[发明专利]一种LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；

位于所述第一阱区中的第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂类型；

位于所述第二阱区中彼此间隔设置的体区和漂移区，所述体区具有第二掺杂类型，所述漂移区具有第一掺杂类型；

位于所述体区中彼此间隔设置的源区和基区，所述源区具有第一掺杂类型，所述基区具有第二掺杂类型；

位于所述漂移区中的漏区，所述漏区具有第一掺杂类型；

位于所述半导体衬底上且跨接所述体区和漂移区的栅极结构；

位于所述栅极结构与所述漏区之间的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构同时位于所述漂移区中；

位于所述体区和所述漂移区之间的第二阱区表面的反型离子注入区，所述反型离子注入区具有第一掺杂类型，所述反型离子注入区与所述第二阱区在同一工序中使用同一掩膜形成。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述半导体衬底中的所述第一阱区的外侧形成有隔离区，所述隔离区具有第二掺杂类型。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在位于所述第二阱区边界的半导体衬底表面上形成有隔离结构，以定义有源区。

4.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，在所述体区内的源区和基区之间形成有隔离结构。

5.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述反型离子注入区与所述漂移区构成阶梯型离子注入区。

6.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；

在所述第一阱区中形成第二阱区，所述第二阱区具有第二掺杂类型；

与所述第二阱区使用同一掩膜，在所述第二阱区表面形成反型离子注入区，所述反型离子注入区具有第一掺杂类型；

在所述第二阱区中形成彼此间隔设置的体区和漂移区，所述体区具有第二掺杂类型，所述漂移区具有第一掺杂类型；

在所述半导体衬底上形成跨接所述体区和漂移区的栅极结构；

在所述体区中形成彼此间隔设置的源区和基区，所述源区具有第一掺杂类型，所述基区具有第二掺杂类型；

在所述漂移区中形成漏区，所述漏区具有第一掺杂类型。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阱区中形成所述第二阱区步骤之前或之后还包括，在所述第一阱区中形成隔离结构以定义有源区的步骤。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构包括位于后序形成的栅极结构与漏区之间的浅沟槽隔离结构。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阱区中形成隔离结构以定义有源区的步骤之后，形成所述体区和所述漂移区。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第一阱区中形成隔离结构以定义有源区的步骤之前，形成所述体区和漂移区。

11.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括在所述半导体衬底中的所述第一阱区的外侧形成隔离区的步骤，所述隔离区具有第二掺杂类型。

12.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成第一阱区的步骤包括在所述半导体衬底上形成具有第一掺杂类型的外延层的步骤。

13.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成第一阱区的步骤包括在所述半导体衬底中进行离子注入以形成具有第一掺杂类型的埋层的步骤。

14.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述反型离子注入区与所述漂移区构成阶梯型离子注入区。