[发明专利]晶体管结构有效
| 申请号： | 201810123483.2 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120414B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 陈彦铭;李久龄;蔡明轩;李秋德;王智充 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管结构，包括基底、晶体管元件、分离式埋入层与第二埋入层。基底具有元件区。晶体管元件位于元件区中。分离式埋入层位于晶体管元件下方的基底中，且包括彼此分离的多个第一埋入层。第二埋入层位于分离式埋入层下方的基底中，且连接多个第一埋入层。第二埋入层与分离式埋入层具有第一导电型。上述晶体管结构可具有较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：基底，具有元件区；晶体管元件，位于所述元件区中；分离式埋入层，位于所述晶体管元件下方的所述基底中，且包括彼此分离的多个第一埋入层；以及第二埋入层，位于所述分离式埋入层下方的所述基底中，且连接所述多个第一埋入层，其中所述第二埋入层与所述分离式埋入层具有第一导电型。
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