[发明专利]FINFET半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410011019.6 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN104779285B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明主要涉及FINFET器件，更确切地说，涉及一种带有堆叠式鳍片的FINFET半导体器件及其制备方法，来增强栅极控制和电流驱动能力。包括一个衬底，和位于衬底之上的堆叠式鳍片，还包括围绕在堆叠式鳍片两侧及上方的栅极结构，其中堆叠式鳍片包括一沙漏状的下部鳍片和位于下部鳍片之上的一梯形或方形的上部鳍片。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片 堆叠式 半导体器件 衬底 制备 电流驱动能力 栅极结构 栅极控制 沙漏状 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一包含第一、第二半导体层的衬底；刻蚀第一半导体层形成上部鳍片；刻蚀第二半导体层未被上部鳍片覆盖住的区域以形成上部鳍片下方的呈沙漏状的下部鳍片；形成围绕在包含上部、下部鳍片的堆叠式鳍片两侧及上方的栅极结构；形成上部鳍片的步骤中，在第一半导体层上方形成一硬掩膜层并图案化该硬掩膜层；利用带有开口图形的硬掩膜层干法刻蚀第一半导体层暴露的区域，形成第一半导体层中深度小于第一半导体层原始厚度的沟槽；利用硬掩膜层沿着所述沟槽以各向异性湿法刻蚀第一半导体层，从而形成上窄下宽的梯形状上部鳍片。
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