专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低功耗直流电压比较电路-CN201510121663.3有效
  • 吕海峰;李鹏;张大语 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2015-03-19 - 2023-09-29 - G06F1/28
  • 本发明提供一种低功耗直流电压比较电路,包括用于输入端以及用于输出检测电压的输出端:顺次串联在输入端和地之间的第一电阻和第五电阻,第一电阻和第五电阻相连接的节点为第一节点;第一晶体管的发射极通过第二电阻与电源相连接,集电极通过第六电阻接地,基极通过第九电阻与电源向连接;第一晶体管的基极与第一节点相连接;第二晶体管的集电极通过第七电阻与电源相连接,基极通过第八电阻与第一晶体管的集电极相连接,发射极通过第三电阻接地,第七电阻阻值大于第三电阻阻值;第二晶体管的集电极与输出端相连接。利用本发明的低功耗直流电压比较电路,能够及时检测到电压变化,提高系统安全性,同时本身功耗较低,反应速度快。
  • 一种功耗直流电压比较电路
  • [发明专利]集成电路及其钳位电路-CN202111613652.9有效
  • 陆云;赵犇;宋金星;王鑫 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-09-15 - G05F1/56
  • 本申请提供了一种集成电路及其钳位电路,钳位电路包括偏置模块、驱动模块及钳位电压产生模块;所述偏置模块包括第一偏置单元,所述第一偏置单元与所述驱动模块电连接;所述第一偏置单元用于接入所述集成电路的偏置电流产生电路;当检测到所述集成电路的上电复位信号为高电平时,控制所述第一偏置单元基于由所述偏置电流产生电路产生的第一静态电流来给所述驱动模块提供偏置电流以使所述钳位电压产生模块产生钳位电压。本申请的钳位电路能够通过仅消耗较小的静态电流输出稳定的钳位电压,降低了整体集成电路的功耗。
  • 集成电路及其电路
  • [发明专利]栅压自举输出开关电路及采样电路-CN201610996881.6有效
  • 李丹;张辉;张辉;王海军 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2016-11-10 - 2023-07-04 - H03M1/00
  • 本发明公开了栅压自举输出开关电路及采样电路,采用短脉冲产生电路、输出开关、自举电路及复位电路组建形成。本发明采用常规的薄栅管作为栅压自举输出开关的输出开关,使得该场效应管通过短脉冲产生电路开启,之后其栅极保持在高阻浮空状态。这种设计相比于现有技术,减小了场效应管的尺寸,进而减小了寄生电容,减小了功耗、提高了速度。同时也避免了传统栅压自举输出开关电路中使用薄栅极电极的场效应管所需的栅极驱动电路,降低了电路复杂度,减小了输入的负载。
  • 输出开关电路采样电路
  • [发明专利]电压基准电路-CN202111615580.1在审
  • 刘炜恒;张辉;李婧;富浩宇;彭传伟;江轩 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - G05F1/567
  • 本发明公开了一种电压基准电路,具体地,电压基准电路通过对负温度系数的非线性电流进行曲率调整,并将调整后的负温度系数的非线性电流进行转换得到正温度系数的非线性电压,从而将正温度系数的非线性电压和非线性的负温度系数电压进行叠加后作为基准电压输出。从而使得电压基准源具有更低的温度系数,并且,电路结构简单易于集成,对于晶体管易受工艺影响以及生产制造偏差等制造问题,可以通过曲率调整和曲率补偿进行修正,使得电路适用的范围更广。
  • 电压基准电路
  • [发明专利]芯片及芯片测试模式进入方法-CN202111616089.0在审
  • 赵犇;杨阳;夏雷;陆云 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - G11C29/56
  • 本发明公开了一种芯片及芯片测试模式进入方法,芯片包括:SDA引脚,用于接收时钟信号并将时钟信号传送至测试功能命令收发模块;SCL引脚,用于接收数据信号并将数据信号传送至测试功能命令收发模块;测试功能命令收发模块,用于接收时钟信号、数据信号,并将时钟信号、数据信号传送至测试模式命令判断模块;测试模式命令判断模块,用于判断数据信号是否为测试模式命令,若是,则控制芯片进入测试模式。本发明通过交换输入SDA引脚、SCL引脚的信号来控制芯片进入测试模式,当向SDA引脚输入时钟信号并向SCL引脚输入数据信号时,芯片进入测试模式,该方法不增加命令的复杂性,降低芯片设计难度;不需要增加新的引脚,减小芯片规模。
