[发明专利]包括埋入式栅极的半导体器件、组件和系统及制造方法有效
| 申请号： | 201310203798.5 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103681784B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张太洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/314;G11C8/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开包括埋入式栅极的半导体器件、组件和系统及制造方法。该半导体器件包括：凹陷部，其形成于有源区中；栅极，其埋入于所述凹陷部的下部中；第一覆盖绝缘膜，其形成于所述栅极上；第二覆盖绝缘膜，其形成于所述第一覆盖绝缘膜上；以及第三覆盖绝缘膜，其形成于所述第二覆盖绝缘膜上。在包括埋入式栅极的半导体器件中，可以通过减小形成于埋入式栅极上的覆盖绝缘膜中的氮化物膜体积来减小氮化物膜所引起的机械应力，并且调整了氮化物膜的硅对氮的比例，从而减小机械应力，进而改善了半导体器件的操作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 埋入 栅极 半导体器件 组件 系统 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成限定有源区的器件隔离膜；形成位于所述有源区中的凹陷部；在所述凹陷部的下部形成栅极；在所述栅极上形成第一氮化物膜；将氮离子注入所述第一氮化物膜中以将所述第一氮化物膜转换成第一富氮氮化物膜；对所述第一富氮氮化物膜进行氧化工序以将所述第一富氮氮化物膜的顶部转换成氧化物膜；在所述氧化物膜上形成第二氮化物膜；以及将氮离子注入所述第二氮化物膜中以将所述第二氮化物膜转换成第二富氮氮化物膜。
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