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[发明专利]沟槽栅器件-CN202310471142.5在审
发明人：李昊 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅器件，包括有源区和环绕所述有源区的终端区，所述有源区和所述终端区均包括衬底、设置于所述衬底上的外延层和设置于所述外延层上的互连层；所述互连层包括栅极衬垫，多个沟槽栅平行且等距地排布于所述有源区内的外延层中，且部分所述沟槽栅位于所述栅极衬垫的下方。本发明通过在栅极衬垫下方的外延层内设置沟槽栅，减少或避免了因沟槽栅在栅极衬垫的边缘处截断导致的电力线积聚，以减弱栅极衬垫附近的场强，从而降低沟槽栅器件的提前击穿风险，提高器件性能及可靠性。
沟槽器件

[发明专利]闪存的读电路的控制装置和方法-CN202310572543.X在审
发明人：杨光军 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存的读电路的控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：第一源和第二源漏区，多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，第一栅极结构间的第二栅极结构。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。第二栅极结构连接到对应的字线。控制装置用于实现对未选定存储位的控制栅电压和字线电压进行控制，包括：设置第一时间段，将控制栅电压和字线电压设置为高压以实现读取；在第一时间段后设置第二时间段，在第二时间段内，将控制栅电压和字线电压设置为一个以上依次降低的中压，以防止在第二时间段内产生读取干扰。本发明还提供一种闪存的读电路的控制方法。本发明提高读取窗口，同时还能防止较高读取电压所带来的读干扰。
闪存电路控制装置方法

[发明专利]磁传感器的制备方法-CN202011266518.1有效
发明人：王俊杰 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器的制备方法，包括：首先，在所述半导体衬底上的所述介质层中形成一沟槽，所述沟槽暴露部分所述第一金属层。然后，在所述介质层上以及所述沟槽内形成磁性材料膜层。再去除所述沟槽底部的所述磁性材料膜层，以暴露部分所述第一金属层。最后，在所述沟槽内形成第二金属层，所述第二金属层填充覆盖所述沟槽。因此，本发明通过一沟槽，并在所述沟槽内先形成所述磁性材料膜层，再形成第二金属层，以使得所述磁性材料膜层经所述第二金属层和所述第一金属层与所述半导体衬底互连。无需形成金属接触孔结构实现第一金属层和第二金属层的连接。故本发明不仅精简了工艺流程，还减少掩模的使用，大大降低了制备成本，提高制备效率。
传感器制备方法

[发明专利]一种电容版图设计方法-CN201910464492.2有效
发明人：孙玉红 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明提供一种电容版图设计方法包括：将虚拟图案制备成电容单元；将所述电容单元放置在虚拟图案的放置区域。本实施例将这些虚拟图案利用起来，并作为电容单元来替代这些没有实际作用的虚拟图案，避免了图案效应问题的发生，还形成了尽可能大的去耦电容，提高了芯片的电气性能，还提高了芯片的利用率。
一种电容版图设计方法

[发明专利]一种监控外延图形偏移的方法-CN202310565673.0在审
发明人：王雷 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监控外延图形偏移的方法，包括首先对衬底进行外延前的工艺，形成测试图形；该测试图形至少有两组，一组只有主图形，另一组包括主图形和位于主图形周围的定标图形；然后对形成有测试图形的衬底进行外延工艺；最后外延生长完成，测量所述测试图形外延后的尺寸与外延前所述测试图形的尺寸差异得出外延图形偏移。本发明通过测量主图形和定标图形的设计尺寸与外延后两个图形尺寸差异，来表征和监控外延的图形偏移，可以用于在线检测外延生长后图形偏移的方向及程度。
一种监控外延图形偏移方法

[发明专利]光刻机的监控方法及监控系统-CN202310634091.3在审
发明人：吴杰;卢荣金;娄迪 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的光刻机的监控方法及监控系统中，光刻机的监控方法包括：提供一晶圆，晶圆上形成有掩膜层；执行曝光工艺，以将掩膜版上的图形转移到掩膜层上；采用外观检测设备对晶圆进行宏观目检，以通过不同散焦类型监控光刻机是否异常，若异常，则判断异常类型，且能够监控至少两种异常类型。通过采用正常的晶圆以及执行正常的曝光工艺，能够监控至少两种异常类型。无需采用超平的晶圆，也无需使用像面倾斜的专用掩膜版，更不需要光刻机停止作业，且通过一片晶圆和一次正常的曝光工艺，能够同时至少监控两种异常类型，简化了光刻机的日常监控方法，通过外观检测设备目检的方式直接表征光刻机焦点状态，降低异常影响率，提高光刻机利用率。
光刻监控方法系统

