专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种具有降噪功能的运放芯片-CN202011203551.X有效
  • 王全;邹有彪;倪侠;徐玉豹;霍传猛 - 富芯微电子有限公司
  • 2020-11-02 - 2022-11-15 - H03F3/34
  • 本发明公开了一种具有降噪功能的运放芯片,本发明涉及运放芯片技术领域。通过降噪运放芯片主体放置在外调节框架件的内部,外调节框架件包括第一调节框架、第二调节框架、第三调节框架和第四调节框架,第一调节框架包括第一调节框架主体,第一调节框架主体的短轴端上均固定设置有延伸杆,每个延伸杆背离第一调节框架主体的一端上均固定设置有延伸杆调节块,并且延伸杆调节块设置在同侧,第二调节框架包括第二调节框架主体,第二调节框架主体的长轴端上均固定设置有延伸卡结块,解决了其运输时没有专门的运输存放器具,并且不能根据不同规格大小的运放芯片进行对应的调节,影响存放运输的效率,增加运输的成本的问题。
  • 一种具有功能芯片
  • [发明专利]一种快恢复二极管芯片的制造方法-CN202111505411.2有效
  • 邹有彪;倪侠;徐玉豹;张荣;王全;霍传猛;肖海林 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-12-10 - 2022-09-20 - H01L29/868
  • 本发明公开了一种快恢复二极管芯片,包括N型单晶衬底,位于衬底内的P型低掺杂区,位于衬底内的P型高掺杂区,位于衬底上表面的钝化层,以及位于衬底上表面的金属层;N型单晶衬底的下表面设置有沟槽,N型单晶衬底位于沟槽的侧面设置有N型高掺杂区,以及在N型高掺杂区的下侧设置有金属层。通过选用N型单晶衬底,能大大降低快恢复二极管芯片的成本,同时通过在晶圆的背面形成沟槽,能将晶圆薄化,降低高阻层厚度,保证快恢复二极管芯片的正向压降,因而能提高产品的性价比。晶圆外围非沟槽区作为薄晶圆的支撑区,避免了薄片操作过程中发生破碎。
  • 一种恢复二极管芯片制造方法
  • [发明专利]一种三路TVS保护器件及其制造方法-CN202111596213.1在审
  • 邹有彪;倪侠;徐玉豹;张荣;王全;霍传猛;肖海林 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-04-05 - H01L27/082
  • 本发明公开了一种三路TVS保护器件,其特征在于,包括N型半导体衬底,N型半导体衬底内设置有N型电压调制区,N型电压调制区上设置有P型掺杂区,P型掺杂区的内部设置有N型掺杂区,N型半导体衬底的上表面设置有两个第一绝缘层,N型半导体衬底的下表面设置有第二绝缘层,两个第一绝缘层的表面上分别设置有第一金属区和第二金属区,第二绝缘层的表面上设置有第三金属区;N型掺杂区、P型掺杂区、N型电压调制区及N型半导体衬底构成第一个基极浮空NPN三极管;N型半导体衬底的上下表面的两侧上分别设置有沟槽及钝化层;本发明的三路TVS保护器件,实现高工作电压线路的三路过压保护,减小PCB线路板的面积。
  • 一种tvs保护器件及其制造方法
  • [发明专利]一种改善划片崩边的方法-CN202111480941.6在审
  • 倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-12-06 - 2022-03-18 - H01L21/228
  • 本发明公开了一种改善划片崩边的方法,包括以下步骤:步骤一:晶圆准备:选取MCZ硅单晶片,5寸晶向111,电阻率5.0‑6.5Ω/cm,厚度220μm±10%;步骤二:划片道掺杂:在炉温1120℃,氧气2L/min、氮气3L/min、携源氮气1.2L/min的工况下进行磷液态源淀积;在炉温1140℃,氧气2.5L/min、氮气4L/min的工况下进行磷源推进;使用四探针测试扩散方块电阻0.6Ω±10%,结深12μm±10%,本发明中是对划片道区域作高浓度的杂质掺杂工序,让划片道变得“疏松”,从而降低划片崩边以及由此所造成的晶格损伤的严重度,提高晶圆的划片质量。
  • 一种改善划片方法
  • [发明专利]一种增强型TVS结构器件-CN202111485765.5在审
  • 倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-03-18 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种增强型TVS结构器件,包括N型半导体衬底,所述N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区,所述少子注入结构区用于注入少数载流子,所述少子注入结构区为点状阵列结构,通过在N型半导体衬底的P型基区上开设有用于少子注入结构区,即实现在常规TVS结构器件的基础上,增设了少子注入补偿结构机制,当高压浪涌信号经过本案中的TVS结构器件时,少子注入补偿结构会向P型基区内注入少数载流子,这部分少数载流子会经过P型基区漂移至N型半导体衬底区,降低TVS结构器件在导通时的整体导通电阻,从而降低残压峰值,使被保护的后级IC受到更低的过压干扰。
