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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911177913.X有效
发明人：加藤大望;梶原瑛祐;向井章;新留彩;大野浩志;蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x11)。所述第2氮化物区域包含Alx2Ga1‑x2N(0x2≤1，x1x2)。所述第1绝缘膜包括第1绝缘区域以及第2绝缘区域，包含硅和氮。所述第3氮化物区域包含Alx3Ga1‑x3N(0x3≤1，x1x3)。所述第2绝缘膜包含硅和氧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710766821.X有效
发明人：上杉谦次郎;新留彩;加藤大望;蔵口雅彦;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x11)的第1膜之上的包含Alx2Ga1－x2N(0x21，x1x2)的第2膜的一部分来形成槽，使第1膜的一部分在槽的底部露出。制造方法包括使露出的第1膜的一部分与包含NH3的气氛接触来进行热处理的工序。制造方法包括在热处理之后在第1膜的一部分之上形成绝缘膜的工序。制造方法包括在绝缘膜之上形成电极的工序。绝缘膜具有从第1膜的一部分朝向电极的第1方向上的中央的第1位置，第1位置的所述第1元素的浓度为1×1018cm‑3以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体基板和半导体器件-CN201810163337.2有效
发明人：加藤大望;吉田学史;田岛纯平;上杉谦次郎;彦坂年辉;汤元美树;布上真也;蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N(0x1≤1)，包含碳和氧；以及第2半导体层，包含Alx2Ga1‑x2N(0x2x1)，包含碳和氧。所述第2半导体层中的碳浓度相对所述第2半导体层中的氧浓度的第2比是730以上。
半导体半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202010950518.7在审
发明人：井口智明;雁木比吕;小林勇介;蔵口雅彦;高尾和人;饭岛良介;清水达雄;西脇达也 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610772518.6有效
发明人：斋藤尚史;蔵口雅彦;清水达雄;中野慎太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供阈值变动得到抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；源极电极，设置在第1氮化物半导体层上；漏极电极，设置在第1氮化物半导体层上；栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间；第1膜，设置在第1氮化物半导体层上的源极电极与栅极电极之间以及栅极电极与漏极电极之间，该第1膜的氢扩散系数比硅氧化膜的氢扩散系数低；以及第2膜，设置在第1膜上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810160353.6在审
发明人：田岛纯平;彦坂年辉;上杉谦次郎;木村重哉;蔵口雅彦;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法，能够得到高阈值。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3层以及绝缘层。第1层包括远离第1电极的第1面、远离第2电极的第2面以及远离第3电极并且倾斜的第3面。第2层包括设置于第1电极与第1面之间的第1部分区域、设置于第2电极与第2面之间的第2部分区域以及设置于第3电极与第3面之间的第3部分区域。第3层包括设置于第1电极与第1部分区域之间的第4部分区域、设置于第2电极与第2部分区域之间的第5部分区域以及设置于第3电极与第3部分区域之间的第6部分区域。与第4、第5部分区域、第1、第2电极分别电连接。绝缘层设置于第3电极与第6部分区域之间。
电极半导体装置绝缘层电连接制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510108951.5有效
发明人： 蔵口雅彦;斋藤尚史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体层；第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上，带隙比第1GaN类半导体层大；源极电极，设在第2GaN类半导体层上；漏极电极，设在第2GaN类半导体层上；栅极电极，在与第1GaN类半导体层之间夹着栅极绝缘膜而设在源极电极与漏极电极之间，与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚小于源极电极与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚；p型的第3GaN类半导体层，在与栅极电极之间夹着栅极绝缘膜而设在栅极电极的漏极电极侧的端部与第2GaN类半导体层之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410376832.3有效
发明人： 蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的Si或者SiC的半导体基板；半导体基板表面的第二导电型的半导体区域；半导体基板上的GaN系半导体层；以及横型元件，设置于GaN系半导体层的半导体区域上方，具有与半导体区域电连接的第一电极、以及第二电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410376725.0有效
发明人：汤元美树;蔵口雅彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在第3GaN类半导体层上，是外延生长层；栅极绝缘膜，设在第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在栅极绝缘膜上；第1电极，设在第4GaN类半导体层上；第2电极，设在第1GaN类半导体层的与第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在第2GaN类半导体层上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410376732.0有效
发明人：斋藤尚史;蔵口雅彦;杉山仁 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。
半导体装置

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