专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块-CN202110616300.2有效
  • 季明华;张汝京 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2023-10-10 - H01L21/78
  • 本发明提供一种功率芯片单元的制造方法、功率封装模块的制造方法及功率封装模块,在所述功率芯片单元和功率封装模块的制造方法中,在衬底上以“化整为零”方式形成若干功率芯片单元,然后将若干功率芯片单元以“化零为整”方式封装组合成功率封装模块。“化整为零”形成的小尺寸并带有保护环的功率芯片单元的良率较高,进而提高了功率芯片单元组合成的功率封装模块的产品良率,并降低了生产成本。同时,组合成的功率封装模块,可按照功能需求用不同尺寸规格和数量的功率芯片单元进行集成封装,得到多种大电流、电压规格的大功率封装模块,避免了不同规格的功率芯片和模块的特定制造和封装需求,改进了功率芯片、功率模块的制造效率和成本。
  • 功率芯片单元制造方法封装模块
  • [发明专利]一种半导体结构、器件和制造方法-CN202110615640.3在审
  • 肖德元 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-05 - H01L29/06
  • 本方案公开了一种半导体结构、器件和制造方法,其中,该半导体结构包括:具有第一导电类型的第一区域;位于第一区域上的具有第一导电类型和/或第二导电类型的第二区域;位于第二区域上的具有与第二区域相反导电类型的第三区域;所述第三区域包括:通道区和漂移区;位于第二区域上与第三区域一侧邻接的源区,位于第二区域上与第三区域另一侧邻接的漏区;所述源区和漏区的导电类型与邻接的第三区域的导电类型相同。本方案通过在FinFFT的鳍片结构中引入漂移区,使高压半导体结构增加了电压消耗,再配合隔离沟槽结构,使高压半导体结构具有更长的电路路径,帮助耗散高电压,从而使高压半导体结构能够在1.8V或3.3V电压下维持高压运行。
  • 一种半导体结构器件制造方法
  • [发明专利]具有超结结构的高压无结FinFET器件及其制备方法-CN202110616327.1在审
  • 肖德元 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-05 - H01L29/06
  • 本发明提供一种具有超结结构的高压无结FinFET器件及制备方法,该器件包括:形成于衬底内的包括源区、沟道区、漂移区及漏区的至少两根鳍状结构,相邻两漂移区之间形成沟槽;形成于每根鳍状结构的两侧和顶面上的并联连接的多个栅极结构;形成于源区及漏区的源极及漏极,源极、漏极、沟道区及漂移区的掺杂类型相同;形成于沟槽中的半导体掺杂层,相邻的漂移区与半导体掺杂层之间形成超结结构。通过在无结FinFET器件的沟道区与漏极之间形成漂移区,有效提高了FinFET器件的击穿电压,改善了FinFET器件的耐高压性能;通过在FinFET器件的宽度方向形成若干个由相邻的漂移区与半导体掺杂层形成的超结结构,可进一步提高FinFET器件的耐高压性能,同时降低FinFET器件的导通电阻。
  • 具有结构高压finfet器件及其制备方法
  • [发明专利]LED芯片检测装置及设备-CN202110268067.3在审
  • 张汝京;林志高;欧阳雄 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-03-12 - 2022-04-01 - G01N21/88
  • 本申请公开了一种LED芯片检测装置及设备,该装置包括沿一轴线的延伸方向依次布置的多个检测系统,每个检测系统均包括多个发光装置和摄像机,多个发光装置分设于一环形线上,且环形线的中心为轴线上的一点;各检测系统中发光装置所对应环形线的中心在轴线的位置不同;所有检测系统中的发光装置共同围成一光照腔;不同检测系统中的发光装置的出射光束光轴与轴线之间的角度不同,且每个发光装置的出射光束均射向光照腔;在LED芯片放置于光照腔且各发光装置工作时,各检测系统中的摄像机采集LED芯片图像。利用该装置对LED芯片进行检测时,不需转动LED芯片,即可使发光装置以不同的入射角度照射LED芯片,从而在不同角度对LED芯片进行检测。