  • 一种增强tvs结构器件
  • [发明专利]一种优化的TVS结构器件-CN202111478416.0在审
  • 倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-12-06 - 2022-03-11 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种优化的TVS结构器件,N型半导体衬底的P基区形成三次叠加扩散的基区,P基区的P1基区与N型半导体衬底形成目标电压,P基区的P2基区和P3基区在P1基区上两层扩散形成电压调制区,通过在N型半导体衬底上设置三次叠加扩散的P基区,使P1基区与N型半导体衬底形成目标电压后,通过两次高浓度的杂质掺杂,即P2基区和P3基区两层扩散,使P基区总体具有更高的杂质浓度梯度,当PN结发生雪崩击穿时,P2基区和P3基区的区域内高浓度载流子会快速漂移至PN结的空间电荷区,并参与雪崩效应,提高PN结雪崩击穿面积的扩展速度,有效使PN结在更短的时间内进入完全雪崩击穿状态,从而更快速地泄放浪涌能量。
  • 一种优化tvs结构器件
  • [发明专利]一种MOSFET状态监测装置-CN202111174330.9在审
  • 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-01-14 - G01R31/26
  • 本发明属于MOSFET监测技术领域,尤其为一种MOSFET状态监测装置,包括MOS管、MOSFET驱动电路、可变电阻、限流电阻、LED、采样电阻、电容和MCU检测芯片,所述MOS管的漏极串联限流电阻和LED连接工作电压,所述MOSFET驱动电路通过可变电阻与MOS管的栅极连接,所述MOS管的源极串联采样电阻后接地。本发明利用电阻箱改变可变电阻的阻值,使可变电阻转化为高阻电阻,将MOS管栅极的电位升高,MOS管导通使LED发光以此测试MOS管状态,同时利用MCU检测芯片通过采集采样电阻的的电压的方式对流经采样电阻的电流进行检测集直观检测方式与电流检测两种MOSFET状态监测方式于一体,结合两种方式的检测结果,可靠性更高。
  • 一种mosfet状态监测装置
  • [发明专利]一种IGBT驱动装置-CN202111174341.7在审
  • 倪侠;王全;邹有彪;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-01-07 - H03K17/22
  • 本发明属于电力电子技术领域,尤其为一种I GBT驱动装置,包括IGBT管以及用于驱动IGBT管关断的IGBT驱动电路,所述IGBT驱动电路包括控制单元、滤波电路、放大模块、稳压模块、信号传输及检测电路和复位电路,所述信号传输及检测电路与滤波电路电连接,用于将接收到的电信号转换为光信号进行传输,再将光信号转换为电信号并对该电信号进行故障检测。本发明可避免在IGBT驱动信号有效的情况下复位驱动芯片所带来的IGBT损坏的风险,同时采用光电转换的方式将电信号转换为光信号进行信息传输,采用数据免受电磁干扰,数字误码率低,避免发生信息错误和信息丢失事故,大幅提高了IGBT工作及驱动信号故障检测的可靠性。
  • 一种igbt驱动装置
  • [发明专利]一种IGBT过压保护装置-CN202111174249.0在审
  • 倪侠;王全;邹有彪;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-01-04 - H02H9/04
  • 本发明属于电力电子技术领域,尤其为一种IGBT过压保护装置,包括栅极驱动电路、IGBT、第一压敏电阻和第二压敏电阻,所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接,所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接,所述栅极驱动电路通过放电电阻与IGBT的栅极连接,所述放电电阻通过第一TVS管与IGBT的源级连接,所述放电电阻通过反向设置的第一稳压二极管和第二稳压二极管与第一压敏电阻连接。本发明能够对IGBT栅极实施前级过电压保护,使IGBT保持在线性工作中,达到降低集电极发射极过电压效果,随着有源钳位的增加,能够使浪涌电压降低,利用压敏电阻的非线性特性承受过压时进行电压嵌位,对后级电路起到保护作用。
  • 一种igbt保护装置
  • [发明专利]一种汽车瞬间高压保护传感电路-CN202111174342.1在审
  • 王全;倪侠;邹有彪;徐玉豹;霍传猛 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-01-04 - H02H9/04
