接方法，包括：在焦平面探测器芯片和读出电路芯片两芯片中的一个上形成定位柱阵列，另一个上形成与定位柱阵列对应的定位孔阵列，两芯片上都设置有凸点阵列，定位柱阵列和定位孔阵列环绕对应的凸点阵列，定位柱阵列中定位柱的底面截面积和定位孔阵列中定位孔的表面截面积大于凸点阵列中凸点的底面截面积；利用倒装焊机使定位柱阵列与定位孔阵列对齐，将定位柱推到对应定位孔内，从而实现预对准；加热所述两芯片，使凸点阵列熔化，在凸点液态表面张力作用下，两芯片朝着对齐方向相对移动，实现了对位偏差的修正，并且凸点液态冷却后重回固态，将两芯片焊接为一体；移除定位柱阵列。本发明提高了对位准确度。

稳压二极管贴片装置-201920553302.X
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申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本实用新型提供一种稳压二极管贴片装置，包括机架，机架内中间设有传送平台，传送平台表面设有放置槽，放置槽设有不止一个，机架顶端左侧设有加料筒，加料筒底端设有开关门，加料筒内下端两侧设有隔料块，机架顶端中间设有下推气缸，下推气缸下端连接有安装板，安装板下侧表面设有十字型滑道，滑道横向两端滑动设有校正板，滑道纵向两端滑动设有焊接枪，机架顶端右侧设有检测摄像头，传送平台左上侧设有上料板，传送平台右下侧设有下料板。通过设置上料板将物料输送到放置槽内，放置槽通过传送平台传送，加料筒进行加料，再通过校正板进行校正，两侧的焊接枪进行焊接，焊接后检测摄像头进行检测，减少了人力劳动，提高了工作效率。

一种键合压板、键合方法及封装体-201810377248.8
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申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本申请提供的键合压板、键合工艺的方法及封装体，用以电气连接两个器件主体，其中第一元件表面无需进行键合工艺而被收纳在所述容置孔中，第二元件由于其表面需采用键合工艺方法与第一元件的引脚键合，而被安置在键合孔内；设置于键合压板的容置孔和键合孔之间的引脚抵压部可以平整完全地按压所述第一元件用以电气连接第二元件主体的引脚，防止该引脚由于键合工艺之前的其他工艺引发的翘曲而发生的焊接不良现象；而且收纳在容置孔中的第一元件主体，无需暴露在键合工艺过程中，可有效防止键合工艺中使用的工具对其造成的碰触损伤。

激光控制芯片焊接方法-201910583660.X
发明人：陈龙 -专利权人：南京孚翔电子科技有限公司
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摘要：本发明提供一种激光控制芯片焊接方法，涉及芯片封装技术领域，包括以下步骤：（1）提取一枚芯片，该芯片具有金属焊接端，该焊接端为扁平状；（2）将所述芯片至于焊接槽内，该焊接槽的深度0.25mm，焊接槽的侧壁上设有连接凸点；（3）将芯片的焊接端置于连接凸点上，使焊接端与连接凸点接触；（4）将焊接端与连接凸点焊接固定。本发明提供一种激光控制芯片焊接方法，由于芯片焊接在焊接槽内，使芯片固定稳固性好，不需要其它用于固定的结构，焊接端与连接凸点接触通过锡焊固定连接后，至于焊接槽内，不容易漏电。且便于封装。

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摘要：一种共晶焊接工艺及用于实现该工艺中冷却工艺的冷却箱。涉及芯片加工工艺领域。提出了一种稳定性好、逻辑清晰且加工效率高，使用后了有效避免出现“飞芯”问题，从而大幅降低废品率、提升产品品质的共晶焊接工艺。用于将芯片焊接在框架上，芯片和框架均在轨道单向行走，共晶焊接工艺包括预热工艺、升温工艺、回流工艺和冷却工艺，轨道分为预热段、升温段、回流段和冷却段，冷却工艺为使框架和芯片在冷却段上匀速行走，冷却段沿物料行走方向平均分为冷却段一、冷却段二、冷却段三和冷却段四，冷却段一、冷却段二、冷却段三下方通入温度依次递减的冷却气体，冷却段四处在室温环境中。本发明大幅降低废品率、提升产品品质。

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发明人：姚吉豪;姚玉 -专利权人：深圳市创智成功科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明涉及一种半导体制造工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采用真空等离子体轰击半导体表面，以去除半导体表面的各种污染物及氧化层；(2)对半导体表面进行化学镀锡处理，形成初步的锡镀层；(3)采用真空等离子体轰击半导体表面的锡镀层，以加热锡镀层使得镀层部分熔化至半熔融状态，从而使得锡镀层的分布更加均匀；(4)通过真空等离子体对半导体表面镀层喷涂锡或锡铝混合的浆料，经过等离子体加热后的浆料在镀层表面沉积形成第二保护层。经过本发明镀锡处理后的半导体器件，具有更高的优良率，有效抑制虚焊，提高了锡层的寿命和可靠性。

半导体安装品及其制造方法-201580033292.1
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申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/60
摘要：半导体安装品具有半导体封装件、布线基板、焊料接合部、以及树脂加强部。在布线基板的表面形成有布线，在布线基板安装半导体封装件。焊料接合部对半导体封装件和布线进行电连接。树脂加强部形成在焊料接合部的侧面，使得焊料接合部的一部分露出。焊料接合部具有：相比于布线基板更靠近半导体封装件地形成的第1焊料区域；以及相比于半导体封装件更靠近布线基板地形成的第2焊料区域。

