[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列在审

申请号：	201910604106.5	申请日：	2019-07-05
公开（公告）号：	CN110311009A	公开（公告）日：	2019-10-08
发明（设计）人：	叶荣辉	申请（专利权）人：	四川美阔电子科技有限公司
主分类号：	H01L31/11	分类号：	H01L31/11;H01L31/0352;H01L27/144
代理公司：	成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220	代理人：	刘沙粒
地址：	629000 四川省遂宁市经济技术开发区玉龙***	国省代码：	四川;51
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摘要：	本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。
搜索关键词：	基极区发射极区光电晶体集电极区垂直投影位置光电晶体阵列崩溃电压光灵敏度频率响应集电极隔开掺杂
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【主权项】：

1.一种光电晶体，其特征在于，包括：集电极区，连接有集电极；基极区，连接有基极，所述基极区设置在集电极区内，其中所述基极区包括第一基极区和第二基极区；发射极区，连接有发射极，所述发射极区设置在基极区内，其中所述第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，所述第二基极区设置在发射极区的周围，其中所述第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度。

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摘要：本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。

一种基于肖特基-MOS混合结构的光致负阻器件-201711295008.5
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摘要：本发明涉及半导体紫外光电探测器的技术领域，更具体地，涉及一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器及其制备方法。一种AlGaN基日盲紫外雪崩异质结光电晶体管探测器，其中，包括衬底，利用金属有机化学气相沉积外延外生长法（或分子束外延生长法），依次在衬底上生长的非故意掺杂低温AlN缓冲层，非故意掺杂高温AlN缓冲层，非故意掺杂Al_mGa_1‑mN窗口层，n型Al_mGa_1‑mN层，n型Al_nGa_1‑nN组分缓变层，非故意掺杂Al_aGa_1‑aN吸收倍增层，非故意掺杂Al_bGa_1‑bN吸收倍增层，非故意掺杂Al_cGa_1‑cN吸收倍增层,Mg掺杂p型Al_xGa_1‑xN层，非故意掺杂Al_xGa_1‑xN层,n型Al_yGa_1‑yN组分缓变层和n型Al_zGa_1‑zN层，以及最后利用器件工艺沉积得到的n型欧姆接触电极。

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摘要：本发明公开了一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，采用SOI衬底替换Si衬底。该探测器包括一SOI衬底，由下层Si层和SiO₂层构成；在SOI衬底上依次制备出一Si次集电区、一Si集电区、一SiGe基区和一多晶Si发射区。因为Si材料和SiO₂材料折射率不同产生的折射率差，Si/SiO₂界面会形成一个反射镜，入射光到达SOI衬底中Si/SiO₂界面后会被反射而再次吸收，提高吸收效率；此外，SOI衬底中的SiO₂层的存在可以隔离衬底下层Si中产生的慢载流子并降低器件的寄生电容，从而提高工作速度。将光电探测器制作在SOI衬底上可以实现高速高效的光探测。

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摘要：本发明涉及一种基于Ga₂O₃/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长同质外延层形成集电区；在所述同质外延层表面生长异质外延层并刻蚀形成基区；在所述异质外延层表面生长β‑Ga₂O₃材料并刻蚀形成发射区；在所述集电区表面生长第一金属材料形成集电极；在所述发射区表面生长第二金属材料形成发射极以最终形成所述光电NPN晶体管。本发明的NPN晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力，从而进一步提高SiC基光电晶体管的器件性能以及器件可靠性。

侧栅场效应晶体管太赫兹探测器及其制备方法-201811559379.4
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摘要：本发明公开了一种侧栅场效应晶体管太赫兹探测器，包括：衬底；台面，由将生长在衬底上的有源层刻蚀后形成，或者由在衬底上生长有源层后，刻蚀部分衬底和有源层后形成；栅极，设置位于台面两侧，与台面形成肖特基接触；源极和漏极，设置位于台面另外两侧，与台面形成欧姆接触。本发明采用侧栅晶体管器件结构设计，能够大幅度减少沟道内的杂散模式，从而提高晶体管太赫兹探测器的共振响应特性。

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申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，包括衬底、生长在衬底上的发射区、生长在发射区上的基区、生长在基区上的集电区，其特征在于：所述发射区为P型InP，所述基区为N型InGaAs，所述集电区为P型InGaAs，通过调整所述发射区、基区、集电区的厚度和掺杂浓度来优化所述光电晶体管的工作电压和光响应度。本发明的InGaAs‑InP基异质结光电晶体管，能够探测波长1550nm的红外光，且在0.5V工作电压、20μW/cm²的入射光功率下光响应度能够达到378A/W。