  • 本发明属于汽车传感电路技术领域,尤其为一种汽车瞬间高压保护传感电路,包括第一电阻、第二电阻、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第一TVS管、第二TVS管和传感电路,第一电阻和第二电阻串联接入传感电路的第一输入端口,第一压敏电阻和第二压敏电阻并联于第二电阻的前后两端之间,第一TVS管连接于第一压敏电阻和第二压敏电阻之间。本发明利用前级第一电阻、第二电阻、第一压敏电阻RV1、第二压敏电阻RV2以及双串放的放电管和电容将瞬态高压始终保持在临界值以下,对传感电路进行瞬态高压防护,抑制传感电路的瞬态干扰,并在后端通过第二TVS管做二次防护,降低后端的残压,保证传感电路的可靠运行。
  • 一种汽车瞬间高压保护传感电路
  • [发明专利]一种MOSFET电流检测装置-CN202111174250.3在审
  • 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2021-10-09 - 2021-12-14 - G01R19/00
  • 本发明属于MOSFET电流检测技术领域,尤其为一种MOSFET电流检测装置,包括偏置采样电阻、电流采样电路、检测电路和比较电路,所述电流采样电路用于对偏置采样电阻进行电流采样,对电信号进行滤波、放大处理,并对过电压进行稳压,所述检测电路用于对经电流采样电路采集到的流经偏置采样电阻的电流数据进行检测。本发明通过外部偏置采样电阻与电感串联,能够检测连续电感电流,提供极佳的信噪比性能,并通过电流采样电路对检测到的电流信号进行滤波、放大处理,对过电压进行稳压,实现稳定、可靠的电流采样,在进行电流检测时利用比较电路将采集到的电流值与给定的基准值进行比较,利于实现精确限流和均流控制,提高电路效率。
  • 一种mosfet电流检测装置
  • [发明专利]一种基于蓝牙芯片的语音控制器-CN202011443262.7在审
  • 邹有彪;倪侠;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2020-12-08 - 2021-04-09 - H05K5/02
  • 本申请公开了一种基于蓝牙芯片的语音控制器,包括防护盖、导向槽、安装板、扬声器、第一限位块、连接块、蓝牙模块、连接口、电源模块、控制器外壳、散热板、底板、第二限位块、卡块、语音识别模块、隔离圈、控制模块、挡板、弹簧、防护条、支撑板、伸缩杆、限位条和吸盘。导向槽和卡块利于防护盖的移动和固定,限位条可对防护盖底部限位加固,安装板和吸盘利于控制器外壳的固定,整个装置便于安装和拆卸;扬声器和语音识别模块利于整个装置的语音控制,连接块和控制模块利于整个装置的连接和使用,进行语音控制;支撑板和挡板可对防护盖一侧加固,防护条可对挡板上下两侧加固防护,弹簧和伸缩杆可对挡板减震保护,提高防护盖的防护效果。
  • 一种基于蓝牙芯片语音控制器
  • [发明专利]一种蓝牙芯片-CN202011443061.7在审
  • 邹有彪;倪侠;霍传猛;何孝鑫;黄元凯 - 富芯微电子有限公司
  • 2020-12-08 - 2021-03-26 - G06F1/18
  • 本申请公开了一种蓝牙芯片,包括下壳体、安装机构、连接机构和散热机构;所述安装机构包括底板、底座和第一活动架,所述底板顶部中央固接底座,所述底座两侧顶部均通过第一铰链活动连接第一活动架,所述底座顶部中央安装芯片本体,所述第一活动架顶端搭在芯片本体顶部,所述第一活动架底端表面设有第二固定螺栓,所述底座顶部两侧均开设第二螺纹槽,所述第二固定螺栓底端贯穿第一活动架延伸至第二螺纹槽内部,所述第一活动架顶端开设安装槽,所述安装槽内部设有若干第二弹簧,所述第二弹簧底部固接在第二挤压垫顶部。本申请提供了一种便于安装的蓝牙芯片及其生产方法。
  • 一种蓝牙芯片
  • [发明专利]一种智能化运放芯片-CN202011203629.8在审
  • 王全;邹有彪;倪侠;徐玉豹;霍传猛 - 富芯微电子有限公司
  • 2020-11-02 - 2021-02-26 - H01L21/677
  • 本发明公开了一种智能化运放芯片,包括输送箱和芯片体,所述输送箱的上方设置有涂硅脂机,所述输送箱的侧面转动连接有第一转动杆,所述第一转动杆的外表面固定连接有转动板,所述转动板的侧面开设有转动槽,所述转动槽的内表面滑动连接有输送杆,本发明涉及运放芯片技术领域。该智能化运放芯片,拉绳通过固定环对输送杆施加拉力,多个固定环和输送杆的协同,保障拉绳对输送杆施加的拉力使输送杆侧面的凹槽处于内凹状态,输送时,芯片体放置于凹槽内,通过凹槽对芯片体的位置进行限定,保障芯片体位置的稳定,解决了常见的传送装置难以保障芯片体在移动过程中位置的稳定性的问题。
  • 一种智能化芯片

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