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- [发明专利]自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器-CN202310983014.9在审
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盐川阳平
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TDK株式会社
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2019-05-13
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2023-10-24
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H10B61/00
- 本发明的自旋轨道转矩型磁阻效应元件(101)具备：第一铁磁性层(1)、第二铁磁性层(2)、位于上述第一铁磁性层与上述第二铁磁性层之间的非磁性层(3)、层叠了上述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线(5)，上述自旋轨道转矩配线沿着相对于上述第一铁磁性层的法线方向即第一方向(Z)交叉的第二方向(X)延伸，上述第一铁磁性层从上述自旋轨道转矩配线侧依次具有第一层叠结构体(10a)和界面磁性层(20)，上述第一层叠结构体是从上述自旋轨道转矩配线侧依次配置铁磁性导电体层(11a)和含氧化物层(12a)的结构体，上述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素，上述含氧化物层包含铁磁性金属元素的氧化物。
- 自旋轨道转矩磁阻效应元件磁存储器
- [发明专利]一种磁性随机储存器及制备方法-CN202310999753.7有效
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李尚坤;朱政;陈劲中;李岳升;吴迪
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苏州凌存科技有限公司
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2023-08-09
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2023-10-17
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H10B61/00
- 本申请提供一种磁性随机存储器及制备方法。本申请提供的磁性随机储存器包括衬底和形成在衬底上的多个磁性隧道结阵列，按照远离衬底的方向，每个磁性隧道结阵列中的各个磁性隧道结的膜堆结构依次包括参考层、阻挡层和自由层；每个磁性隧道结阵列中的各个磁性隧道结的参考层连通，且衬底上与该磁性隧道结阵列相对的位置上设置有至少一个底电极；每个磁性隧道结阵列中的各个磁性隧道结的自由层相互隔离，且每个自由层上各自覆盖有顶电极；每个磁性隧道结阵列中的各个自由层在参考层上的投影均在参考层内。这样，可使得参考层作用在自由层的面外杂散磁场在工作温度范围内稳定地维持在零场附近，可提高磁性随机储存器的存储密度和性能。
- 一种磁性随机储存器制备方法
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