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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310088999.9在审
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H·韦伯
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英飞凌科技奥地利有限公司
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2023-01-29
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2023-07-28
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H01L21/764
- 公开了一种用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括：在SiC半导体本体的内部区和边缘区中形成具有多个沟槽的沟槽结构，使得沟槽结构从半导体本体的第一表面穿过第二半导体层延伸到第一半导体层中，并且使得沟槽结构在第二半导体层中形成多个台面区；以及至少部分地在内部区中的台面区中的每一个中形成至少一个晶体管单元。形成每个晶体管单元包括形成至少一个补偿区，形成至少一个补偿区包括经由沟槽的侧壁将第二掺杂类型的掺杂剂原子注入到内部区中的台面区中，并且在内部区中的台面区的每一个中形成至少一个补偿区包括用注入掩模至少部分地覆盖边缘区。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]用于制造埋层层结构的方法和相应的埋层层结构-CN202180072460.3在审
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H·韦伯;M·施瓦茨
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罗伯特·博世有限公司
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2021-10-25
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2023-06-27
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H01L21/763
- 本发明提出一种用于制造埋层层结构的方法和一种相应的埋层层结构。所述方法具有步骤：提供由衬底材料构成的、第一导电类型(n)的单晶衬底(S)，所述单晶衬底具有上侧(O)和下侧(S)；在所述上侧(O)中或者在所述单晶衬底(S)的上侧(O)上的框架结构(MS)中形成至少一个凹陷部(V)，所述凹陷部具有至少一个壁区域(W)和底部(B)，其中，所述单晶衬底(S)至少在所述至少一个凹陷部(V)的底部(B)处裸露；在所述至少一个凹陷部(V)和所述至少一个凹陷部(V)的外围区域中形成由所述衬底材料构成的、第二导电类型(p)的第一层(P1)，所述第二导电类型的第一层至少在所述单晶衬底(S)的裸露的上侧(O)上在所述凹陷部(V)的底部(B)处单晶地形成；在所述第二导电类型(p)的第一层(P1)上外延生长由所述衬底材料构成的、所述第一导电类型(n)的至少一个第一层(N1)，所述第一导电类型的至少一个第一层在所述第一层(P1)的单晶区域上单晶地生长，以至少区域式地填充所述凹陷部(V)；将得到的结构背面减薄，从而所述第二导电类型(p)的第一层(P1)形成第一埋层并且所述第一导电类型(n)的第一层(N1)形成集成式电路元件(SE1)的第一形成区域，所述第一形成区域至少区域式地盆形地被所述第一埋层层结构包围。
- 用于制造层层结构方法相应
- [发明专利]微机械构件和用于传感器或麦克风装置的微机械构件的制造方法-CN202180061571.4在审
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P·施莫尔林格鲁贝尔;T·弗里德里希;H·韦伯;A·朔伊尔勒
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罗伯特·博世有限公司
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2021-08-18
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2023-06-09
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B81B3/00
- 本发明涉及一种用于传感器装置或麦克风装置的微机械构件，其中，第一电极结构(10)的电极表面(10a)朝向第二电极结构(12)定向；其中，所述第一电极结构(10)的至少一个部分结构(10b)完全由至少一种导电材料形成，并且所述第一电极结构(10)的电极表面(10a)和所述第一电极结构(10)的远离所述电极表面(10a)指向的相对表面(10c)是所述部分结构(10b)的外表面；其中，在所述第一电极结构(10)上构造出在所述电极表面(10a)上朝着所述第二电极结构(12)的方向突出的至少一个止挡结构(14)，并且其中，所述第一电极结构(10)包括由至少一种电绝缘材料形成的至少一个绝缘区域(16)，所述绝缘区域相应地至少从所述电极表面(10a)延伸至少直至所述第一电极结构(10)的所述相对表面(10c)，其中，所述至少一个止挡结构(14)或者构造为所述至少一个绝缘区域(16)的、在所述电极表面(10a)上朝着所述第二电极结构(12)的方向突出的突起部(16a)或者相应地被所述至少一个绝缘区域(16)框住。
- 微机构件用于传感器麦克风装置制造方法
- [发明专利]感应式位置传感器-CN202180041871.6在审
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J·诺德霍恩;F·乌特穆尔勒;S·塔默;H·韦伯
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海拉有限双合股份公司
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2021-05-26
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2023-04-04
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G01D5/20
- 本发明涉及一种感应式位置传感器(1)、特别是用于机动车的感应式位置传感器，包括第一定子元件，所述第一定子元件具有施加有周期性的交变电压的第一励磁线圈(101)以及具有第一接收系统(100)，第一励磁线圈(101)的信号感应耦入到第一接收系统(100)中；包括第一转子元件(200)，所述第一转子元件根据其相对于第一定子元件的角位置影响在第一励磁线圈(101)和第一接收系统(100)之间的感应耦合的强度；包括金属元件(201)，所述金属元件(201)和所述第一转子元件(200)抗扭地布置在轴(300)上；包括评估电路，所述评估电路用于由在第一接收系统中感应出的电压信号确定第一转子元件(200)相对于第一定子元件的角位置；其特征在于，所述第一转子元件(200)和所述金属元件(201)分别构造为具有周期性的几何结构的导体回路，并且第一转子元件(200)与金属元件(201)的周期成预定的整数比。
- 感应位置传感器
- [发明专利]微机械压力传感器设备和相应的制造方法-CN201980045962.X有效
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P·施莫尔林格鲁贝尔;H·韦伯
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罗伯特·博世有限公司
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2019-06-28
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2023-03-28
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H01L29/84
- 本发明涉及一种微机械压力传感器设备和一种相应的制造方法。微机械压力传感器设备配备有：传感器衬底(SS)；锚固在所述传感器衬底(SS)中的膜片组件，该膜片组件具有第一膜片(M1)和与该第一膜片间隔开的第二膜片(M2)，它们在边缘区域(R；R”)中环绕地相互连接并且在形成在它们之间的内部空间(IR)中包含参考压力(P0)；和悬挂在所述内部空间(IR)中的板形的中央电极(E1)，该中央电极相对于所述第一膜片(M1)并且相对于所述第二膜片(M2)间隔开地布置，并且该中央电极与所述第一膜片(M1)形成第一电容并且与所述第二膜片(M2)形成第二电容。所述第一膜片(M1)和所述第二膜片(M1)构型成，使得它们能够在加载以外部压力(PA；PA、PA’)时朝向彼此变形。
- 微机压力传感器设备相应制造方法
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