[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种LDMOS器件及其制作方法，所述LDMOS器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第一阱区；位于所述第一阱区中的第二阱区；位于所述第二阱区中彼此间隔设置的体区和漂移区；位于所述体区中彼此间隔设置的源区和基区；位于所述漂移区中的漏区；位于所述半导体衬底上且跨接所述体区和漂移区的栅极结构；位于所述栅极结构与所述漏区之间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同时位于所述漂移区中；位于所述体区和所述漂移区之间的第二阱区表面的反型离子注入区。本发明提供的LDMOS器件采用全隔离结构，具有高击穿电压；增加了表面反型离子注入区，减小了导通电阻，且所述反型离子注入区的形成不需要额外的掩膜，降低了工艺成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor，LDMOS)采用双扩散技术，在同一窗口相继进行硼磷两次扩散，由两次杂质扩散横向结深之差可精确地决定沟道长度。蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟。对于LDMOS晶体管来说，导通电阻(Rdson)和击穿电压(BVdss)是其最重要的两个参数。导通电阻越小，LDMOS的驱动能力越强；击穿电压越大，LDMOS的可靠性就越高。所以通常希望LDMOS具有较小的导通电阻和较大的击穿电压。

功率集成电路中的LDMOS采用BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制作。BCD工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(BJT)、互补型金属氧化物半导体(CMOS)、扩散金属氧化物半导体(DMOS)的工艺，具有双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点。为了与标准CMOS工艺兼容，BCD工艺一般采用P型衬底。如何在提升产品性能的同时降低BCD工艺的成本是现有技术亟待解决的问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种LDMOS器件，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；

位于所述第一阱区中的第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂类型；

位于所述第二阱区中彼此间隔设置的体区和漂移区，所述体区具有第二掺杂类型，所述漂移区具有第一掺杂类型；

位于所述体区中彼此间隔设置的源区和基区，所述源区具有第一掺杂类型，所述基区具有第二掺杂类型；

位于所述漂移区中的漏区，所述漏区具有第一掺杂类型；

位于所述半导体衬底上且跨接所述体区和漂移区的栅极结构；

位于所述栅极结构与所述漏区之间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同时位于所述漂移区中；

位于所述体区和所述漂移区之间的第二阱区表面的反型离子注入区，所述反型离子注入区具有第一掺杂类型。

示例性地，在所述半导体衬底中的所述第一阱区的外侧形成有隔离区，所述隔离区具有第二掺杂类型。

示例性地，在位于所述第二阱区边界的半导体衬底表面上形成有隔离结构，以定义有源区。

示例性地，在所述体区内的源区和基区之间形成有隔离结构。

示例性地，所述反型离子注入区与所述漂移区构成阶梯型离子注入区。

本发明还提供一种LDMOS器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；