  • led芯片检测装置设备
  • [发明专利]超薄绝缘体上硅(SOI)衬底基片及其制备方法-CN202110312120.5在审
  • 季明华;张汝京;林志高;苏崇文 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-03-24 - 2022-04-01 - H01L21/762
  • 本申请公开了一种超薄绝缘体上硅(SOI)衬底基片及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:提供一单晶硅背衬底,并在单晶硅背衬底的上表面形成具有第一厚度的埋氧化层;刻蚀埋氧化层,并形成贯穿该埋氧化层的窗口,该窗口暴露出单晶硅背衬底的部分上表面;以单晶硅背衬底为籽晶,并沿窗口生长出具有第二厚度的单晶硅层;单晶硅层覆盖埋氧化层的上表面以及窗口,且晶向与单晶硅背衬底的晶向相同。本申请的SOI衬底基片具有薄的埋氧化层和单晶硅层,其能够通过改善短沟道效应来减小阈值电压变异性,以增强衬底基片的稳定性。另外,埋氧化层和单晶硅层均具有良好的厚度均匀性,其能够减小由厚度不均匀所导致的阈值电压变异性。
  • 超薄绝缘体soi衬底及其制备方法
  • [发明专利]功率模块的封装结构及封装方法-CN202110615492.5在审
  • 季明华;张汝京 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-01 - H01L23/495
  • 本发明提供一种功率模块的封装结构及封装方法,所述功率模块的封装结构包括衬底及堆叠封装单元,堆叠封装单元设置在衬底上;堆叠封装单元包括连接件及功率芯片,连接件上设有第一凸块阵列,功率芯片上设有第二凸块阵列,第一凸块阵列能同时与若干不同阵列大小的第二凸块阵列匹配对齐。基于连接件上第一凸块阵列与功率芯片上第二凸块阵列的匹配对齐,一个连接件上能集成组装若干不同规格型号的功率芯片,该连接件适用于不同规格型号功率芯片的集成封装、可移植性好,封装效率高,且通过凸块连接封装产生的寄生电感比较小;一个连接件集成封装多个功率芯片,能同时实现多个功率芯片的并联,提高了集成封装密度,并提高了该集成封装结构的额定电流。
  • 功率模块封装结构方法
  • [发明专利]非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法-CN202110615514.8在审
  • 季明华;张汝京 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-01 - G11C16/08
  • 本发明提供一种非易失性存储器及其导电细丝产生方法、设定/重置方法。该非易失性存储器包括存储器模块阵列以及外围电路,每一个存储器模块均包括存储器单元阵列、具有参考单元阵列的放大电路以及与存储器单元连通的行、列地址译码电路。每一个存储器模块可以做到更小的尺寸。这样的存储器模块阵列使得存储器具有更加紧凑的低阻态电阻和高阻态电阻分布。本发明的非易失性存储器的存储器单元中导电细丝产生方法及设定/重置方法,在向存储单元的第一电极和第二电极之间施加电压脉冲或者电流脉冲的同时,叠加施加信号脉冲。信号脉冲能够加速氧原子或者氧空位的移动,减少了对存储单元的结构损伤,减少存储区单元的滞留,提高器件的可循环性。
  • 非易失性存储器及其导电细丝产生方法设定重置
  • [发明专利]一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法-CN202110616316.3在审
  • 肖德元 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-01 - H01L21/8238
