[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610344276.0 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107425046B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 冯喆韻;马千成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件及其制作方法，所述LDMOS器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一阱区；位于所述第一阱区中的第二阱区；位于所述第二阱区中彼此间隔设置的体区和漂移区；位于所述体区中彼此间隔设置的源区和基区；位于所述漂移区中的漏区；位于所述半导体衬底上且跨接所述体区和漂移区的栅极结构；位于所述栅极结构与所述漏区之间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同时位于所述漂移区中；位于所述体区和所述漂移区之间的第二阱区表面的反型离子注入区。本发明提供的LDMOS器件采用全隔离结构，具有高击穿电压；增加了表面反型离子注入区，减小了导通电阻，且所述反型离子注入区的形成不需要额外的掩膜，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；位于所述第一阱区中的第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂类型；位于所述第二阱区中彼此间隔设置的体区和漂移区，所述体区具有第二掺杂类型，所述漂移区具有第一掺杂类型；位于所述体区中彼此间隔设置的源区和基区，所述源区具有第一掺杂类型，所述基区具有第二掺杂类型；位于所述漂移区中的漏区，所述漏区具有第一掺杂类型；位于所述半导体衬底上且跨接所述体区和漂移区的栅极结构；位于所述栅极结构与所述漏区之间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同时位于所述漂移区中；位于所述体区和所述漂移区之间的第二阱区表面的反型离子注入区，所述反型离子注入区具有第一掺杂类型。
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