半导体器件及其形成方法-201811208034.4
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申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法。提供第一衬底，第一衬底具有在其中的导电特征、导电特征上方的金属凸块以及金属凸块旁的钝化堆叠。于金属凸块和钝化堆叠上方形成第一绝缘层。执行第一图案化工艺和第二图案化工艺以在第一绝缘层中形成第一开口图案和第二开口图案。第二图案化工艺裸露出金属凸块。提供第二衬底，第二衬底具有在其上的第二绝缘层。在第二绝缘层和第一绝缘层面对彼此的情况下将第二衬底结合到第一衬底，以使得第二绝缘层填充第一绝缘层的第一开口图案和第二开口图案。移除第一绝缘层和部分钝化堆叠。

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摘要：本实用新型公开一种焊线用打火杆，包括定位杆、延长杆、以及打火头，定位杆与延长杆的一端通过锥形连杆连接，延长杆的另一端与打火头连接；延长杆的外部套设有绝缘套，绝缘套的一端端部套在锥形连杆外部；打火头由铱金材料制备。本实用新型所述的一种焊线用打火杆，通过在延长杆的外部增加绝缘套，可以在不影响打火杆安装、打火头放电的功能性前提下，有效避免了操作和检修人员无意触碰而产生的高压静电释放问题，从根源上确保了人身安全；此外，打火头采用铱金材料，铱金材料的耐久性比铂金更优异，在长期放电高温的条件，依然可以保持非常稳定的工作状态，从而降低了打火杆的更换频率，对提高生产效率有一定的保障。

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发明人：石井齐 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制引线的无用的变形的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：对于引线框架，一边按压第1内引线，一边从引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形，以第1凹部为基点剪切第1内引线的延伸方向上的端部与配线部的连接部，并且使配线部从端部分离，所述引线框架包括第1引线、第2引线、及将第2内引线与第1内引线的延伸方向上的端部之间连接的配线部；且第1内引线的延伸方向上的端部与配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有第1凹部。

一种基于快速局域电沉积的引线键合方法-201711377902.7
发明人：郑振;王春青;孔令超;刘威 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60
摘要：一种基于快速局域电沉积的引线键合方法，属于引线连接技术领域。所述方法如下：选择待键合的新型引线材料，并对其改性；通过微纳操作平台将引线材料放置于焊盘表面，保证引线与焊盘表面有良好的接触；选择局域电沉积精密移液滴加管口径及滴加管内阳极金属种类，确保电镀阴极端探针与焊盘良好接触；通过局域电沉积方法在焊盘表面形成完全包覆引线材料的金属镀层；完成所有焊盘表面电沉积引线键合后，对整体器件进行清洗。本发明相对于传统引线键合工艺，可以实现新型引线材料的可靠引线键合，整个键合过程无需加热连接，无热损伤和机械损伤，具有工艺流程简单，键合速度快，适用于各种焊盘材料，连接层金属种类选择范围大等优点。

半导体装置、芯片状半导体元件、配备有半导体装置的电子设备以及制造半导体装置的方法-201880011114.2
发明人：梅沢让;恒见大树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60
摘要：一种半导体装置，包括布线板以及倒装安装在布线板上的芯片状半导体元件，其中，在芯片状半导体元件的面对布线板的一侧的表面上提供多个焊料凸块和多个包括绝缘材料的突起，并且芯片状半导体元件被布置成在具有粘度随温度升高而降低的特性的底部填充材料被涂布到布线板的状态下通过底部填充材料面对布线板，然后经受回流处理以被倒装安装在布线板上。

放电检查装置、打线装置以及放电检查方法-201580019995.9
发明人：笹仓一正;吉野浩章;関根悠超 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明涉及一种放电检查装置、打线装置以及放电检查方法。放电检查装置(50)是检查对炬电极(48)与金属线(42)之间施加电压而进行放电的打线装置的放电的放电检查装置(50)，且包括：电流检测部(53)，检测流经金属线(42)的放电电流；计时部(56b)，计测自施加电压至检测出放电电流为止的放电检测时间；以及放电判定部(57a)，基于放电检测时间而判定放电是否异常。本发明可检测放电异常。

半导体装置用接合线-201680070327.3
发明人：小田大造;大壁巧;榛原照男;山田隆;小山田哲哉;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明的课题是提供实现球接合部的充分且稳定的接合强度，即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的以Ag为主成分的半导体装置用接合线。为了解决所述课题，本发明涉及的半导体装置用接合线，其特征在于，含有总计为0.031原子％～0.180原子％的Be、B、P、Ca、Y、La、Ce中的一种以上，还含有总计为0.05原子％～5.00原子％的In、Ga、Cd中的一种以上，余量包含Ag和不可避免的杂质。由此，能够成为能充分地形成球部接合界面的金属间化合物层来确保球接合部的接合强度，并且即使在低环时也不会发生颈损伤，倾斜特性良好，FAB形状良好的半导体装置用接合线。

晶圆级芯片封装结构及其制作方法-201810300763.6
发明人：刘瑛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/60
摘要：本发明揭示了一种晶圆级芯片封装结构及其制作方法，制作方法包括在晶圆上芯片的钝化层中形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽暴露出金属垫，第二凹槽围绕第一凹槽，并在此基础上形成凸点下金属层和凸点。借助于围绕在第一凹槽周围的第二凹槽，使得刻蚀时，降低了沿芯片表面对第一金属层的侵蚀，并且凸点在回流后能够进入第二凹槽，从而提高剪力，防止脱落，可以确保凸点的大小，获得高质量的凸点。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种用于大电流电源模块键合的焊接工艺在审

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