  • 本发明公开了一种鳍及鳍式场效应晶体管的制备方法,包括:提供衬底;在衬底上形成P阱区和N阱区;在衬底上形成均匀分布的侧墙;去除多余的侧墙;以侧墙为掩膜刻蚀外延硅层至P阱区或N阱区内部以形成鳍,不同鳍之间形成沟道;在沟道处形成沟道隔离层。该方法只需提前将多余鳍的侧墙去除,即可避免了后续工艺中对多余的鳍的刻蚀过程,从而避免了刻蚀不足或者刻蚀过量所导致的沟道深度不均匀、沟道隔离层高度不均匀的现象。该方法所制备出的鳍的高度均匀、沟道深度均匀以及沟道隔离层高度均匀,改善了由依据该方法所制备出的鳍形成的器件的性能,提高了产品品质。
  • 一种场效应晶体管制备方法
  • [发明专利]具有漂移区的高压无结FinFET器件及其制备方法-CN202110616321.4在审
  • 肖德元 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-06-02 - 2022-04-01 - H01L29/06
  • 本发明提供一种具有漂移区的高压无结FinFET器件及其制备方法,该器件包括:形成于衬底内的包括依次相邻的源区、沟道区、漂移区及漏区的鳍状结构;形成于鳍状结构的两侧和顶面上的栅极结构;形成于源区及漏区的源极及漏极,漂移区位于沟道区与漏极之间,源极及漏极与沟道区及漂移区的掺杂类型相同,且源极及漏极的掺杂浓度大于沟道区及漂移区的掺杂浓度。通过在无结FinFET器件的沟道区与漏极之间形成漂移区,低掺杂的漂移区相当于使FinFET器件串联了一个高电阻,为FinFET器件创建了一个更长的电路路径来帮助耗散高电压,有效提高了FinFET器件的击穿电压,改善了FinFET器件的耐高压性能。
  • 具有漂移高压finfet器件及其制备方法
  • [实用新型]一种新型双套管紫外灯管-CN202120130211.2有效
  • 张汝京;余洁闻;季明华;苏畅 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2021-01-18 - 2021-10-19 - H01J61/34
  • 本实用新型提供一种新型双套管紫外灯管,该新型双套管紫外灯管对第二电极做了较大改进,相比于传统的双套管紫外灯管,该新型双套管紫外灯管的第二电极能够紧密地贴合在第二石英玻璃管的内表面或外表面,有效解决了第二电极发生偏移的问题;同时,第二电极的设计增近了第二电极和第一电极的距离,相当于增大了第二电极和第一电极之间的电场强度,真空管腔内的汞蒸气或惰性气体更容易被电离激发出紫外线;作为第二电极的金属筒、金属网、或金属膜能够将真空管腔中发出的紫外线起到较强的反射作用,避免紫外线在灯管内被吸收或损耗。此外,将第一电极设置在第一石英玻璃管的内表面,能够有效地防止第一电极出现脏污而影响出光。
  • 一种新型套管紫外灯管
  • [实用新型]一种便携式具有消毒杀菌功能的驱蚊灯-CN202020849469.3有效
  • 张汝京;郑婷婷 - 青岛昇瑞光电科技有限公司
  • 2020-05-20 - 2021-03-16 - A01M29/10
  • 本实用新型公开了一种便携式具有消毒杀菌功能的驱蚊灯,包括外壳体、灯体和供电电路,灯体和供电电路设置在外壳体的内部;外壳体包括壳体和壳盖,壳体的内部设置有供电电路和灯体,灯体包括印制电路板、第一灯珠和第二灯珠,印制电路板设置在壳体上,第一灯珠和第二灯珠分别设置在印制电路板上,壳体还设置有和手机充电口适配的接口;壳盖上设置有切换开关,供电电路与切换开关、和手机充电口适配的接口及印制电路板连接。该驱蚊灯同时具有驱蚊和紫外线消毒杀菌的功能,利用切换开关可以切换驱蚊模式和紫外线消毒杀菌模式;该驱蚊灯还包括和手机充电口适配的接口,直接利用手机为驱蚊灯供电,不需要提供额外的电源,提高了驱蚊灯的实用性。
  • 一种便携式具有消毒杀菌功能驱蚊灯

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