[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其可提高高集成度集成电路器件中的多栅极晶体管的操作性能。该半导体器件包括在半导体衬底的第一区上突出并且沿着第一方向延伸的第一有源鳍单元。第一有源鳍单元包括具有左轮廓和右轮廓的至少一个第一有源鳍，所述左轮廓和右轮廓关于在垂直于第一方向的切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第一中心线彼此对称。第二有源鳍单元在半导体衬底的第二区上突出，并且包括两个第二有源鳍，每个第二有源鳍具有左轮廓和右轮廓，所述左轮廓和右轮廓关于在所述切割表面上垂直于半导体衬底的顶表面的第二中心线彼此不对称。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一有源鳍单元，其在所述半导体衬底的第一区上突出，并且沿着第一方向延伸，所述第一有源鳍单元包括至少一个第一有源鳍，每个第一有源鳍具有关于第一中心线彼此对称的左轮廓和右轮廓，所述第一中心线在垂直于所述第一方向的切割表面上垂直于所述半导体衬底的顶表面；以及第二有源鳍单元，其在所述半导体衬底的第二区上突出，并且沿着所述第一方向延伸，所述第二有源鳍单元包括两个第二有源鳍，每个第二有源鳍具有关于在所述切割表面上垂直于所述半导体衬底的顶表面的第二中心线彼此不对称的左轮廓和右轮廓，其中，所述第一有源鳍和所述第二有源鳍中的每一个包括由器件隔离层包围的下有源鳍和从所述器件隔离层突出的上有源鳍，并且其中，将所述第一中心线和所述第二中心线中的每一个限定为与所述下有源鳍的在所述半导体衬底的顶表面以上的相同高度处的左点和右点等距地布置的直线。