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[发明专利]用于可倾斜车辆的座椅装置-CN202180063744.6在审
发明人： G·基辛格 -专利权人：宝马股份公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B62J1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种座椅装置(2)，用于可倾斜车辆(4)、尤其是用于包括对置气缸发动机的可倾斜车辆，所述座椅装置包括：至少一个长座椅(6)；至少一个保持器件(8)，长座椅(6)借此在朝向行驶方向(10)的一侧上设置或者能设置在可倾斜车辆(4)的车辆组件(12)上或者车辆框架(18)上，并且长座椅(6)与竖直轴线和与横轴线平行的运动借此能被限制；以及至少一个耦联装置(16)，该耦联装置固定或者能固定在长座椅(6)的背离行驶方向(10)的一侧上，长座椅(6)借此间接地或者直接地在车辆框架(18)上可有限运动地固定或者能固定，该耦联装置包括至少一个间接地或直接地固定在长座椅(6)上的第一耦联器件(20)、至少一个固定在车辆框架(18)上的第二耦联器件(22)以及至少一个设置在第一耦联器件(20)与第二耦联器件(22)之间的第一运动余地器件(24)，借此，借助于第一耦联器件(20)相对于第二耦联器件(22)的相对运动，长座椅(6)相对于车辆框架(18)至少在可倾斜车辆(4)的横轴线上或者与该横轴线倾斜地可有限运动。
用于倾斜车辆座椅装置

[发明专利]用于生产半导体晶片的方法-CN202180044647.2在审
发明人： T·米勒;M·格姆利希;G·基辛格;K·曼格尔贝格尔;M·什克罗鲍奈克 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及生产单晶硅半导体晶片的方法，该方法包括：提供单晶硅衬底晶片，该衬底晶片包含浓度超过5x1016AT/cm3的间隙氧(新ASTM)；对该衬底晶片进行RTA处理，该RTA处理包含：对衬底晶片的第一热处理，该第一热处理是在处于不小于1200℃且不超过1260℃的温度范围内的第一温度下进行，持续时间不小于5秒且不超过30秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛；对衬底晶片的第二热处理，该第二热处理是在处于不小于1150℃且不超过1190℃的温度范围内的第二温度下进行，持续时间不小于15秒且不超过20秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩和氨的气氛；以及对衬底晶片的第三热处理，该第三热处理是在处于不小于1160℃且不超过1190℃的温度范围内的第三温度下进行，持续时间不小于20秒且不超过30秒，其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛。
用于生产半导体晶片方法

[发明专利]由单晶硅制成的半导体晶片及其制造方法-CN201880045980.3有效
发明人： T·米勒;A·扎特勒;R·克雷奇默;G·基辛格;D·科特 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：由单晶硅制成的半导体晶片，其根据新ASTM的氧浓度不低于4.9×1017原子/cm3且不超过6.5×1017原子/cm3，根据新ASTM的氮浓度不低于8×1012原子/cm3且不超过5×1013原子/cm3，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中所述半导体晶片包含八面体形状的BMD，通过IR断层摄影术确定其平均尺寸为13至35nm，其平均密度不低于3×108cm‑3且不超过4×109cm‑3。
单晶硅制成半导体晶片及其制造方法

[发明专利]由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法-CN201680072509.4有效
发明人： T·米勒;W·霍维泽尔;M·什克罗鲍奈克;G·基辛格 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及由单晶硅制成的半导体晶片，其包含一定浓度的氧、氮和氢；所述半导体晶片进一步包含：BMD晶种，其具有在所述半径上取平均值的不小于1×105cm‑3且不大于1×107cm‑3的密度；表面缺陷，其具有在所述半径上取平均值的不小于1100cm‑2的密度；和BMD，其密度不低于5×108/cm3的下限。本发明同样涉及用于生产由单晶硅制成的半导体晶片的方法。
单晶硅制成半导体晶片及其生产方法

