[发明专利]双极结型晶体管布局在审
| 申请号： | 201610555184.7 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106409892A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡汉旻;黄崎峰;陈家忠;梁其翔;李孝纯;周硕君;傅淑芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/423;H01L29/417;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双极结型晶体管包括发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 布局 | ||
【主权项】：
一种双极结型晶体管(BJT)，包括：发射极；基极接触件，包括两个基极指状件，所述两个基极指状件形成角部以接收所述发射极；集电极，包括两个集电极指状件，所述两个集电极指状件沿着所述基极接触件的基极指状件延伸；浅沟槽隔离件，设置在所述发射极和所述基极接触件之间，以及所述基极接触件和所述集电极之间。
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- 一种在SiGe BiCMOS工艺中寄生的PNP管及其制造方法-201310164260.8
- 徐炯 - 上海华力微电子有限公司
- 2013-05-07 - 2013-08-14 - H01L29/735
- 本发明涉及微电子领域，尤其涉及一种在SiGe BiCMOS工艺中寄生的PNP管及其制造方法，包括一P型衬底，所述P型衬底之上形成有一N型外延层，并在所述外延层和衬底之间包含一N型掩埋层，所述掩埋层形成于衬底顶部的局部区域和外延层底部的局部区域；所述外延层中形成有一个所述远离掩埋层的P型阱区。本发明通过在CMOS工艺和HBT（NPN）工艺进行的同时在寄生的PNP横向晶体管打开阱区和发射区，简化了工艺流程，同时在本发明形成PNP管成的阱区与掩埋层相隔离，提高了PNP晶体管的电流放大和频率特型，降低了PNP晶体管的尺寸，提升了生产工艺，降低了生产成本。
- 带有多个外延层的横向PNP双极晶体管-201210342210.X
- 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;弗兰茨娃·赫尔伯特 - 万国半导体股份有限公司
- 2012-09-17 - 2013-04-03 - H01L29/735
- 本发明涉及一种带有多个外延层的横向PNP双极晶体管，具体是指利用相同导电类型的多外延层，制备带有深发射极和深集电极区的横向双极晶体管。无需使用沟槽，就能制备深发射极和深集电极区。在每个外延层中，制备垂直对准的扩散区，使扩散区在退火后，合并到连续的扩散区中，作为发射极或集电极或隔离结构。在另一个实施例中，利用沟槽发射极和沟槽集电极区，制备横向沟槽PNP双极晶体管。在另一个实施例中，制备合并了LDMOS晶体管的横向PNP双极晶体管，以获得高性能。
- 锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件-201010288776.X
- 刘冬华;钱文生;季伟 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-09-21 - 2012-04-11 - H01L29/735
- 本发明公开了一种锗硅HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，形成于P型硅衬底上的N型深阱中。基区形成于第一有源区中，集电区形成于第一有源区左右两侧的第一邻近有源区中，基区和集电区都延伸到各相邻的浅槽场氧底部中并在两者之间的浅槽场氧底部形成接触。在集电区外侧的浅槽场氧底部形成有N型赝埋层，N型赝埋层和集电区相隔一横向距离、通过N型深阱和基区相连接，通过在N型赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出基极。形成于基区顶部的P型锗硅外延层组成发射区。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，无须额外的工艺条件即可实现为电路提供多一种器件选择，能有效缩小器件面积、提高器件的性能。
- SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件及制造方法-201010251571.4
- 钱文生;刘冬华;段文婷 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2010-08-12 - 2012-03-14 - H01L29/735
- 本发明公开了一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，有源区由浅槽场氧隔离，包括：一基区、一N型埋层、一发射区、一集电区。基区的纵向深度大于浅槽场氧底部的深度且基区在横向上覆盖了至少两个相邻的有源区。N型埋层形成于和基区相邻的浅槽场氧的底部并和基区形成接触并通过在N型埋层顶部的浅槽场氧中做深孔接触引出基极。发射区和集电区分别由形成于基区所覆盖的不同有源区上的P型锗硅外延层组成。本发明还公开了一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件的制造方法。本发明能用作高速、高增益HBT电路中的输出器件，无须额外的工艺条件即可实现为电路提供多一种器件选择。
- 一种横向双极晶体管及其制作方法-201010107818.5
- 盛国兴 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2010-12-17 - 2011-03-16 - H01L29/735
- 本发明公开了一种横向双极晶体管及其制作工艺，发射极和集电极位于晶体管表面，基极位于晶体管背面。由此带来的好处是：1、缓解了击穿电压与工作电流的矛盾，可以提高器件的工作频率与带宽、输出功率、线性功率；2、散热面积大大增加，器件散热性能得到极大改善。同时，集电极移到表面后芯片可以直接烧结在铜底座上，这样进一步提高了散热性能，同时还大大降低了管壳的成本；3、共基极应用时，由于本技术背面是基极，可以省去金丝引线，从而把引线电感对器件频率、功率、稳定性的不利影响减到极小；4、散热的改善也大大提高了器件的可靠性和抗失配能力。
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