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[实用新型]一种载流子隔离的高压半导体器件-CN202221416394.5有效
发明人：张桥;刘鹏;颜家圣;黄智;刘晓;吕晨襄 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本实用新型的名称是一种载流子隔离的高压半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决2个或多个半导体器件集成在同一晶片上时存在挖槽工艺或浓度较难掌握、更高电压时易出现换向失败的问题。它的主要特征是：包括2个或多个半导体器件集成在同一半导体晶片上的高压半导体器件，所述2个或多个半导体器件之间设有隔离区；所述的隔离区宽度为基区载流子扩散长度的5.0～20倍；在所述隔离区内按0.60～0.92倍隔离区宽度设置少子寿命隔离区，少子寿命隔离区内的少子寿命为隔离区其它区域少子寿命的15%～40%。本实用新型具有提高器件间参数均匀性和隔离效果一致性的特点，主要应用于高压双向晶闸管、逆导晶闸管、IGCT等半导体器件。
一种载流子隔离高压半导体器件

[实用新型]一种低功耗快速晶闸管-CN202220943524.4有效
发明人：张桥;颜家圣;肖彦;刘鹏;黄智;吕晨襄 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型的名称是一种低功耗快速晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有结构的快速晶闸管存在通态压降VTM高于1.8V以上的问题。它的主要特征是：中心门极所在的P2短基区表面、放大门极各内指条之间的P2短基区表面和放大门极径向外侧的P2短基区表面设有阴极区P+层，分别构成中心门极P+区、放大门极内指条间P+区和短路环区，阴极区P+层的结深6‑20μm；阳极所在的P1阳极区表面设有结深8‑20μm的阳极区P+层；P1阳极区结深40‑100μm，P2短基区结深70‑100μm，阴极区N+结深16‑25μm。本实用新型具有降低高电压晶闸管器件压降、缩短器件关断时间的特点，主要应用于大功率脉冲电源、大功率串联逆变电源、高压直流断路器等装置。
一种功耗快速晶闸管

[实用新型]一种螺栓型二极管测试装置-CN202220928685.6有效
发明人：汝严;吕晨襄;任丽;李靖宇;沈毅;雷波 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型的名称是一种螺栓型二极管测试装置。属于功率半导体器件测试技术领域。主要是解决现有螺栓型二极管在生产过程中测试存在测试效率不高和不便定位的问题。它的主要特征是：该装置由阳极底座和阴极底座构成；其中，所述阳极底座包括阳极底座绝缘板，所述阳极底座绝缘板开设有与待测螺栓型二极管配合的阳极底座挖槽，并设有阳极引线；所述阴极底座包括阴极底座绝缘板，所述阴极底座绝缘板开设有与待测螺栓型二极管配合的阴极底座挖槽，并设有阴极引线。本实用新型具有结构简单、操作方便、便于定位、测试效率高和可过载高压及大电流的特点，主要用于半导体功率器件生产中对螺栓型二极管的电流、电压测试。
一种螺栓二极管测试装置

[实用新型]一种高压快软恢复二极管-CN201920759144.3有效
发明人：张桥;颜家圣;周霖;黄智;刘鹏;肖彦;刘磊;吕晨襄 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P+块或阳极P+区、阳极P区、长基区N、阴极N+环、阴极P+块和阴极N+块组成；所述阳极P+块或阳极P+区分布在阳极P区表面，阳极P+块或阳极P+区与阳极P+块或阳极P+区之间的阳极P区构成阳极区；所述阴极N+块在长基区N表面间隔分布，阴极P+块位于阴极N+块之间，阴极P+块与阴极N+块之间由长基区N隔离。本实用新型具有更高的反向阻断电压、更短的反向恢复时间和改善二极管软度因子的特点，主要应用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反向续流。
一种高压恢复二极管

[发明专利]一种高压快软恢复二极管-CN201910439983.1在审
发明人：张桥;颜家圣;周霖;黄智;刘鹏;肖彦;刘磊;吕晨襄 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明名称为一种高压快软恢复二极管。属于高压半导体二极管设计和制造技术领域。它主要是解决现有高压二极管不能满足高压4000V以上高压半导体器件反向续流要求的问题。它的主要特征是：所述半导体晶片由阳极P⁺块或阳极P⁺区、阳极P区、长基区N、阴极N⁺环、阴极P⁺块和阴极N⁺块组成；所述阳极P⁺块或阳极P⁺区分布在阳极P区表面，阳极P⁺块或阳极P⁺区与阳极P⁺块或阳极P⁺区之间的阳极P区构成阳极区；所述阴极N⁺块在长基区N表面间隔分布，阴极P⁺块位于阴极N⁺块之间，阴极P⁺块与阴极N⁺块之间由长基区N隔离。本发明具有更高的反向阻断电压、更短的反向恢复时间和改善二极管软度因子的特点，主要应用于IGBT、IGCT、IEGT等器件的反向续流。
阴极阳极阳极P区长基区恢复二极管续流高压半导体器件半导体二极管反向阻断电压半导体晶片高压二极管设计和制造表面间隔反向恢复二极管阳极区软度隔离应用

[实用新型]一种自对准功率半导体芯片测试夹具-CN201621197593.6有效
发明人：刘鹏;汝严;徐娇玉;李娴;肖彦;任丽;吕晨襄;万小微 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型的名称是一种自对准功率半导体芯片测试夹具。属于功率半导体器件测试技术领域。它主要是解决现有测试操作过程繁琐、效率低、易造成芯片测试数据偏差和芯片外观划伤及损坏的问题。它的主要特征是上夹具由阴极板、定位弹簧、导向套、阴极压块、阴极取样探头和中心门极取样探头组成；定位弹簧、阴极压块的上端固定在阴极板上，下端位于导向套内并与导向套固定连接；阴极取样探头和中心门极取样探头安装在阴极压块上；所述下夹具由承片盘和阳极取样探头组成；所述承片盘与导向套之间设有配合的芯片定位凹槽、定位凸台。本实用新型具有芯片对准更换方便、附加压降小、测试操作简单和使用效率高的特点，主要用于功率半导体器件芯片测试。
一种对准功率半导体芯片测试夹具

[实用新型]一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件-CN201520913208.2有效
发明人：刘鹏;杨成标;任丽;汝严;徐娇玉;黄俊;吕晨襄 -专利权人：湖北台基半导体股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/049 文献下载
摘要：本实用新型的名称为一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有凸台式管壳功率半导体器件存在装配难度大、装配失误极易使芯片受力不均而失效和不利于器件及组件小型化的问题。它的主要特征是：包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层、固定薄膜、芯片、压块、阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏；所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面；下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜，表面镀有镍层。本实用新型具有厚度薄、重量轻、且安装简便、封装安全的特点，主要用于各类晶闸管和整流管等功率半导体器件。
一种管壳封装功率半导体器件

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