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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910777364.3在审
发明人：金泰成;文光辰;金孝柱;闵俊弘;李学承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]用于直接键合晶片的晶片键合设备和晶片键合系统-CN201910549829.X在审
发明人：金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放。
用于直接晶片设备系统

[发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN201910633897.4在审
发明人：朴秀晶;林东灿;文光辰;徐柱斌;崔朱逸;藤崎纯史 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。
导电阻挡层衬底集成电路器件导电插塞接合焊盘通路结构侧壁下表面贯穿覆盖穿过制造

[发明专利]半导体器件-CN201910508897.1在审
发明人：崔朱逸;文光辰;朴秀晶;徐柱斌;安振镐;林东灿;藤崎纯史 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。
钝化层导电图案第一金属层焊盘结构开口半导体器件顶表面基板第二金属层外壁填充暴露

[发明专利]半导体装置及其制造方法、和包括其的半导体封装件-CN201811267757.1在审
发明人：千镇豪;孙成旻;全炯俊;文光辰;安振镐;李镐珍;藤崎纯史 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。
半导体装置再分布层上表面导电焊盘通孔电极延伸穿过衬底半导体封装件边缘区中间区贯穿制造平坦

[发明专利]半导体器件-CN201810632849.9在审
发明人：洪义官;文光辰;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：位于第一衬底上的第一绝缘夹层的上部的第一导电图案、垂直地延伸的多个第一导电纳米管(CNT)、位于第二衬底下方的第二绝缘夹层的下部的第二导电图案、以及垂直地延伸的多个第二CNT。第二绝缘夹层的下表面接触第一绝缘夹层的上表面。多个第一CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第一导电图案覆盖，并且多个第二CNT中的每一个的侧壁的至少一部分被第二导电图案覆盖。第一导电图案和第二导电图案垂直地面向彼此，并且多个第一CNT中的至少一个与多个第二CNT中的至少一个彼此接触。
导电图案绝缘夹层垂直地半导体器件侧壁导电纳米管上表面下表面延伸衬底覆盖

[发明专利]制造基板结构的方法-CN201810093986.X在审
发明人：姜泌圭;金石镐;金兑泳;文光辰;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。
器件区域第二基板第一基板基板结构彼此面对第二表面第一表面接合电连接制造

[发明专利]包括过孔结构的集成电路器件及其制造方法-CN201310366956.9有效
发明人：朴在花;文光辰;朴炳律 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。
集成电路器件导电插塞孔结构导电阻挡层绝缘层隔开制造

[发明专利]半导体芯片的插塞结构、其制造方法和多芯片封装-CN201711057851.X在审
发明人：黄善宽;李镐珍;文光辰;朴炳律;安振镐;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片的插塞结构、其制造方法以及包括其的多芯片封装。该半导体芯片的插塞结构包括：基板；设置在基板上的绝缘夹层；其中绝缘夹层包括设置在其中的焊盘结构；穿过基板和绝缘夹层的通孔，其中通孔暴露焊盘结构；形成在通孔的内表面上的绝缘图案，其中绝缘图案包括掩埋部分，掩埋部分填充在通孔的内表面处在基板中设置的凹口；以及形成在通孔内在绝缘图案上的插塞，其中插塞与焊盘结构电连接。
半导体芯片结构制造方法封装

[发明专利]电镀设备-CN201711043826.6在审
发明人：林东灿;文光辰;朴炳律;李来寅;李镐珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：一种电镀设备包括：电镀槽，包括安装于其中的阳极和容纳于其中的电镀溶液；基底保持器，被构造为保持将要浸到电镀溶液中的基底，并且包括围绕基底的支撑件和位于支撑件上以电连接到基底的外围的阴极；磁场产生组件，设置在支撑件中，并且包括沿基底的圆周延伸的至少一个电磁线圈；以及电源，被构造为将电流供应到电磁线圈。
电镀设备

[发明专利]形成插片的方法和制造包括插片的半导体封装的方法-CN201710946013.1在审
发明人：皮在贤;李镐珍;金泰成;文光辰;安振镐;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种制造半导体封装的方法包括在插片基板的第一表面上形成光致抗蚀剂图案。所述插片基板包括电极区和划线区。使用光致抗蚀剂图案作为掩模来刻蚀插片基板，以形成分别在电极区和划线区上的第一开口和第二开口。绝缘层和导电层形成于插片基板的第一表面上。第二开口的宽度小于第一开口的宽度。绝缘层接触插片基板的第一表面、第一开口的内表面和第二开口的内表面中的每一个。
形成方法制造包括半导体封装

[发明专利]器件及其制造方法-CN201710709806.1在审
发明人：李镐珍;文光辰;金石镐;方硕哲;安振镐;李来寅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体衬底；在半导体衬底的第一表面中形成的沟槽中的蚀刻停止图案；在半导体衬底的第一表面上的第一绝缘层；以及穿过半导体衬底和第一绝缘层的通孔。蚀刻停止图案包围通孔的侧表面的一部分。
器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201110402768.8有效
发明人：朴炳律;崔吉铉;方硕哲;文光辰;林东灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110154632.X有效
发明人： 文光辰;朴炳律;林东灿;郑德泳;崔吉铉;裵大录;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
半导体器件及其制造方法

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