[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210333081.8 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681840A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;梁擎擎;钟汇才;尹海洲;骆志炯;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一示例，半导体器件可以包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层；半导体基体，位于半导体层上，所述半导体基体包括延伸穿过该半导体基体的空腔；源极和漏极，在半导体层上形成，且分别接于半导体基体的相对的第一侧面和第二侧面；栅极，分别接于半导体基体的相对的第三侧面和第四侧面。
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