[发明专利]LDMOS器件及其形成方法在审
申请号: | 202311010208.7 | 申请日: | 2023-08-10 |
公开(公告)号: | CN116960185A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 金锋;张晗;何兴月 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/40 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种LDMOS器件及其形成方法,其中结构包括:衬底,衬底为第一导电类型;位于衬底内漂移区和第一体区,第一体区为第一导电类型,漂移区为第二导电类型,第一导电类型与第二导电类型不同;位于部分漂移区上的第一场氧层,第一场氧层在远离第一体区的一侧具有第一侧壁,第一侧壁与衬底表面之间的夹角范围为80度至90度;位于部分第一场氧层上的第一栅极层,第一栅极层还延伸至部分第一体区表面;位于第一场氧层的第一侧壁一侧的漂移区内的漏区,漏区为第二导电类型;位于第一场氧层另一侧的第一体区内的第一源区,第一源区为第二导电类型,利于形成较短漂移区的低压LDMOS器件,提高工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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