[发明专利]半导体基板和半导体器件有效
| 申请号： | 201810163337.2 | 申请日： | 2018-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN109524455B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 加藤大望;吉田学史;田岛纯平;上杉谦次郎;彦坂年辉;汤元美树;布上真也;蔵口雅彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/36;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Al |
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| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，具备：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N，所述x1大于0且为1以下，并包含碳和氧；以及第2半导体层，包含Alx2Ga1‑x2N，所述x2大于0且小于1，并包含碳和氧，所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比为730以上。
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