[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成互连结构，在所述互连结构上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露部分所述互连结构中的互连线的第一开口；形成填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层的金属层；图形化所述金属层以形成焊盘；其中，所述焊盘包括位于中心的第一区域和位于所述第一区域四周的第二区域，所述第二区域的表面高于所述第一区域的表面。该制作方法通过形成周围厚中心薄的台阶结构焊盘，可以克服目前引线键合后焊盘容易破碎的容易，提高了器件的良率。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。

背景技术

在半导体制造工艺中，进行芯片封装时，需要将芯片顶层的焊盘与引线框架上对应的焊盘或者引线对接，这样可以通过引线框架将芯片与外部电路连接。图1A示出了形成有焊盘的器件进行引线键合的示意图，如图1A所示，其中，半导体器件包括衬底100，在衬底100上形成器件结构，例如PMOS或NMOS，然后在其上形成金属互连结构，示例性地包括金属层M1、M2、M3、UTM，金属层之间通过层间介电层101隔离，在顶部金属层UTM上形成第一钝化层102，第一钝化层102上形成再分布线104和焊盘105(图中虚线区域)，再分布线104和焊盘105通过形成在第一钝化层102中的接触插塞103与下方金属层电连接，在第一钝化层102上还形成有第二钝化层106，第二钝化层106中形成有暴露焊盘105的开口，焊球107在键合力作用下与焊盘键合。

最近发现28nm产品在引线键合之后，常常出现铝焊盘破碎问题，如图1B所示，引线键合后铝焊盘(图中虚线区域)破碎，这会对产品性能和良率造成重大影响。

因此，需要提出一种新的半导体器件及其制作方法、以及电子装置，以至少部分地解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件的制作方法，其可以克服目前的半导体器件的焊盘引线键合后容易破碎的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种形成再分布焊盘的方法，其包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成互连结构，在所述互连结构上形成第一钝化层，所述第一钝化层具有暴露部分所述互连结构中的互连线的第一开口；形成填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层的金属层；图形化所述金属层以形成焊盘；其中，所述焊盘包括位于中心的第一区域和位于所述第一区域四周的第二区域，所述第二区域的表面高于所述第一区域的表面。

进一步地，所述第一区域的形状与待与所述焊盘键合的引线焊球的形状对应。

进一步地，所述第一区域的形状为圆形。

进一步地，在图形化所述金属层以形成所述焊盘的同时还形成再分布线，所述再分布线的表面与所述第一区域的表面齐平。

进一步地，所述第一区域的厚度为3um～5um，所述区域的第二厚度为4um～7um。

进一步地，图形化所述金属层以形成所述再分布线和所述焊盘的步骤包括：对所述金属层进行第一次图形化，以形成所述焊盘，并使所述金属层中除所述焊盘的第二区域之外的区域与所述焊盘的第一区域齐平；对所述金属层进行第二次图形化，以形成所述再分布线。

进一步地，该形成再分布焊盘的方法还包括：

在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述再分布线并具有暴露所述焊盘的第二开口。