[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。提供一种针对形成有空气隙的半导体器件能够实现良好的特性的技术。将衬底搬入处理室的工序，衬底具有第一布线层，包括第一层间绝缘膜、形成在第一层间绝缘膜之上用作布线的多个含铜膜、使含铜膜间绝缘的布线间绝缘膜以及设于多个含铜膜之间的空隙，和第一防扩散膜，第一防扩散膜构成为形成在含铜膜上表面的一部分的表面上，抑制含铜膜的成分的扩散；和形成含硅膜，向处理室内供给含硅气体，从而在含铜膜之上的没有形成第一防扩散膜的其他部分的表面之上和构成空隙的壁上形成含硅膜。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：将衬底搬入处理室的工序，所述衬底具有第一布线层，包括第一层间绝缘膜、形成在所述第一层间绝缘膜之上用作布线的多个含铜膜、使所述含铜膜间绝缘的布线间绝缘膜以及设于所述多个含铜膜之间的空隙，和第一防扩散膜，所述第一防扩散膜构成为形成在所述含铜膜上表面的一部分的表面上，抑制所述含铜膜的成分的扩散；和形成含硅膜的工序，向所述处理室内供给含硅气体，从而在所述含铜膜之中的没有形成所述第一防扩散膜的其他部分的表面上和构成所述空隙的壁上形成含硅膜。