[发明专利]一种可控硅芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910679982.4 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110444596B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;李晓锋 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭愿洁 |
| 地址： | 317600 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种可控硅芯片及其制造方法，包括在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结，隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，所述第一沟槽为窄深槽，电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。通过干法刻蚀在可控硅芯片上应用，可快速与材料进行反应，刻蚀去除得到一窄深槽，形成窄深槽产生的应力小，窄深槽槽宽的横向距离少，减少台面的损失距离，窄深槽极大减少扩散深度，进而减少扩散形成隔离墙的时间，降低产品的失效应力，提高产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可控硅芯片，其特征在于，包括：阳极发射区、长基区、短基区和阴极发射区，在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结；隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，其中，所述第一沟槽为窄深槽；电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。
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- 2022-10-25 - 2023-02-03 - H01L29/74
- 本申请实施例提供一种晶闸管器件和晶闸管电路，涉及晶闸管技术领域。该晶闸管器件包括：主晶闸管、采样晶闸管和采样电阻。采样晶闸管的第一极与采样电阻的第一端电连接；采样电阻的第二端与主晶闸管的第一极电连接；主晶闸管的第二极与采样晶闸管的第二极相连；主晶闸管的门极与采样晶闸管的门极电连接。采样电阻用于供晶闸管器件的回路中的控制芯片读取其两端的电压值。本申请实现了结构简单且具有过载保护功能的晶闸管器件电路，不需要额外复杂的过流保护电路，封装形式多样，应用方式灵活，成本低。
- 一种便于快速精准安装的可控硅模块-202222760244.2
- 江文林;胡小刚;汪骏;黄芬芳;李秀兰;姚春香 - 黄山市昱奥电器科技有限公司
- 2022-10-20 - 2023-01-24 - H01L29/74
- 本实用新型涉及可控硅模块技术领域，且公开了一种便于快速精准安装的可控硅模块，包括可控硅模块，所述可控硅模块的两侧均开设有安装孔，所述可控硅模块的底部活动连接有辅助支套座。本实用新型所设置的两组第一夹持复位结构、两组第一复合夹持板两两对应配合，形成对称的第一夹持定位机构，所设置的两组第二夹持复位结构、两组第二复合夹持板两两配合，形成第二夹持定位机构，后续与辅助支套座、可控硅模块综合组装使用后，对可控硅模块具体安装进行快速精准定位，而所设置的两组T型螺纹杆以两个第一锁合让位槽为让位空间，以辅助支套座为锁合连接支撑，将针对于上述对称的第一夹持定位机构内部的两个第一复合夹持板进行锁合。
- 一种快速开通扩展放大门极结构的晶闸管-202221505913.5
- 张桥;颜家圣;刘晓;刘鹏;黄智 - 湖北台基半导体股份有限公司
- 2022-06-16 - 2023-01-20 - H01L29/74
- 本实用新型的名称是一种快速开通扩展放大门极结构的晶闸管。属于半导体器件技术领域。它主要是解决半导体器件放大门极指条太长存在开通延迟、开通均匀性差等缺点。它的主要特征是：晶闸管包括由P型中心门极、辅助晶闸管N+区、P型放大门极环和P型放大门极延长线指条构成的放大门极；P型中心门极和P型放大门极环内设置有中心门极P+区和P型放大门极环P+区；P型放大门极延长线指条内设置有放大门极N+枝条及将其包围的放大门极P+枝条；放大门极N+枝条与辅助晶闸管N+区直接相连，放大门极P+枝条与P型放大门极环P+区相连。本实用新型具有提高初始导通面积和使阴极区开通均匀的特点，广泛应用于电力半导体快速晶闸管、脉冲晶闸管等器件。
- 一种具有过压保护功能的双向可控硅及其制造方法-202110567148.3
- 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹 - 富芯微电子有限公司
- 2021-05-24 - 2023-01-06 - H01L29/74
- 本发明公开了一种具有过压保护功能的双向可控硅及其制造方法，通过在双向可控硅的P型掺杂基区一下部形成N型电压调制掺杂区一，在P型掺杂基区二上部形成N型电压调制掺杂区二，这样P型掺杂基区一、N型电压调制掺杂区一、N型半导体衬底、N型电压调制掺杂区二、P型掺杂基区二形成一个双向的TVS器件结构，本发明的具有过压保护功能的双向可控硅通过在双向可控硅内集成双向TVS器件，利用TVS器件快速响应、过压钳位的特点，保护双向可控硅免受瞬态过压损坏。
- 一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺-202110683843.6
- 李冬 - 彰武同创销售服务中心
- 2021-06-21 - 2023-01-06 - H01L29/74
- 一种反馈控制极结构的晶闸管及其制造工艺，包括N
- 一种反并联可控硅模块-202222361981.5
- 黄龙献 - 赛社半导体有限公司
- 2022-09-01 - 2022-12-13 - H01L29/74
- 本实用新型一种反并联可控硅模块，包括模块本体，还包括模块上盖，所述模块本体的内部安装有第一电极、第二电极、第三电极，所述第一电极以及第三电极上均连接有电极金属片，所述第二电极与第三电极之间电性连接。该反并联可控硅模块，通过选用控制极插口代替传统的反并联可控硅模块上的控制极，改变了传统反并联可控硅模块设置四个控制极需要四次进行插接的方式，将四个控制极全部一次成型在控制极插口内部，连接时更加方便，简化与控制器连接工序的同时，有效保证其牢固度。
- 晶闸管组件-202180024493.0
- 吉本晃一郎 - 力特保险丝公司
- 2021-03-22 - 2022-11-25 - H01L29/74
- 公开了一种功率控制开关组件。该组件可以包括晶闸管设备，其中晶闸管设备包括第一设备端子、第二设备端子和栅极端子。该组件可以包括负温度系数(NTC)设备，其在第一端上电耦合到晶闸管设备的栅极端子，并且在第二端上电耦合到晶闸管设备的第一设备端子，其中，NTC设备热耦合到晶闸管设备。
- 专利分类