  • 芯片测试模式进入方法
  • [发明专利]IGBT器件及其控制方法-CN202111615574.6在审
  • 葛景涛;钟圣荣;钟子期;周东飞;曹荣荣;张贺源 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-27 - 2023-06-30 - H01L29/739
  • 本发明公开一种IGBT器件及其控制方法,器件包括:选取至少一个沟槽栅,并通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第二外部信号输入端,形成第二控制栅极;通过选取在第二控制栅极对应的沟槽栅的一侧或两侧相邻的沟槽栅,通过栅走线将选取出的沟槽栅连接至第一外部信号输入端,形成第一控制栅极;第一控制栅极接收第一控制信号,第二控制栅极接收第二控制信号。本发明通过选取沟槽栅,通过栅走线将选取出的沟槽栅分别连接至两个外部信号输入端,形成第一控制栅极和第二控制栅极;向第一控制栅极和第二控制栅极分别输入第一控制信号和第二控制信号,实现控制器件的导通或关断,减小了开关过程中的dv/dt和di/dt等参数,减小了电磁干扰。
  • igbt器件及其控制方法
  • [发明专利]输入缓冲器及其偏置产生电路-CN202111578840.2在审
  • 袁哲一;张辉;王海军;李丹;毛祚伟;张浩崧 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-22 - 2023-06-27 - G05F3/26
  • 本发明公开了一种输入缓冲器及其偏置产生电路,该偏置产生电路用于向输入缓冲器提供第一偏置电压;偏置产生电路包括第一MOS管和第二MOS管;输入缓冲器包括与第一MOS管对应的第三MOS管和与第二MOS管对应的第四MOS管;输入缓冲器的工作电流与偏置产生电路的输入电流具有固定电流比值,第二MOS管用于输出第一偏置电压至第四MOS管。本发明的偏置产生电路,在输入缓冲器的工作电流、工作电压、生产工艺或工作温度发生变化时,可以基于电流比值对应的调整第一偏置电压的数值,为输入缓冲器提供合适的偏置电压,提高偏置产生电路的抗工艺、抗环境波动能力和灵活性,扩大了偏置产生电路应用范围。
  • 输入缓冲器及其偏置产生电路
  • [发明专利]模数转换器的校准方法、系统、电子设备和介质-CN202111609593.8在审
  • 毛祚伟;张辉;王海军;李丹;张浩松 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-12-24 - 2023-06-27 - H03M1/10
  • 本发明公开了一种模数转换器的校准方法、系统、电子设备和介质,包括:获取模拟输入信号和噪声信号;获取第一数字输出信号;第一数字输出信号为模拟输入信号和噪声信号经过模数转换器作用后转换的信号;获取第二数字输出信号;第二数字输出信号为噪声信号的初始数字输出信号;将第一数字输出信号与第二数字输出信号做差,以得到第三数字输出信号;第三数字输出信号为模拟输入信号对应的数字输出信号;获取第四数字输出信号;第四数字输出信号为噪声信号的理论数字输出信号;基于第二数字输出信号、第三数字输出信号和第四数字输出信号,获取模数转换器的增益误差;根据增益误差,校准第一数字输出信号,从而减少校准资源的消耗,提高校准效率。
  • 转换器校准方法系统电子设备介质
  • [发明专利]电机负载模拟装置以及电机负载模拟系统-CN202111384992.9在审
  • 宋炳秋;柯俊吉;钟圣荣 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-11-22 - 2023-05-23 - G01R31/34
  • 本发明公开了一种电机负载模拟装置以及电机负载模拟系统,所述电机负载模拟装置与待测电机和负载电机电连接,所述待测电机和负载电机传动连接,所述电机负载模拟装置包括电回收模块,所述电回收模块用于回收所述负载电机被带动时产生的电能,所述电回收模块包括分别与所述负载电机的三相输出电连接的三个半桥电路模块,每个所述半桥电路模块分别用于对所述负载电机输出的单相交流电进行整流。通过电回收模块回收负载电机被带动时所产生的电能,实现能量的回收利用,由此降低了电机负载模拟装置的能耗,提高了效率。
  • 电机负载模拟装置以及系统
  • [发明专利]沟槽栅超结MOSFET及其制造方法-CN202111313685.1在审
