“李学承”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括贯通电极的半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装-CN202210506082.1在审
发明人：全炯俊;文光辰;朴明珠;李学承;黄善宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：分别位于衬底的第一表面和第二表面上的正面结构和背面结构；以及贯穿衬底的第一贯通电极和第二贯通电极。正面结构包括电路器件、第一水平处的第一正面导电图案、第二水平处的第二正面导电图案、下绝缘结构、以及第一绝缘结构至第三绝缘结构。背面结构包括位于相同水平的第一背面导电图案和第二背面导电图案。第一贯通电极接触第一背面导电图案和第一正面导电图案。第二贯通电极接触第二背面导电图案和第二正面导电图案。第一正面导电图案贯穿第三绝缘结构的至少一部分和第二绝缘结构。
包括贯通电极半导体器件半导体封装

[发明专利]削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法-CN202010799661.0在审
发明人： 李学承;李镐珍;林东灿;金镇南;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了削角蚀刻装置以及半导体器件制造方法。一种削角蚀刻装置包括：配置为接收衬底的卡盘板；围绕卡盘板的周边的下等离子体隔离区(PEZ)环；在卡盘板上的盖板；以及围绕盖板的周边的上PEZ环。下PEZ环包括环基部和从环基部的边缘向上延伸并围绕衬底的侧壁的下部的突起。
蚀刻装置以及半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和半导体封装件-CN202010655330.X在审
发明人： 李学承;金镇南;文光辰;金恩知;金泰成;朴相俊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件和半导体封装件。所述半导体体器件包括：具有至少一个半导体结构的半导体衬底；层间绝缘层，其设置在半导体衬底上；至少一个第一过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并包括第一区域和第二区域，所述第一区域在层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从第一区域延伸，并且在半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，第一区域的侧表面和第二区域的侧表面在第一区域与第二区域之间的边界具有不同的轮廓；以及至少一个第二过孔结构，其穿透半导体衬底和层间绝缘层，并且在层间绝缘层的上表面具有大于第一宽度的第三宽度。
半导体器件半导体封装

[发明专利]半导体器件及半导体封装件-CN202010676514.4在审
发明人：金恩知;赵星东;朴光郁;朴相俊;李大硕;李学承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及半导体封装件。所述半导体器件包括具有有源表面的半导体衬底，半导体元件设置在所述有源表面上。层间绝缘膜设置在所述半导体衬底上。第一通路结构穿过所述半导体衬底。所述第一通路结构具有第一直径。第二通路结构穿过所述半导体衬底。所述第二通路结构具有大于所述第一直径的第二直径。所述第一通路结构具有与所述层间绝缘膜接触的台阶部分。
半导体器件半导体封装

[发明专利]半导体装置及半导体封装-CN201910859224.0在审
发明人： 李学承;文光辰;金泰成;李大硕;林东灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体封装以及半导体装置。一种半导体封装包括第一半导体芯片以及堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：衬底，具有第一通孔孔洞；绝缘间层，形成在衬底上且在绝缘间层的外表面中具有第一键合焊盘、以及连接到第一通孔孔洞且暴露出第一键合焊盘的第二通孔孔洞；以及插塞结构，在第一通孔孔洞及第二通孔孔洞内被形成为连接到第一键合焊盘。第二半导体芯片包括第二键合焊盘，第二键合焊盘键合到从第一半导体芯片的衬底的表面暴露出的插塞结构。
半导体装置封装

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201910481256.1在审
发明人：李大硕;李学承;林东灿;金泰成;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供半导体芯片及其制造方法。半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201910777364.3在审
发明人：金泰成;文光辰;金孝柱;闵俊弘;李学承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括基板、附接到基板的第一单元结构、以及附接到第一单元结构的第二单元结构。第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括粘合层、粘合层上的下半导体芯片、在下半导体芯片上并且与下半导体芯片接触的上半导体芯片、以及穿透上半导体芯片并与上半导体芯片和下半导体芯片连接的多个通孔。
半导体封装及其制造方法

1
共 7 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top