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摘要：本实用新型公开了一种便于连接的集成三极管，包括箱体、引脚、卡扣、散热孔、控制按钮、限位块、复位弹簧、梯形块、收纳槽、连接杆、连接板、芯片、第一冷却箱、第二冷却箱、连接管、水泵、第一导管、冷却管、第二导管和散热板，所述芯片的底部通过焊接对应安装有引脚，所述收纳槽的内部通过复位弹簧安装有卡扣，所述限位块的一侧与梯形块连接，所述箱体的内部安装有第一冷却箱，所述第一冷却箱的一侧通过连接管与第二冷却箱连接，所述第二冷却箱的内部通过螺栓安装有水泵，所述水泵的一侧通过焊接安装有第一导管，所述第一导管的顶部与冷却管连接，所述冷却管的一侧与第二导管连接，该集成三极管，具有散热、便于安装和拆卸的功能。

一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件-201721639987.7
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申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本实用新型公开了一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本实用新型在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本实用新型适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。

一种三族氮化物基双异质结光电晶体管-201610095411.2
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摘要：一种三族氮化物基双异质结光电晶体管，属于半导体器件技术领域。一种三族氮化物基双异质结光电晶体管及其制备方法，包括衬底及生长于衬底之上的外延层，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层或过渡层，施主重掺杂欧姆接触层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂层，较大禁带宽度材料的非故意掺杂层，受主掺杂层，非故意掺杂光吸收层，合金组分渐变层，较大禁带宽度材料的施主掺杂窗口层。本发明采用集电区上置结构，并采用禁带宽度较光吸收层大的三族氮化物多元合金材料作为入射光的窗口层，提高量子效率，增加光生空穴数量，从而提高器件的光电增益；在下置的发射区中采用反向异质结作为发射结，并导入较大禁带宽度材料的非故意掺杂层作为受主掺杂扩散阻挡层及基区‑发射区异质界面能带凹陷补偿层，提高晶体管电子注入效率。本发明具有光电增益高、器件性能稳定等特点。

一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法-201610875047.1
发明人：刘宗贺;邹有彪;王泗禹 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开一种高灵敏度光敏三极管，包括基区、发射区、发射极金属区、高阻区、钝化区，所述基区由多个独立基区组成，所述独立基区构成元胞状结构，所述发射区位于独立基区内，所述发射极金属区独立位于所述发射区内，相连的所述发射极金属区形成光敏三极管的发射极E，所述高阻区位于相互独立基区之间，所述钝化区位于独立基区之间的高阻区上。本发明中高阻区处于耗尽状态时能够能承受更高的耐压，使得击穿电压能够达到70V以上而不受光敏三极管电流放大倍数和工艺的限制；同时光敏三极管的基区由多个独立的基区构成，且受光区位于基区和高阻区表面，具有更高的光吸收效率，对微弱的光能够产生响应，具有光灵敏度高的特点。

一种双通道宽光谱探测器及其制备方法-201610518156.8
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申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种双通道宽光谱探测器及其制备方法，该双通道宽光谱探测器包括衬底和台体结构，所述台体结构包括依次层叠于衬底上的下电极接触层、第一吸收层、中电极接触层、隔离层、第二吸收层、上电极接触层，其中，在上电极接触层顶部形成上台面，在中电极接触层形成有中台面，在下电极接触层形成有下台面，上电极、中电极和底电极，分别设置于上台面、中台面和下台面上，分别与上电极接触层、中电极接触层上电极接触层电连接，该双通道宽光谱探测器可以用于宽光谱探测。

一种新型结构的单光子探测器-201410293761.0
发明人：王广龙;董宇;倪海桥;牛智川;高凤岐;乔中涛 -专利权人：中国人民解放军军械工程学院;中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明提供一种新型结构的单光子探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，并在双势垒结构上方依次外延生长隔离层、n+‑i‑p+倍增区和吸收层。探测器工作时加正向偏压，单光子从集电极入射，并在吸收层产生光生电子‑空穴对，光生空穴在电场作用下进入倍增区获得倍增，并在隔离层累积，进而改变双势垒两侧的电势，增大了隧穿电流。本发明采用n+‑i‑p+倍增区的设计方案，通过调节n+层和p+层的厚度及掺杂浓度，能够有效地调节倍增区内部的电场强度，从而达到对倍增区倍增倍数的灵活控制。通过加入倍增区，有效地提高了探测器的峰值电流。与未添加倍增区的单光子探测器相比，其工作温度可以大幅提高。

