“榛原照男”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果42个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202280004128.8有效
发明人：小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良 -专利权人：日铁新材料股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种新型Cu接合线，其带来良好的FAB形状的同时，抑制高温环境下的电化腐蚀，从而实现良好的第二接合部的接合可靠性。特征如下：该半导体装置用接合线含有：由Cu或Cu合金构成的芯材、形成于该芯材的表面的Pd和Ni的合计浓度在90原子％以上的被覆层；在通过俄歇电子光谱法即AES以在被覆层中深度方向的测定点在50个以上的方式进行测定从而获得的该线深度方向的浓度分布图中，被覆层的厚度为10nm以上130nm以下，将被覆层的所有测定点相关的Pd的原子％的浓度CPd与Ni的原子％的浓度CNi之比CPd/CNi的平均值设为X时，该平均值X在0.2以上35.0以下，被覆层中与该平均值X的绝对偏差在0.3X以内的测定点的总数占被覆层的测定点总数50％以上。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202280004317.5在审
发明人：小田大造;江藤基稀;山田隆;榛原照男;大石良 -专利权人：日铁新材料股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种在带来良好的FAB形状的同时，能带来在严酷的高温环境下的良好的第二接合部的接合可靠性的新型Cu接合线。特征如下：该半导体装置用接合线含有由Cu或Cu合金构成的芯材、以及形成于该芯材的表面的Pd和Ni的合计浓度在90原子％以上的被覆层；在通过俄歇电子光谱法即AES以在被覆层中深度方向的测定点在50个以上的方式进行测定从而获得的该线深度方向的浓度分布图中，被覆层的厚度为10nm以上130nm以下，将被覆层的所有测定点相关的Pd的原子％的浓度CPd与Ni的原子％的浓度CNi之比CPd/CNi的平均值设为X时，该平均值X在0.2以上35.0以下，被覆层中与该平均值X的绝对偏差在0.3X以内的测定点的总数占被覆层的测定点总数50％以上；满足以下的条件(i)、(ii)中的至少一个：(i)线整体的In浓度为1质量ppm以上100质量ppm以下，(ii)线整体的Ag浓度为1质量ppm以上500质量ppm以下。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用Ag合金接合线以及半导体装置-CN202180026132.X在审
发明人：小田大造;大壁巧;江藤基稀;荒木典俊;大石良;榛原照男;宇野智裕;小山田哲哉 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种半导体装置用Ag合金接合线，其即使在使用S含量高的模塑树脂的情况下，也能够在高温环境下呈现良好的接合可靠性，并且能够抑制球接合时的芯片损伤。该Ag合金接合线的特征在于，含有：从由Pd及Pt构成的组中选择的一种以上的元素(以下，称为“第一元素”。)，以及从由P、Cr、Zr以及Mo构成的组中选择的一种以上的元素(以下，称为“第二元素”。)，在将第一元素的总计浓度设为x1[at.％]、将第二元素的总计浓度设为x2[at.ppm]时，满足0.05≦x1≦3.0，15≦x2≦700，剩余部分含有Ag。
半导体装置 ag 合金接合以及

[发明专利]Al接合线-CN202080098945.5在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，在使用了Al接合线的半导体装置动作的高温状态下，会充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线的特征在于，以质量％计，含有0.02～1％的Fe，还合计含有0.05～0.5％的Mn、Cr中的至少1种以上，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，Fe、Mn、Cr的固溶量的合计为0.01～1％。由于除了Fe外，还含有Mn、Cr，因而能够在固溶处理后的急冷处理中，促进Fe、Mn、Cr的固溶，因此能够发挥Fe、Mn、Cr的合计固溶量増大所导致的线的固溶强化效果、以及半导体装置的高温长时间使用中的防止再结晶进展的效果。
al 接合

[发明专利]Al接合线-CN202080098398.0在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，在使用Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线含有0.01～1％的Sc，还含有总计为0.01～0.1％的Y、La、Ce、Pr、Nd的至少一种以上。由此，引线的再结晶温度上升，即使在高温环境下持续使用半导体装置时，也能够抑制接合线的再结晶进行，还能够防止引线的强度降低，从而能够充分地确保高温长时间经历后的接合部的可靠性。
al 接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202010782102.9有效
发明人：小田大造;江藤基稀;斋藤和之;榛原照男;大石良;山田隆;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C22C5/04 文献下载
摘要：提供一种半导体装置用接合线，该接合线是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了在高温高湿环境中的球接合部的接合可靠性，适合于车载用装置。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材、和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，所述接合线包含Ge，相对于线整体，Ge的浓度为0.011质量％以上1.5质量％以下。由此，能够提高在高温高湿环境下的球接合部的接合寿命，改善接合可靠性。Pd被覆层的厚度优选为0.015～0.150μm。当接合线还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Ir、Pt中的1种以上时，能够提高在175℃以上的高温环境中的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成包含Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。
半导体装置接合

