[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201280023455.4 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103548144A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 穗永美纱子;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 栅电极（50）包括：与栅极绝缘膜（41）接触的多晶硅膜（51）；设置在多晶硅膜（51）上的阻挡膜（52）；以及设置在阻挡膜（52）上且由高熔点金属构成的金属膜（53）。层间绝缘膜（42）被设置为覆盖栅极绝缘膜（41）以及设置在栅极绝缘膜（41）上的栅电极（50）。此外，层间绝缘膜（42）具有衬底接触孔（SH），通过衬底接触孔（SH）在与栅极绝缘膜（41）接触的区域中部分地暴露碳化硅衬底（30）。互连（71）经由衬底接触孔（SH）电连接碳化硅衬底（30），并且借助层间绝缘膜（42）与栅电极（50）电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件（101‑103），包括：碳化硅衬底（30,30V）；栅极绝缘膜（41），所述栅极绝缘膜（41）被设置在所述碳化硅衬底上；以及栅电极（50），所述栅电极（50）被设置在所述栅极绝缘膜上，所述栅电极包括与所述栅极绝缘膜接触的多晶硅膜（51）、设置在所述多晶硅膜上的阻挡膜（52）以及设置在所述阻挡膜上且由难熔金属制成的金属膜（53）；层间绝缘膜（42），所述层间绝缘膜（42）被布置为覆盖所述栅极绝缘膜以及设置在所述栅极绝缘膜上的所述栅电极，并且具有衬底接触孔（SH），所述衬底接触孔（SH）在与所述栅极绝缘膜接触的区域中部分地暴露所述碳化硅衬底；以及互连（71），所述互连（71）通过所述衬底接触孔电连接到所述碳化硅衬底，并且通过所述层间绝缘膜与所述栅电极电绝缘。
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