[发明专利]半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法在审
| 申请号： | 201380059256.3 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104823269A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 门野武;栗田一成 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C23C16/02;C23C16/24;C30B25/20;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/265;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 外延 晶片 制造 方法 以及 固体 摄像 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片照射簇离子，在该半导体晶片的表面形成由所述簇离子的构成元素构成的改性层；第二工序，在该第一工序之后，以使所述半导体晶片表面的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对所述半导体晶片进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在所述半导体晶片的改性层上形成外延层。
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- 篠田智则;若山洋司 - 琳得科株式会社
- 2011-03-30 - 2012-12-19 - H01L21/322
- 本发明的课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
