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[发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202310210917.3在审
发明人：余人睿;曹智强;郭炫廷;张楙曮;林修任;谢静华;裴浩然 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体封装，包括衬底、衬底上方的半导体器件以及接合在半导体器件和衬底之间的多个焊点结构，其中多个焊点结构中的每一个包括按重量百分比计的2％至23％的铟。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210761135.4在审
发明人：张楙曮;赖昱嘉;潘国龙;翁正轩;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种形成封装件的方法包括形成重建晶圆，该形成晶圆包括将多个器件管芯放置在载体上方，将多个器件管芯密封在密封剂中，以及在多个器件管芯和密封剂上方形成再分布结构。再分布结构包括多个介电层和位于多个介电层中的多个再分布线。该方法还包括对重建晶圆执行修整工艺。修整工艺形成用于重建晶圆的圆形边缘。对重建晶圆执行锯切工艺，使得重建晶圆包括笔直边缘。本发明的实施例还涉及封装件。
封装及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210854112.8在审
发明人：郑佳申;张家纶;裴浩然;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施另一激光射击。另一激光射击的另一激光光斑与位置的每个重叠。另一激光射击去除绝缘层的位于另一激光光斑下方的另一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置重复实施另一激光射击多次，直至去除绝缘层的期望部分。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
形成半导体器件方法

[发明专利]封装体及其形成方法-CN202211108574.1在审
发明人：陈威宇;谢静华;余振华;刘重希;林修任;裴浩然;黄贵伟;蔡钰芃;郑佳申;钟宇轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。
封装及其形成方法

[发明专利]封装体及其形成方法-CN201910023496.7有效
发明人：陈威宇;谢静华;余振华;刘重希;林修任;裴浩然;黄贵伟;蔡钰芃;郑佳申;钟宇轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。
封装及其形成方法

[发明专利]叠层封装结构的制造方法-CN201811286453.X有效
发明人：郭炫廷;谢静华;陈正庭;林修任;裴浩然;蔡钰芃;张家纶;曹智强;钟宇轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。
封装结构制造方法

[发明专利]形成半导体封装件的方法-CN202110409550.9在审
发明人：陈威宇;裴浩然;郭炫廷;曹智强;余人睿;钟宇轩;张家纶;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。
形成半导体封装方法

[发明专利]封装体结构、芯片封装体及其形成方法-CN201711130777.X有效
发明人：裴浩然;曹智强;陈威宇;林修任;郑明达;谢静华;刘重希 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：根据一些实施例，提供芯片封装体的形成方法。上述方法包含形成保护层，以围绕半导体管芯，其中保护层具有相对的第一表面及第二表面。上述方法包含形成介电层于保护层的第一表面及半导体管芯上方。上述方法包含形成导电部件于介电层上方，使得导电部件电性连接至半导体管芯的导电元件。上述方法还包括将翘曲控制元件压印至保护层的第二表面及半导体管芯上，使得半导体管芯位于翘曲控制元件与介电层之间。
封装结构芯片及其形成方法

[发明专利]回焊方法及系统-CN202110176171.X在审
发明人：翁正轩;谢静华;林修任;裴浩然;郭炫廷;陈威宇;郑佳申;钟宇轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供一种对半导体工件进行回焊的系统，所述系统包括平台、第一真空模块及第二真空模块、以及能量源。平台包括基座及连接到基座的突出部，平台以可移动的方式沿着平台的高度方向以相对于半导体工件移动，突出部以可操作的方式固持及加热半导体工件，突出部包括第一部分及第二部分，第二部分被第一部分环绕且在空间上与第一部分隔开。第一真空模块及第二真空模块分别耦合到突出部的第一部分及第二部分，第一真空模块及第二真空模块可操作地以分别对第一部分及第二部分施加压力。能量源设置在平台之上，以对由平台的突出部固持的半导体工件进行加热。
方法系统

[发明专利]半导体器件和形成集成电路封装件的方法-CN201911205785.5有效
发明人：余人睿;裴浩然;陈威宇;张家纶;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：在实施例中，半导体器件包括：集成电路管芯；密封剂，至少部分地密封集成电路管芯；位于密封剂上的再分布结构，再分布结构电连接至集成电路管芯，再分布结构包括焊盘；无源器件，包括物理和电连接至焊盘的导电连接件；以及保护结构，设置在无源器件和再分布结构之间，保护结构围绕导电连接件，保护结构包括环氧树脂助焊剂，保护结构中设置有空隙。本发明的实施例还涉及形成集成电路封装件的方法。
半导体器件形成集成电路封装方法

[发明专利]掩蔽装置、结合半导体衬底及形成半导体器件的方法-CN202110800467.4在审
发明人：郑佳申;陈威宇;钟宇轩;林修任;谢静华;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种用于结合半导体衬底的方法包括：将管芯放置在衬底上，以及在管芯及衬底上执行加热工艺，以将相应的第一连接件与相应的第二连接件结合。管芯上的多个第一连接件中的相应的第一连接件接触衬底上的多个第二连接件中的相应的第二连接件。加热工艺包括：在激光产生器与衬底之间放置掩蔽装置，以及执行激光发射。一种掩蔽装置包括掩蔽层及透明层。掩蔽层的部分是不透明的。激光穿过掩蔽层中的第一间隙且穿过透明层，以加热与衬底相对的管芯的顶侧的第一部分。
掩蔽装置结合半导体衬底形成半导体器件方法

[发明专利]半导体封装件及其形成方法-CN201910831648.6有效
发明人：余振华;潘国龙;郭庭豪;蔡豪益;林修任;裴浩然;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]工件把持器、晶片卡盘以及制造半导体封装的方法-CN202110056762.3在审
发明人：翁正轩;曹智强;邱肇玮;裴浩然;陈威宇;林修任;谢静华;郑佳申 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种工件把持器包括卡盘本体及密封环。卡盘本体包括被配置成接纳工件的接纳表面及被配置成施加真空密封的至少一个真空端口。密封环环绕卡盘本体的侧表面。密封环的顶表面高于卡盘本体的接纳表面，且当在工件与卡盘本体之间施加真空密封时，工件抵靠密封环。
工件把持晶片卡盘以及制造半导体封装方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法和封装件-CN202110275797.6在审
发明人：裴浩然;林修任;陈威宇;钟宇轩;郑佳申;黄贵伟;谢静华;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种用于形成半导体器件的方法包括：将第一封装组件与第二封装组件对准，第一封装组件具有第一区域和第二区域，该第一区域包括第一导电连接件，该第二区域包括第二导电连接件；在第一封装组件的顶表面的第一部分上执行第一激光照射，第一激光照射使第一区域的第一导电连接件回流，第一封装组件的顶表面的第一部分与第一区域完全重叠；并且在执行第一激光照射之后，在第一封装组件的顶表面的第二部分上执行第二激光照射，第二激光照射回流第二区域的第二导电连接件，第二封装组件的顶表面的第二部分与第二个区域完全重叠。本发明的实施例还提供了另外的用于形成半导体器件的方法以及封装件。
用于形成半导体器件方法封装

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011117507.7在审
发明人：曹智强;邱肇玮;郭炫廷;张家纶;翁正轩;林修任;谢静华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

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