[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110165239.0 | 申请日： | 2011-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842595A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;李春龙;赵超;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的第一有源区层和第二有源区层，其特征在于，所述第一有源区层和/或第二有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。此外，不同于已有的STI制造工序，本发明先形成STI后填充形成有源区，避免了STI中出现孔洞的问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底、形成在衬底上的绝缘隔离层、形成在所述绝缘隔离层中的第一有源区层和第二有源区层，其特征在于，所述第一有源区层和/或第二有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率。
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