[发明专利]用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路有效
| 申请号： | 200780034918.6 | 申请日： | 2007-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN101517743A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·S·卡拉夫特;哈姆扎·伊尔马兹;史蒂文·萨普 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/68 | 分类号： | H01L29/68 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟 锐 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种用于功率MOSFET的静电放电(ESD)保护网络，其包含含有多晶硅齐纳二极管及电阻器的并联分支，所述保护网络用于保护栅极免遭由ESD引起的高电压所引起的爆裂。所述分支可具有供电压跨越栅极区行进到半导体衬底中的同一或独立路径。具体来说，次级分支具有比初级分支高的击穿电压，使得跨越所述保护网络的两个分支来共享所述电压。装置的ESD保护网络在不增加裸片上所使用空间的情况下提供更有效的设计。所述ESD保护网络也可与其它有源及无源装置(例如晶闸管、绝缘栅极双极晶体管及双极结晶体管)一起使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 集成电路 递减 电压 多晶 二极管 静电 放电 | ||
【主权项】：
1、一种输入保护电路，其用于离散功率半导体装置或集成到较大电路中的功率半导体装置，所述输入保护电路包括：输入端子、参考端子及输出端子，其用于连接到受保护的功率半导体装置；第一分支，其耦合于所述输入端子与所述参考端子之间，所述第一分支包括具有第一击穿电压的至少一对背对背齐纳二极管；及一个或一个以上其它分支，其耦合于所述输出端子与所述参考端子之间，每一其它分支包括具有另一击穿电压的至少一对背对背齐纳二极管，其中所述其它击穿电压等于或大于所述第一击穿电压。
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