[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210293525.X | 申请日： | 2012-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103594496B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马小龙;殷华湘;付作振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L29/739;H01L21/268;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、衬底中源漏区之间的沟道区，其特征在于：源漏区中的源区包括GeSn合金，并且源区的GeSn合金与沟道区之间可选地还包括隧穿介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过选择性外延或者注入前驱物然后激光快速退火，形成了具有窄带隙的GeSn合金，有效提高了TFET的开态电流，在高性能低功耗应用中具有重要应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构一侧的衬底中形成漏区；在栅极堆叠结构另一侧的衬底中注入包含Ge的第一前驱物，注入包含Sn的第二前驱物，形成前驱物掺杂区；在前驱物掺杂区上形成低温保护层，沉积温度低于400℃以避免Ge与Sn提前反应；激光快速退火，使得第一和第二前驱物反应形成GeSn合金，构成源区。
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