[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080003308.1 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102725849A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 穗永美纱子;原田真 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种碳化硅半导体器件(1)，所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12)，其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，其形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)。在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm-3，并且所述半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与<-2110>方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。还提供了一种碳化硅半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件(1)，包括：半导体层(12)，所述半导体层(12)由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，该沟槽(20)具有由相对于{0001}面以不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧壁(19)；以及绝缘膜(13)，所述绝缘膜(13)被形成为接触所述沟槽(20)的所述侧壁(19)，在从所述沟槽(20)的所述侧壁(19)与所述绝缘膜(13)之间的界面起10nm内的区域中的氮浓度的最大值不小于1×1021cm‑3，并且所述碳化硅半导体器件具有在所述沟槽(20)的所述侧壁(19)内的、相对于与<‑2110>方向正交的方向±10°的范围内的沟道方向。
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