“由云鹏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置-CN201610018229.7有效
发明人： 由云鹏;刘辉;孟令成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置。所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域，在高压器件区域上形成有图案化的高压栅极氧化物层；步骤S2：在低压器件区域上和高压栅极氧化物层的两侧形成低压栅极氧化物层；步骤S3：在低压栅极氧化物层上形成低压栅极结构及其间隙壁，同时形成高压栅极结构及其间隙壁，其中在高压器件区域中所述间隙壁和高压栅极结构的关键尺寸之和等于高压栅极氧化物层的关键尺寸；步骤S4：在所述高压器件区域和所述低压器件区域形成金属硅化物阻挡层并图案化；步骤S5：去除露出的所述低压栅极氧化物层；步骤S6：在所述区域和所述高压栅极结构上形成自对准硅化物。
一种半导体器件以及制备方法电子装置

[发明专利]一种晶圆表面平坦化工艺-CN201410037773.7有效
发明人： 由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成第一旋涂玻璃层，所述第一旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成的第一旋涂玻璃层进行离子注入；在离子注入后的所述第一旋涂玻璃层上形成第二旋涂玻璃层，所述第二旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成第二旋涂玻璃层后的晶圆进行烘烤；对所述第一旋涂玻璃层和所述第二旋涂玻璃层进行回刻；在回刻后的旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层。该平坦化工艺不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了不同位置处介质层起伏波动状况的发生，极大程度的避免了金属残留。
一种表面平坦化工

[发明专利]金属互连结构的制造方法-CN201410449607.8有效
发明人： 由云鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属互连结构的制造方法，包括步骤提供一衬底并在衬底上生长或淀积一层介质层；进行光刻刻蚀形成接触孔窗口；淀积第一层金属薄膜；进行光刻刻蚀形成第一层金属互连窗口；淀积第二层金属薄膜；进行光刻刻蚀形成第二层金属互连窗口，第二层金属互连窗口将第一层金属互连窗口完全包裹并叠加形成金属互连结构。本发明能增加金属互连结构的厚度、提高电路抗大电流、强功率的能力，同时能使金属的光刻刻蚀工艺容易实现、降低光刻所需的光刻胶厚度以及降低金属较厚所带来的负载效应的不利影响。
金属互连结构制造方法

[发明专利]多晶电阻的制造方法和多晶电阻-CN201410023295.4有效
发明人： 由云鹏;潘光燃;石金成;王焜;文燕 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶电阻的制造方法和一种多晶电阻，其中，多晶电阻的制造方法包括在形成有氧化层和底层氮化硅层的衬底表面生长多晶硅层；对多晶硅层注入掺杂元素；刻蚀掉多晶硅层上的第一预设区域之外的多晶硅，保留第一预设区域的多晶硅，以形成电阻条区域；在形成有电阻条区域的衬底上方，生长顶层氮化硅层，顶层氮化硅层呈台阶状，顶层氮化硅层包括上台面氮化硅层和下台面氮化硅层；刻蚀掉下台面氮化硅层，以及下台面氮化硅层下面的底层氮化硅层；对上台面氮化硅层上的第二预设区域进行刻蚀，形成接触孔；对衬底进行热处理；在接触孔所在的区域镀金属，以形成引线。通过本发明的技术方案，可以节约生产成本，提高电阻的稳定性。
多晶电阻制造方法

[发明专利]一种晶圆表面平坦化工艺-CN201410037579.9有效
发明人： 由云鹏;潘光燃;王焜;石金成 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化工艺，包括以下步骤在有台阶的晶圆表面形成第一正硅酸乙酯层；在所述第一正硅酸乙酯层上形成旋涂玻璃层，所述旋涂玻璃层在非台阶处的厚度大于在台阶处的厚度；对形成旋涂玻璃层后的晶圆依次进行烘烤和离子注入；在离子注入后的所述旋涂玻璃层上形成第二正硅酸乙酯层；在所述第二正硅酸乙酯层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层和所述第二正硅酸乙酯层进行回刻；去除回刻残留的光刻胶，并对晶圆进行清洗。该工艺采用光刻胶层替代第二旋涂玻璃层，并采用光刻胶回刻技术，不但简化了工艺流程，极大程度的节约成本，而且大大降低了钨火山现象的发生，利于封装打线。
一种表面平坦化工

[发明专利]去除芯片中可动离子电荷的方法-CN201410045513.4有效
发明人：石金成;潘光燃;高振杰;王琨;由云鹏;张建湘 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-08 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除芯片中可动离子电荷的方法。在设定温度下对形成有二氧化硅层的芯片进行预设时间内的烘烤处理，按照预设的剥除厚度对所述芯片进行漂洗，以剥除所述二氧化硅层中富含的可动离子电荷。本发明中在烘烤处理中将芯片中的可动离子电荷在二氧化硅（SiO2）层中重新分布，可动离子电荷根据自身的运动特性，将加速在SiO2层的上表面上积累，再通过漂洗处理将富含可动离子电荷的上表面从SiO2层中剥除，消除了芯片中的可动离子电荷，提高了芯片的使用寿命。
去除芯片中可动离子电荷方法

[发明专利]一种监测金属间介质层的装置和方法-CN201310536136.X在审
发明人：潘光燃;王焜;文燕;石金成;由云鹏;高振杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种监测金属间介质层的装置，包括：至少两层金属组成堆叠结构，其中第一层金属具有波形结构；第二层金属覆盖在所述第一层金属上。由于第一层金属为波形结构，可以增加该层金属的长度和结构复杂度，在第一层金属上方用大块金属即第二层金属对第一层金属进行完全覆盖，能增加金属层与金属间介质层的接触面积，有利于对漏电现象的检测，上述结构装置能够对金属间介质层的针孔、平坦化工艺不良以及颗粒等缺陷进行有效监测。
一种监测金属介质装置方法

[发明专利]一种阈值电压调节方法-CN201210387415.X有效
发明人：潘光燃;石金成;高振杰;林国胜;王焜;由云鹏 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种阈值电压调节方法，应用于深N阱高压CMOS集成电路的制造过程中，可以在不增加光刻层的前提下，对高压CMOS的阈值电压进行调节，所述方法包括：在形成深N阱高压CMOS集成电路的第一P阱、第二P阱及第三P阱过程中，向所述第一P阱、所述第二P阱及所述第三P阱中注入符合第一预设条件的第一离子，所述第一离子分两次注入，用来对所述高压NMOS和所述高压PMOS的源漏击穿电压和阈值电压进行调节。
一种阈值电压调节方法

1
共 8 条