[发明专利]接合线-CN202080020165.9在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种金属被覆Al接合线，在采用了金属被覆Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该接合线的特征在于，具有由Al或Al合金构成的芯线、以及在该芯线的外周由Ag、Au或包含它们的合金构成的被覆层，在垂直于导线轴的方向上的芯材截面中，相对于导线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜111＞的取向比率为30～90％。优选地，导线的表面粗糙度以Rz表示为2μm以下。
接合

[发明专利]Al接合线-CN202080020170.X在审
发明人：山田隆;西林景仁;榛原照男;小田大造;江藤基稀;小山田哲哉;小林孝之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种Al接合线，其在使用Al接合线的半导体装置工作的高温状态下，充分地得到接合线的接合部的接合可靠性。该Al接合线的特征在于，由Al或Al合金构成，垂直于导线轴的方向的芯材截面中的平均晶粒直径为0.01～50μm，在对于垂直于导线轴的方向的芯材截面测量晶体取向的结果中，导线长度方向的晶体取向之中，相对于导线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜111＞的取向比率为30～90％。
al 接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202010092527.7有效
发明人：山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202110317355.3在审
发明人：山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;斋藤和之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用铜合金接合线-CN202110066725.0在审
发明人：小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：在半导体装置用的铜合金接合线中，实现高温高湿环境下的球部接合寿命的提高。一种半导体装置用铜合金接合线，其特征在于，总计含有0.03质量％以上3质量％以下的选自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的至少1种以上的元素(第1元素)，其余部分由Cu和不可避免杂质构成。通过含有预定量的第1元素，从而在线接合界面中抑制在高温高湿环境下容易腐蚀的金属间化合物的生成，提高球部接合寿命。
半导体装置铜合金接合

[发明专利]半导体装置用铜合金接合线-CN202110066731.6在审
发明人：小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：在半导体装置用的铜合金接合线中，实现高温高湿环境下的球部接合寿命的提高。一种半导体装置用铜合金接合线，其特征在于，总计含有0.03质量％以上3质量％以下的选自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的至少1种以上的元素(第1元素)，其余部分由Cu和不可避免杂质构成。通过含有预定量的第1元素，从而在线接合界面中抑制在高温高湿环境下容易腐蚀的金属间化合物的生成，提高球部接合寿命。
半导体装置铜合金接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN201680027572.6有效
发明人：山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;斋藤和之;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素，由下述式(1)定义的耐力比为1.1～1.6。耐力比＝最大耐力/0.2％耐力(1)。
半导体装置接合

[发明专利]半导体装置用铜合金接合线-CN201780037612.X有效
发明人：小田大造;山田隆;江藤基稀;榛原照男;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在半导体装置用的铜合金接合线中，实现高温高湿环境下的球部接合寿命的提高。一种半导体装置用铜合金接合线，其特征在于，总计含有0.03质量％以上3质量％以下的选自Ni、Zn、Ga、Ge、Rh、In、Ir、Pt的至少1种以上的元素(第1元素)，其余部分由Cu和不可避免杂质构成。通过含有预定量的第1元素，从而在线接合界面中抑制在高温高湿环境下容易腐蚀的金属间化合物的生成，提高球部接合寿命。
半导体装置铜合金接合

[发明专利]半导体装置用接合线-CN202010954614.9在审
发明人：山田隆;小田大造;榛原照男;宇野智裕 -专利权人：日铁新材料股份有限公司;日铁化学材料株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：提供一种接合线，其是在表面具有Pd被覆层的Cu接合线，改善了高温高湿环境下的球接合部的接合可靠性，适合于车载用设备。一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，接合线含有合计为0.1～100质量ppm的As、Te、Sn、Sb、Bi、Se中的1种以上的元素。由此，能够提高高温高湿环境下的球接合部的接合寿命并改善接合可靠性。当Cu合金芯材还含有分别为0.011～1.2质量％的Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt、Ga、Ge中的1种以上时，能够提高在170℃以上的高温环境下的球接合部可靠性。另外，当在Pd被覆层的表面进一步形成含有Au和Pd的合金表皮层时，楔接合性改善。
半导体装置接合

1
2
3
下一页»
尾页
共 42 条