[发明专利]衬底处理装置，半导体器件的制造方法及记录介质有效
| 申请号： | 201810179758.4 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN108630574B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 高木康祐;山腰莉早;上野崇纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为当在多张衬底上形成膜时，提高形成在衬底上的膜的衬底间膜厚均匀性。衬底处理装置，其具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对处理室内的衬底供给包含主元素的原料；和第二喷嘴，对处理室内的衬底供给反应物，其中，第一喷嘴具有第一顶板孔和多个第一侧孔，第一顶板孔设置于顶板部且朝向垂直方向开口；第一侧孔设置于侧部且朝向水平方向开口，第一顶板孔的开口面积大于所述第一侧孔的开口面积。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具有：处理室，对衬底进行形成包含主元素的膜的处理；第一喷嘴，对所述处理室内的衬底供给包含所述主元素的原料；和第二喷嘴，对所述处理室内的衬底供给反应物，其中，所述第一喷嘴具有第一顶板孔和多个第一侧孔，所述第一顶板孔设置于顶板部且朝向垂直方向开口；所述第一侧孔设置于侧部且朝向水平方向开口，所述第一顶板孔的开口面积大于所述第一侧孔的开口面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