[发明专利]机动车驱动装置-CN201980043605.X在审
发明人： G·基辛格 -专利权人：宝马股份公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： B60K6/485 文献下载
摘要：一种机动车驱动装置，用于将内燃机(1)与机电式的能量转换器(2)连接，其中，该能量转换器被设计用于起动内燃机，并且所述机动车驱动装置具有起动机发电机传动装置(5)，该传动装置具有第一传动线路(3)，所述第一传动线路被设计用于在起动内燃机时将转矩从机电式的能量转换器(2)引导至内燃机(1)，并且该传动装置(5)具有沿从机电式的能量转换器(2)至内燃机(1)的方向减速的传动比，并且该传动装置(5)还具有第二传动线路(4)，所述第二运动系统被设计用于至少暂时将转矩沿从内燃机(1)至机电式的能量转换器(2)的方向引导，并且第二传动线路(4)关于在机电式的能量转换器(2)与内燃机(1)之间的转矩传递并联于第一传动线路设置，其特征在于，第一传动线路(3)具有单向离合器，所述单向离合器设计成，使得在起动内燃机(1)时，转矩能从机电式的能量转换器(2)经由该传动线路(3)传递至所述内燃机，并且第二传动线路(4)具有转速敏感的离合器(6)，所述转速敏感的离合器直到达到第一转速阈值为止都是断开的，从而在该状态中，没有转矩能利用第二传动线路(4)从内燃机(1)传递至机电式的能量转换器(2)，并且转速敏感的离合器(6)从超过第一转速阈值时起闭合。
机动车驱动装置

[发明专利]硅片及其生产方法-CN201410643571.7有效
发明人： W·冯阿蒙;G·基辛格;D·科特 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧浓度为5×1017‑7.5×1017cm‑3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度‑在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm‑3；和‑在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm‑3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
硅片及其生产方法

[发明专利]单晶硅半导体晶片及其制造方法-CN201310341923.9有效
发明人： T·米勒;G·基辛格;D·科特;A·扎特勒 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/322 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。
单晶硅半导体晶片及其制造方法

[发明专利]硅片及其生产方法-CN201110229964.X有效
发明人： W·冯阿蒙;G·基辛格;D·科特 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧浓度为5×1017-7.5×1017cm-3的硅片，所述硅片在二选一进行以下热过程之后具有以下BMD密度：-在780℃下处理3小时并随后在1000℃下处理16小时之后，BMD密度为至多1×108cm-3；和-在以1K/min的加热速率下将该硅片从500℃的起始温度加热到1000℃的目标温度并随后在1000℃下保持16小时之后，BMD密度为至少1×109cm-3，本发明还涉及一种通过用闪光照射来生产所述硅片的方法。
硅片及其生产方法

[发明专利]单晶硅半导体晶片及其制造方法-CN200910172897.5有效
发明人： T·莫勒;G·基辛格;W·霍伊斯尔;M·韦伯 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及用氮掺杂的单晶硅半导体晶片。该半导体晶片具有OSF区域和P_v区域，其中该OSF区域从半导体晶片的中心在朝向半导体晶片边缘的方向上延伸至P_v区域；该半导体晶片的OSF密度小于10cm^-2，块体内的BMD密度至少为3.5×10⁸cm^-3，BMD密度的径向分布由比例BMD_max/BMD_min表示的波动范围不大于3，其中BMD_max和BMD_min分别代表最大和最小的BMD密度。本发明还涉及用于制造此类半导体晶片的方法。
单晶硅半导体晶片及其制造方法

[发明专利]具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法-CN200710153795.X有效
发明人： T·米勒;M·韦伯;G·基辛格 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2007-09-25 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有良好的内在吸收能力的硅晶片及其制造方法，所述硅晶片在其整个体积内晶格空位是主要的点缺陷类型，该硅晶片具有宽度至少为该硅晶片半径的80％的基于其轴旋转对称的区域、密度为0至10cm^－2的OSF种子以及在其内部的5×10⁸cm^－3至5×10⁹cm^－3的平均BMD密度，该BMD密度在该硅晶片的整个半径中在径向上最大改变10倍，而且该硅晶片至少在该硅晶片的正面上具有不含BMD的层，其特征在于，在该硅晶片的整个正面上第一BMD位于至少为5μm的深度，且该第一BMD位于平均至少8μm的深度。
具有良好内在吸收能力晶片及其制造方法

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