  • 曹荣荣;钟圣荣;钟子期;周东飞;葛景涛 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-11-08 - 2023-05-09 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种沟槽栅超结MOSFET及其制造方法,其中沟槽栅超结MOSFET包括金属化漏极、第一导电类型半导体掺杂衬底、第一导电类型半导体掺杂漂移区、第二导电类型半导体掺杂柱区等;金属化漏极位于第一导电类型半导体掺杂衬底的背面;超结结构位于第一导电类型半导体掺杂衬底的上方;第二导电类型半导体体区位于超结结构的上方;金属化源极位于沟槽栅超结MOSFET的表面;第二导电类型半导体体区的上表面设置有第二导电类型半导体掺杂接触区。本发明避免了雪崩电流经过寄生BJT,因而寄生BJT不会开启,从而增强了超结MOSFET器件的抗UIS失效能力。
  • 沟槽栅超结mosfet及其制造方法
  • [发明专利]逐次逼近寄存器型模拟数字转换器-CN202111286339.9在审
  • 彭传伟;张辉;富浩宇;李婧;江轩;刘炜恒 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2021-11-02 - 2023-05-05 - H03M1/46
  • 本发明公开了一种逐次逼近寄存器型模拟数字转换器。所述模拟数字转换器包括第一模数转换单元、第二模数转换单元和合并逻辑电路;第一模数转换单元包括第一电容阵列,第二模数转换单元包括第二电容阵列;第一模数转换单元用于在保持相位对输入信号进行衰减并在量化时对第一电容阵列进行置位以得到第一输出信号;第二模数转换单元用于在量化时基于第一输出信号对第二电容阵列进行置位以得到第二输出信号;合并逻辑电路用于合并以得到输出信号。本发明的模拟数字转换器通过第一模数转换单元的置位解决了第二模数转换单元的置位策略,不需要增加第二模数转换单元的功耗和面积,在提升精度的同时节约了功耗和面积,提高了模拟数字转换器的性能。
  • 逐次逼近寄存器模拟数字转换器
  • [发明专利]复位阈值电平可变的上电复位电路-CN201711043141.1有效
  • 张煜彬;李鹏;陈宁;袁文师;罗赛 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2017-10-31 - 2023-04-25 - H03K17/22
  • 本发明公开了一种低功耗高精度的复位阈值电平可变的上电复位电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管、第三三极管和第一复位输出端,其中第一电阻、第二电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一三极管、第二三极管和第三三极管构成类带隙基准结构,通过加入第三电阻后,可调节第一电阻与第三电阻的比值,实现复位阈值电平的改变,另外,可通过调节第一电阻、第二电阻和第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管之间的比值关系实现温度补偿,以保证复位阈值电平的高精度。本发明电路结构简单、占用面积小、功耗低,复位阈值电平可变且精度高,可满足SOC要求。
  • 复位阈值电平可变电路
  • [发明专利]读出数据的比较电路和芯片-CN202211690487.1在审
  • 王鑫;夏雷;傅代军;王立坤;赵犇;陆云;孙蒿岷;王宗尚 - 上海贝岭股份有限公司
  • 2022-12-27 - 2023-04-18 - G11C16/30
  • 本发明公开了一种读出数据的比较电路和芯片,该读出数据的比较电路包括:电流信号输入端用于输入第一电流信号;第一电压信号输入端用于输入低电平信号;第二电压信号输入端用于在进行数据读取操作时,向第一存储管和第二存储管输入偏置电平信号;第一存储管和第二存储管用于存储原始数据,并在对所述原始数据进行读取操作时,向所述控制电路输出与所述偏置电平信号相对应的第二电流信号;控制电路用于将第一电流信号和第二电流信号进行比较,并根据比较结果向外部模块输出目标数据。本发明通过在传统的比较电路上再增加一个存储管,增强了电路在读取数据时的下拉速度,有效提高了低压下的数据读出速度,提高了芯片在低压下的工作频率。
  • 读出数据比较电路芯片

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