[发明专利]双栅SGT半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310830954.4 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116959992A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李昊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双栅SGT半导体器件的制造方法,包括：步骤一、形成屏蔽栅，包括：步骤11、形成具有第一深度的第一沟槽。步骤12、形成屏蔽介质层。步骤13、填充屏蔽栅导电材料层。由填充于第一沟槽中的屏蔽介质层和屏蔽栅导电材料层组成屏蔽栅。步骤二、形成沟槽栅，包括：步骤21、形成硬质掩膜层以保护屏蔽栅。步骤22、形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽位于各第一沟槽之间的半导体衬底中；第二深度小于第一深度。步骤23、形成栅介质层。步骤24、填充栅极导电材料层；由填充于第二沟槽中的栅介质层和栅极导电材料层组成沟槽栅。本发明能在对光罩层数进行很好控制，能提高工艺质量、降低工艺难度并增加工艺可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 双栅 sgt 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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