[发明专利]发光器件和具有发光器件的灯单元有效
| 申请号： | 201680012327.8 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107278333B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 洪埩熀;金明姬 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 达小丽;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及发光器件。根据本实施例的发光器件包括：第一导电半导体层；有源层，该有源层被布置在第一导电半导体层上并且具有多个势垒层和多个阱层；多个超晶格层，所述多个超晶格层被布置在第一导电半导体层之下；以及第二导电半导体层，该第二导电半导体层被布置在有源层上，其中多个超晶格层包括至少三个超晶格层，其中至少三个超晶格层中的每个具有第一层和第二层的多个配对，以及至少三个超晶格层之中超晶格层越接近有源层，超晶格层的第一层中的铝组分逐渐减小，并且至少三个超晶格层中的每个在第二层中具有相同的铝组分。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 单元 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；有源层，所述有源层被布置在所述第一导电半导体层上并且具有多个势垒层和多个阱层；多个超晶格层，所述多个超晶格层被布置在所述第一导电半导体层之下；以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层被布置在所述有源层上，其中，所述多个超晶格层包括至少三个超晶格层，其中，所述至少三个超晶格层中的每个具有至少第一层和第二层的多个配对，其中，随着所述至少三个超晶格层之中的超晶格层变成被定位为与所述有源层相邻的超晶格层，所述超晶格层的第一层中的铝组分变小，以及其中，所述至少三个超晶格层中的每个在所述第二层中具有相同的铝组分。
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