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[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310864978.1在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。GaN基发光二极管外延片包括衬底和依次生长于所述衬底上的缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、第一插入层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述第一插入层包括依次生长于所述N‑GaN层上的第一AlN层、第一WS2层和第一InAlGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、抗静电能力和波长均匀性。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310883170.8在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应变调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述应变调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的InAlN层、MgN纳米岛层、二维AlGaN层和InxGa(1‑x)N/GaN超晶格层。本发明提供的发光二极管外延片能够缓解现有技术中存在的晶体质量差，发光效率低且波长亮度均匀性偏低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]高辐射发光二极管制备方法及发光二极管-CN202310443745.4在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高辐射发光二极管制备方法及发光二极管，制备方法包括：提供一衬底；依次在衬底上沉积缓冲层、N型GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层包括按第一周期交叉沉积在低温应力释放层上的InxGa1‑xN量子阱层和InyGa1‑yN超晶格量子垒层，x＞y，InyGa1‑yN超晶格量子垒层包括按第二周期交叉沉积的Mg掺第一垒层和第二垒层，Mg掺第一垒层采用3D模式沉积制成，第二垒层采用2D模式沉积制成。本发明提供的发光二极管，能够减弱多量子阱层中因极化效应而导致的能带倾斜现象，提高发光二极管的质量。
辐射发光二极管制备方法

[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN202211269718.1有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，包括依次设置的Si衬底、缓冲层及外延层，所述缓冲层包括沿外延生长方向依次沉积的AlN层、Al1‑xScxN层及高温AliGa1‑iN层，所述高温AliGa1‑iN层的Al组分含量沿外延生长方向渐变降低。本发明通过缓冲层中的AlN层、Al1‑xScxN层及高温AliGa1‑iN层之间的相互配合，有效减少Si衬底表面形成的Si原子的扩散，并且增加了与外延层之间的晶格匹配，有效解决现有技术中Si衬底与GaN材料之间存在的晶格失配的问题，外延层晶格质量高，缺陷少，表面平整度佳，抗静电能力高。
gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310414212.3在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;程金连;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述P型半导体层包括依次层叠于所述电子阻挡层上的二维InN层、三维P型InAlGaN层和P‑GaN/GaN超晶格层，所述P‑GaN/GaN超晶格层包括交替层叠的P‑GaN层和GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够改善GaN基发光二极管P型GaN空穴浓度不高和空穴注入效率低的问题。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法-CN202310378775.1有效
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法，其中，多量子阱发光层包括第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层；第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层由下至上依次周期交替层叠形成混合极性的AlxInyGaN多层结构；其中，x的取值范围为0‑0.6，y的取值范围为0‑0.4。本申请通过利用Ga极性氮化物与N极性氮化物的极化电场方向相反，减弱多量子阱发光层中因极化电场而导致的能带弯曲现象，从而提高多量子阱发光层中的辐射复合效率，进而提高发光二极管的发光效率。
一种多量发光发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310372756.8在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；多量子阱层为周期性结构，周期数为2～15，每个周期均包括依次层叠的量子阱层和量子垒层；每个量子垒层均包括：阵列分布于量子阱层上的多个AlN纳米柱；一一对应层叠于AlN纳米柱上的多个AlGaN纳米柱；层叠于AlGaN纳米柱上的GaN二维层，GaN二维层沿AlGaN纳米柱顶部的预设方向生长合并，以形成具有纳米孔洞的量子垒层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310281513.3在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。深紫外发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和欧姆接触层，所述欧姆接触层包括依次层叠的第一子层和第二子层；其中，所述第一子层为超晶格结构，其周期数为3‑10，每个周期均包括依次层叠的MgGaN层和SiAlGaN层，所述第二子层包括MgAlGaN层；所述MgGaN层中Mg的掺杂浓度≥8×1019cm‑3。实施本发明，可提升深紫外发光二极管的光效，降低工作电压。
深紫发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202310137550.7在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层；所述N型半导体层包括依次层叠于所述本征GaN层上的第一SiInGaN层、第二SiInAlGaN层、第三SiInAlGaN层、第四SiAlGaN层和第五SiAlGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升发光亮度波长分布的均匀性，并且释放底层应力，提升发光二级管的抗静电能力，提升发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310370828.5有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括图形化衬底和依次设于图形化衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；图形化衬底上设有多个阵列分布的凸起部；第一缓冲层包括依次层叠的第一InAlGaN层、三维层和第一GaN填平层；三维层为周期性结构，周期数为2‑10，每个周期均包括依次层叠的三维AlGaN层和二维GaN层；第一缓冲层的厚度略大于凸起部的高度，以使第一缓冲层生长完成后在其表面上形成多个阵列分布的孔洞。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高抗静电能力。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310209954.2有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括量子阱层和量子垒层，其周期数为n1或n2，其中，n1为偶数，n2为奇数；靠近所述N‑GaN层的前n1/2或（n2+1）/2个周期的多量子阱层中，在量子阱层和量子垒层之间设有第一插入层；所述第一插入层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的MgInN量子点层和MgGaN层，周期数≥1。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310222156.3有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层，所述多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括势阱层和势垒层；所述势阱层包括依次层叠的第一AlScN层、第一InGaN层、InN层、第二InGaN层和第二AlScN层，其中，所述第一InGaN层和所述第二InGaN层中的In组分占比均小于所述InN层中的In组分占比。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]基于图形化衬底的LED外延片及其制备方法、LED-CN202310517792.9在审
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化衬底的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。基于图形化衬底的LED外延片包括蓝宝石‑SiO2复合图形化衬底和依次设于其上的图形化衬底处理层、衬底图形填平层、位错湮灭层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；图形化衬底处理层包括AlN层；衬底图形填平层为三维AlGaN生长层和二维GaN填平层交替层叠生长形成的周期性结构，周期数为10‑40；位错湮灭层包括依次生长的第一AlN层、InN层和第二AlN层。实施本发明，可减少发光二极管外延片的位错缺陷，提高其晶格质量，进而提升抗静电能力和发光效率。
基于图形衬底 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法-CN202310146521.7有效
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;程金连;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该二极管包括衬底及设于衬底之上的N型半导体层，二极管还包括：依次层叠于N型半导体层之上的低温应力释放层、阱前电子阻挡层、阱前电子减速层、量子阱发光层、空穴储备层、P型半导体层与P型欧姆接触层；其中，阱前电子阻挡层为组分阶梯变化的AlGaN多层结构，阱前电子减速层为AlGaN/AlGaN超晶格结构，空穴储备层为多阶组分阶梯递减的AlGaN/AlGaN超晶格结构。本发明解决了现有技术中发光二极管中有源区内空穴浓度较低，有源区内电子与空穴浓度不匹配，导致发光二极管发光效率较低的技术问题。
一种 algan 紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310341185.1有效
发明人：张彩霞;印从飞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、V型坑层和P‑GaN层；V型坑层包括依次层叠的V型坑缓冲层、V型坑填平层和V型坑缺陷阻挡层；多量子阱层经刻蚀得到多个V型坑，V型坑缓冲层为InAlGaN层，V型坑填平层为AlGaN层和GaN层交替生长的周期性结构；V型坑缺陷阻挡层为AlN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率，提高抗静电能力，提高发光波长和发光亮度均匀性。
发光二极管外延及其制备方法

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