基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法-201410036906.9
发明人：樊英民;钟海舰;刘争晖;徐耿钊;黄增立;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明提供一种基于声表面波增强的紫外探测器及其制备方法，所述基于声表面波增强的紫外探测器包括半导体衬底及设置于半导体衬底表面的两个背对背的肖特基电极，所述两个背对背的肖特基电极用于收集光生载流子并形成电信号输出，还包括设置于半导体衬底表面的叉指换能器，所述叉指换能器用于激励声表面波，以实现声表面波对光生载流子的输运。本发明的优点在于，采用声表面波实现俘获和定向输运光生载流子，可将远处的光生载流子传送至肖特基电极结构内建电场区域，可减小光生载流子的复合，提高光电转换效率，实现高灵敏度的紫外探测功能。

双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法-201510639610.0
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申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L31/11
摘要：双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。

平面双面电极模拟光电探测器芯片-201610038658.0
发明人：王建 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明提出了一种平面双面电极模拟光电探测器芯片，包括正负极焊盘；外延片，设置在所述正负极焊盘上，所述外延片包括S半绝缘型InP半导体衬底、在所述S半绝缘型InP半导体衬底上依序生成的缓冲层、吸收层、过渡层、顶层，以及在所述吸收层、所述过渡层与所述顶层中形成掺杂光敏区和在所述过渡层与所述顶层中形成限制沟；钝化膜层，形成在所述顶层、所述掺杂光敏区和所述限制沟上；增透过渡薄膜层，形成在所述钝化膜层上；n型电极金属层，形成在所述外延片的背面；P型电极金属层，形成在所述增透过渡薄膜层与所述掺杂光敏区的部分表面上。如此，可以有效地降低模拟光电探测器芯片的失真，同时提高模拟光电探测器芯片的带宽、成品率和可靠性。

Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法-201611124462.X
发明人：元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明涉及一种Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法。该方法包括选取SiC衬底；分别生长P型SiC同质外延层形成集电区；在P型SiC同质外延层表面生长N型SiC同质外延层；在N型SiC同质外延层表面生长P型β‑Ga2O3异质外延层；在P型β‑Ga2O3异质外延层采用干法刻蚀形成发射区；N型同质外延层采用干法刻蚀形成基区，并在暴露出的P型同质外延层表面部分位置处生长第一金属材料形成集电极；在发射区表面生长第二金属材料形成发射极，最终形成Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管。本发明的PNP晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力并提高器件可靠性。

共振隧穿二极管近红外探测器-201510547194.1
发明人：裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种共振隧穿二极管近红外探测器，包括一衬底；一集电区接触层，其制作在衬底上，集电区接触层一侧的上面形成一台面；一集电区，其制作在集电区接触层上台面的一侧，该集电区为圆形；一吸收层，其制作在集电区上；一空穴堆积层，其制作在吸收层上，其直径小于吸收层的直径；一双势垒结构，其制作在空穴堆积层上；一隔离层，其制作在双势垒结构上；一发射区，其制作在隔离层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在集电区接触层一侧的台面上。本发明可以降低探测器暗电流及提高探测器的灵敏度。

标准硅工艺下的高响应度光电三极管-201710060994.X
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摘要：标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。

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申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开一种Pd/MoS2/SiO2/Si/SiO2/In多结光探测器件及其制备方法，其具有自驱动功能，在30mWcm‑2白光照射下，器件产生的光激发电流密度达5.3mAcm‑2；在光强较弱(1.0μWcm‑2)的单色光条件下，仍表现出远高于其它同类型器件的光响应性能；当在器件上施加很小的偏置正电压时，在脉冲式的光照条件下，输出电流的方向可快速正负交替变化，从而实现快速的二进制光响应，显著提高了对微弱红外光信号的探测精度。本发明的光响应器件具有响应速度快、恢复时间短和周期性好等特点；其制备工艺简单、成品率高，适于规模化工业生产。

一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器-201510680838.4
发明人：谢红云;刘硕;张良浩;孙丹;张万荣 -专利权人：北京工业大学
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摘要：一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。

