[发明专利]集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法有效
| 申请号： | 201310035409.2 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103227145A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | E·T·瑞安;张洵渊 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的工艺，以及一种用于使埋入铜互连凹进集成电路的层间介电衬底内部的工艺。在具体实施例中，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的方法包括：提供有埋入铜特征配置于其中的衬底。该埋入铜特征有暴露表面以及该衬底有与该埋入铜特征的该暴露表面毗邻的衬底表面。该埋入铜特征的该暴露表面经氮化成可在该埋入铜特征中形成一层氮化铜。从该埋入铜特征选择性蚀刻氮化铜，使该埋入铜特征凹进该衬底内部。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 以及 用于 处理 具有 埋入 特征 方法 | ||
【主权项】：
一种使埋入铜特征凹进衬底内部的工艺，该工艺包含：提供具有埋入铜特征配置于其中的衬底，该埋入铜特征具有暴露表面而且该衬底有与该埋入铜特征的该暴露表面毗邻的衬底表面；氮化该埋入铜特征的该暴露表面，以在该埋入铜特征中形成一层氮化铜；从该埋入铜特征选择性蚀刻该层氮化铜，使该埋入铜特征凹进该衬底内部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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