[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置有效
| 申请号： | 201710060662.1 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108346618B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成互连结构，在所述互连结构上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露部分所述互连结构中的互连线的第一开口；形成填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层的金属层；图形化所述金属层以形成焊盘；其中，所述焊盘包括位于中心的第一区域和位于所述第一区域四周的第二区域，所述第二区域的表面高于所述第一区域的表面。该制作方法通过形成周围厚中心薄的台阶结构焊盘，可以克服目前引线键合后焊盘容易破碎的容易，提高了器件的良率。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成互连结构，在所述互连结构上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露部分所述互连结构中的互连线的第一开口；形成填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层的金属层；图形化所述金属层以形成焊盘；其中，所述焊盘包括位于中心的第一区域和位于所述第一区域四周的第二区域，所述第二区域的表面高于所述第一区域的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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