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- [发明专利]GaN基自旋发光器件及其制备方法-CN202310116610.7在审
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吴志明;胡玮琳;许飞雅;吴雅苹;李煦;康俊勇
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厦门大学
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2023-02-15
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2023-06-23
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H01L33/04
- 本发明公开了一种GaN基自旋发光器件及其制备方法，该器件包括由上至下层叠设置的金属基板、GaN基量子发光结构、绝缘隧穿层、铁磁金属层和金属保护层，GaN基量子发光结构包括沿金属基板表面依次层叠设置的电子阻挡层、空穴传输层、辐射复合层和电子传输层；绝缘隧穿层和铁磁金属层之间或GaN基量子发光结构和绝缘隧穿层之间设有1～3层的石墨烯构成的二维材料插入层。通过在绝缘隧穿层上方或下方插入少层的石墨烯，避免铁磁金属电极通过绝缘层孔洞直接与半导体接触而导致的阻抗失配，有利于自旋流的高效隧穿，还能对自旋流起到电流拓展作用，从而提升自旋流的注入效率；通过改变二维材料插入层的插入位置可调控注入电流的极化方向，调控自旋发光特性。
- gan自旋发光器件及其制备方法
- [发明专利]一种力学参数的测量装置和测量方法-CN202111659632.5有效
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吴雅苹;张纯淼;刘伟杰;黄佳傲
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厦门大学
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2021-12-30
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2023-04-14
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G01L1/04
- 本发明提供一种力学参数的测量装置，包括：夹具、线圈、磁铁、光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、三脚支架、光功率计或光谱仪及其探头、直流电源和电阻；夹具用于将待测材料两端固定，所述线圈悬挂于水平放置的待测材料中点处或悬挂于竖直放置的待测材料下端，且置于磁铁两极中间匀强磁场处；所述光源、滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头高度一致，且光源发出的光线依次垂直通过滤光片、第一偏振片、第二偏振片、光功率计或光谱仪探头；第二偏振片固定于三脚支架上，三脚支架的一个尖足置于夹具上，另外两个尖足高度固定放置于一水平板上，线圈导线的两端与电阻及直流电源连接，形成闭合回路。本发明装置操作简单，结果准确，具有可控易调、稳定连续、抗干扰性强等优点。
- 一种力学参数测量装置测量方法
- [实用新型]一种柔性二维磁存储阵列-CN201920997044.4有效
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吴雅苹;柯聪明;康俊勇
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厦门大学
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2019-06-28
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2020-06-26
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H01L43/08
- 本实用新型公开一种柔性二维磁存储阵列，包括柔性基片以及设置于柔性基片上表面的任意数量的以阵列形式排布的磁存储单元；每个磁存储单元包含层叠设置于柔性基片上表面的XN(X＝V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料、表面掺杂层、BN二维材料、分别设置于BN二维材料上表面左右两端的第一注入电极与第二注入电极、以及分别设置于BN二维材料上表面前后两端的第一检测电极与第二检测电极；每个磁存储单元可独立工作，通过在第一注入电极与第二注入电极之间施加一个范围为‑5V～+5V的电压，可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流，通过对柔性基片施加适当应力可调控自旋极化的电流的自旋极化率，从而实现磁存储。
- 一种柔性二维存储阵列
- [实用新型]一种电可控的二维自旋电子器件阵列-CN201920997049.7有效
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吴雅苹;唐唯卿;吴志明;康俊勇
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厦门大学
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2019-06-28
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2020-06-26
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H01L29/66
- 本实用新型公开一种电可控的二维自旋电子器件阵列，包括半导体基片、设置于基片下表面的光栅结构的背栅电极，层叠设置在基片上表面的介电层、过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构、设置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的两列电极对、BN二维材料钝化层，所述两列电极对由置于过渡金属硫化物二维材料上表面两侧的若干对位置一一对应的电极对等间距排列构成；所述自旋电子器件阵列可通过施加背栅电压对过渡金属硫化物二维材料/铁磁金属纳米团簇异质结构进行静电掺杂，由此调控异质结构的磁各向异性及费米能级附近电子态的自旋极化方向，从而在电极对之间电压的作用下产生极化方向独立可控的自旋电流。
- 一种可控二维自旋电子器件阵列
- [实用新型]一种电控二维自旋过滤器件-CN201920995707.9有效
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吴雅苹;柯聪明;康俊勇
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厦门大学
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2019-06-28
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2020-06-23
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H01L29/66
- 本实用新型公开一种电控二维自旋过滤器件，包括导电基片、与导电基片下表面连接的背栅电极、层叠设置在导电基片上表面的介电层、XN(X＝V,Cr,Mn)二维材料、过渡金属硫化物二维材料异质结构层、与过渡金属硫化物二维材料连接的源、漏电极，以及与过渡金属硫化物二维材料连接的第一检测电极与第二检测电极；该器件通过在与过渡金属硫化物二维材料连接的源、漏电极之间施加一个范围为‑10V～+10V的电压，可在第一检测电极与第二检测电极之间检测到一个自旋极化的电流，从而实现自旋过滤；该自旋极化的电流的自旋极化率可通过背栅电压调控，所述背栅电压是通过在背栅电极和与过渡金属硫化物二维材料连接的源电极之间施加一个范围为‑100V～+100V的电压。
- 一种二维自旋过滤器件
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