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- [发明专利]半导体封装件-CN202310192515.5在审
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徐柱斌;朴秀晶;金石镐;文光辰
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三星电子株式会社
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2023-03-02
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2023-09-05
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H01L23/48
- 提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：第一半导体衬底、在第一半导体衬底的上表面上的第一半导体元件层、在第一半导体元件层上的第一布线结构、连接至第一布线结构的第一连接焊盘、连接至第一布线结构的第一测试焊盘、连接至第一连接焊盘并且包括铜(Cu)的第一前侧键合焊盘、以及连接至第一前侧键合焊盘并且包括具有纳米孪晶晶体结构的铜(Cu)的第二前侧键合焊盘，所述纳米孪晶晶体结构与包括在第一前侧键合焊盘中的铜(Cu)的晶体结构不同，其中，第一前侧键合焊盘在水平方向上的宽度与第二前侧键合焊盘在水平方向上的宽度不同。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体封装件-CN202210876662.X在审
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徐柱斌;金石镐;文光辰
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三星电子株式会社
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2022-07-25
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2023-03-07
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H01L25/18
- 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括结合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，第一半导体芯片包括第一半导体基底、顺序地堆叠在第一半导体基底的第一表面上的第一半导体元件层和第一布线结构、在第一布线结构上的第一连接垫和第一测试垫以及连接到第一连接垫的第一前侧结合垫，其中，第二半导体芯片包括第二半导体基底，顺序地堆叠在第二半导体基底的第三表面上的第二半导体元件层和第二布线结构以及在第二半导体基底的第四表面上结合到第一前侧结合垫的第一后侧结合垫，并且其中，第一测试垫不电连接到第二半导体芯片。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体封装-CN202210785277.4在审
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朴建相;李圭夏;李荣敏;金石镐;李仁荣;郑锡焕;赵星东
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三星电子株式会社
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2022-06-29
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2023-01-03
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H10B80/00
- 一种半导体封装，包括：第一结构，包括第一绝缘层和穿透所述第一绝缘层的第一接合焊盘；以及第二结构，在所述第一结构上，所述第二结构包括：第二绝缘层，被接合到所述第一绝缘层；接合焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，被接合到所述第一接合焊盘；以及测试焊盘结构，穿透所述第二绝缘层，所述测试焊盘结构包括：测试焊盘，在穿透所述第二绝缘层的开口中，并且所述测试焊盘具有带有平坦表面的突出部；以及接合层，填充所述开口并且覆盖所述测试焊盘和所述平坦表面，所述测试焊盘的所述突出部从与所述接合层接触的表面延伸，所述突出部的所述平坦表面在所述开口之中并且与所述接合层和所述第一绝缘层之间的界面间隔开。
- 半导体封装
- [发明专利]图像传感器-CN202111366247.1在审
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张东宁;金石镐;李应揆
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三星电子株式会社
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2021-11-18
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2022-06-21
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H01L27/146
- 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括传感器芯片以及传感器芯片上的逻辑芯片。传感器芯片包括第一基底、上接合层和第一布线层，逻辑芯片包括第二基底、下接合层和第二布线层。上接合层与下接合层彼此接触，其中，上接合层包括上介电层、上导电垫、上屏蔽结构及上布线线，并且下接合层包括下介电层、下导电垫、下屏蔽结构以及下布线线。上布线线、上导电垫和上屏蔽结构连接成一个主体，下布线线、下导电垫和下屏蔽结构连接成一个主体，上导电垫和下导电垫彼此叠置并接触，并且上布线线和下布线线彼此叠置并接触。
- 图像传感器
- [发明专利]半导体封装件-CN202110772790.5在审
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李圭夏;蒋妵希;金石镐;罗勋奏;朴宰亨;孙成旻;洪义官
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三星电子株式会社
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2021-07-08
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2022-01-11
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H01L25/16
- 一种半导体封装件包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一主连接焊盘结构和第一虚设连接焊盘结构。第一主连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，并且被布置为在与第一半导体芯片的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开第一主间距，其中，第一主连接焊盘结构中的每一个包括：第一连接焊盘，其电连接至第一半导体芯片；以及第二连接焊盘，其电连接至第二半导体芯片并且接触第一连接焊盘。第一虚设连接焊盘结构布置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的界面处，被布置为与第一主连接焊盘结构间隔开，并且被布置为在第一方向上彼此间隔开第一虚设间距，第一虚设间距大于第一主间距。
- 半导体封装
- [发明专利]半导体器件-CN202110591093.X在审
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金镇南;金石镐;罗勋奏;文光辰
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三星电子株式会社
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2021-05-28
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2021-12-03
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H01L23/48
- 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，具有其上设置有有源区的第一表面和与第一表面相反的第二表面；掩埋导线，在一个方向上延伸并具有被掩埋在有源区中的部分；覆盖掩埋导线的绝缘部分；设置在绝缘部分上并连接到掩埋导线的接触结构；从第二表面延伸到绝缘部分并暴露掩埋导线的掩埋部分的贯穿孔；设置在掩埋导线的侧表面上并暴露掩埋部分的底表面和与底表面相邻的侧表面的绝缘隔离膜；接触掩埋导线的底表面和相邻的侧表面的贯穿通路；围绕贯穿通路的绝缘衬层。
- 半导体器件
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