平面双面电极模拟光电探测器芯片-201620054876.9
发明人：王建 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本实用新型提出了一种平面双面电极模拟光电探测器芯片，包括：正负极焊盘；外延片，设置在正负极焊盘上，所述外延片包括：S半绝缘型InP半导体衬底、在所述S半绝缘型InP半导体衬底上依序生成的缓冲层、吸收层、过渡层、顶层，以及在所述吸收层、所述过渡层与所述顶层中形成掺杂光敏区和在所述过渡层与所述顶层中形成限制沟；钝化膜层，形成在所述顶层、所述掺杂光敏区和所述限制沟上；增透过渡薄膜层，形成在所述钝化膜层上；n型电极金属层，形成在所述外延片的背面；P型电极金属层，形成在所述增透过渡薄膜层与所述掺杂光敏区的部分表面上。如此，可以有效地降低模拟光电探测器芯片的失真，同时提高模拟光电探测器芯片的带宽、成品率和可靠性。

一种混合集成光探测器及其制备方法-201210147762.5
发明人：任晓敏;范鑫烨;段晓峰;黄永清;王琦;张霞;蔡世伟 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。

光感测组件及其制造方法-201410621543.5
发明人：徐永珍;廖伟杰 -专利权人：徐永珍;世博科技顾问股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种光感测组件的改良结构，包含在一半导体基板上设置两端式双极性光敏晶体管，该两端式双极性光敏晶体管具有基极、集极与射极端点。透过金属导线或者离子掺杂形成电性传导区域链接基板和该两端式光敏晶体管基极，藉以导引基板照光后产生的光电流至基极端点，用以增加两端式光敏晶体管组件光感测能力。

基于Ⅱ型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器-201510098628.4
发明人：裴康明;倪海桥;詹锋;董宇;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L31/11
摘要：一种基于II型能带匹配的共振隧穿二极管近红外探测器，包括：一衬底；一发射极接触层，其制作在衬底上；一发射区，其制作在发射极接触层上，发射极接触层另一侧形成一台面；一隔离层，其制作在发射极上；一双势垒结构，其制作在隔离层上；一吸收层，其制作在双势垒层结构上；一集电区，其制作在吸收层上；一上电极，其制作在集电区上；一下电极，其制作在发射极接触层另一侧的台面上。本发明能够更好地影响双势垒结构的电势，进而增大光生电流，产生明显的可探测电信号。探测器在室温下具有很高的响应度和灵敏度。

基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器-201310485411.X
发明人：霍文娟;谢红云;江之韵;张良浩;张万荣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-10-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/11
摘要：基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。

行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管-201310518342.8
发明人：江之韵;谢红云;张良浩;霍文娟;张万荣 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。

一种组合光电二极管及其环境光传感器-201110453863.0
发明人：邵光云;汪立;傅璟军;胡文革 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明提供一种组合光电二极管，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底；第一光电二极管，包括：第一深阱，位于半导体衬底中且具有第二掺杂类型，第三阱，位于半导体衬底中第一深阱的上方，具有第一掺杂类型，第三阱的结深和表面积分别小于第一深阱的结深和表面积，第三阱和第一深阱的交界处形成第一PN结，第一深阱和半导体衬底的交界处形成第二PN结，与半导体衬底接触的第一阳极，与第一深阱和第三阱接触的第一阴极；和第二光电二极管，包括：第二深阱，位于半导体衬底中，且具有第二掺杂类型，第二深阱和半导体衬底的交界处形成第三PN结，与半导体衬底接触的第二阳极，与第二深阱接触的第二阴极。该组合光电二极管可以实现人眼感光特性。

一种三族氮化物基光电晶体管及其制备方法-201210314694.7
发明人：江灏;陈英达;乐广龙 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开了一种具有晶格匹配光透射窗口层的三族氮化物基光电晶体管及其制备方法。本发明使用与光吸收层材料a轴晶格常数相同、但禁带宽度大于光吸收层材料的三族氮化物或其多元合金材料作为光透射窗口层，提高窗口层及其上外延层的晶体质量、抑制缺陷，从而提高器件的工作性能；使用三族元素组分渐变层作为过渡层，使得带阶平缓过渡，改善光生载流子收集效率，从而制备性能良好的三族氮化物基光电晶体管。

三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法-201210314486.7
发明人：江灏;陈英达;乐广龙 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/11
摘要：本发明公开一种三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法，光电晶体管探测器件由下往上依次包括衬底（101）、缓冲层或过渡层（102）、非故意掺杂层（103）、施主掺杂层（104）、第二非故意掺杂层（105）、受主掺杂层（106）、受主与施主共掺杂层（107）、第三非故意掺杂层（108）、合金组分渐变层（109）、较大禁带宽度材料的施主掺杂层（110）以及接触层（111）。本发明具备低缺陷密度、工作电压低、增益高、暗电流低、探测灵敏度高等优点。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列在审

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