[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310739611.3 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103681788B | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林敏之;陈铭;陈伟;徐维;赖海波 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;黄小栋 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。本发明通过在衬底的下表面形成至少一个金属层，来与形成于衬底上表面的金属互连层形成平板电容，通过将该平板电容连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配。本发明还提供了这种半导体器件的制造方法，可以便捷且高效地实现半导体器件的输入或输出端的阻抗匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，该方法包括在用于制造所述半导体器件的衬底的上表面上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成至少一个金属互连层，其特征在于，该方法还包括在所述衬底的下表面上形成至少一个金属层，该方法还包括在所述半导体器件中配置有源区和非有源区，并在所述非有源区中形成至少一个平板电容，其中，所述平板电容包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板具有能够与所述半导体器件的封装引脚中的输入引脚、输出引脚或接地引脚相连的区域，所述方法包括如下步骤：S1.在进行位于衬底上表面的所述金属互连层的刻蚀工序时，通过调整刻蚀版图，使得在所述非有源区中保留一部分金属以形成所述第一极板；S2.在进行位于衬底下表面的所述金属层的刻蚀工序时，通过调整刻蚀版图，使得在所述非有源区中保留一部分金属以形成所述第二极板。
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