[发明专利]多晶硅表面颗粒污染物的去除方法-CN202310626311.8在审
发明人：孔庆路;石强;周颖;李秀然;李协吉;庞士武;董健;袁力 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅表面颗粒污染物的去除方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法。具体的，其针对形成有多晶硅材料层和硬掩膜层的半导体衬底进行CMP化学机械研磨之后，有机颗粒污染物极易选择性的吸附在多晶硅材料层的表面上的问题，通过改善多晶硅表面亲疏水情况，提出了可以将现有的湿法清洗工艺中的HF清洗试剂去除，然后，在利用该改进后的湿法清洗工艺对所述多晶硅材料层和所述硬掩膜层的表面进行清洗，减小所述多晶硅材料层的表面接触角，即增强所述多晶硅材料层的表面亲水性的特性，减小所述多晶硅材料层的表面对成分包含碳和/或氧的有机颗粒污染物的吸附，并最终改善了多晶硅材料层表面的颗粒污染物的污染情况。
多晶表面颗粒污染物去除方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202011273049.6有效
发明人：许秀秀;梁金娥 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离沟槽，所述有源区的表面形成有硬掩模层，在所述隔离沟槽处填充绝缘材料层且所述绝缘材料层延伸覆盖所述硬掩模层的表面；对所述绝缘材料层进行化学机械研磨工艺，至暴露部分所述硬掩模层时停止研磨；刻蚀所述绝缘材料层和所述硬掩模层，去除所述硬掩模层的表面残留的绝缘材料层的同时保留部分厚度的所述硬掩膜层。本发明提供的所述半导体结构的制备方法通过实时监控化学机械研磨工艺的研磨终点并将过研磨的时间设置为零来减少研磨量，从而减少因过研磨导致的有源区损伤，提高所述半导体结构的表面均匀性，避免划痕和碟形凹陷。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111210769.2有效
发明人：蔡莹;金锋 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：位于所述场氧层表面的第一栅场板、第二栅场板和电阻层，所述电阻层位于所述第一栅场板和所述第二栅场板之间，所述第一栅场板还延伸至所述体区表面上，所述第二栅场板相对于所述第一栅场板远离所述体区，所述电阻层包括高压端和低压端，所述高压端与所述第二栅场板相邻，所述低压端与所述第一栅场板相邻；位于所述衬底内的源区和漏区，所述源区和所述漏区具有第二导电类型，所述源区位于所述第一栅场板和所述场氧层一侧的所述体区内，所述漏区位于所述第一栅场板和所述场氧层另一侧的深阱区内；第一导电结构，所述第一导电结构使所述漏区、所述第二栅场板和所述高压端电互连，提高了芯片的集成度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]OPC建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质-CN202010248423.0有效
发明人：伍思昕;金晓亮;冯佳计;袁春雨;赵嘉妮;王聪玉 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06V30/422 文献下载
摘要：本申请公开了一种OPC建模数据的可信度的计算方法、设备和存储介质，包括：计算OPC建模的测试图形的特征向量值；根据特征向量值对测试图形进行聚类，得到至少一个图形集合；对每个图形集合中的测试图形的量测数据进行统计，得到每个量测数据的可信度。本申请实现了计算机设备对OPC建模的量测数据的自动判断和识别，解决了相关技术中通过人工的方式对建模数据进行判断和识别所导致的一致性、准确度较差且耗时较长的问题，提高了对OPC建模数据进行识别的准确度和效率。
opc 建模数据可信度计算方法设备存储介质

[发明专利]IGBT器件-CN202310511908.8在审
发明人：李昊 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件，包括：漂移区，体区和集电区。在俯视面上，体区被分割成多个互相隔离的孤岛结构，各孤岛结构的周侧环绕有环形沟槽。在环形沟槽的至少部分区域段中形成有栅极结构。N+掺杂的发射区设置在部分孤岛结构的表面并和对应的栅极结构自对准，以控制发射区的面积。在部分所述孤岛结构的表面设置有第一接触孔，第一接触孔用于引出体区，以控制第一接触孔的面积，通过降低第一接触孔的面积占比来增加注入载流子浓度。本发明能调节平台区面积占比，增强注入载流子浓度，从而改善器件的电流能力。
igbt 器件

[发明专利]一种改善刻蚀腔体状态的方法-CN202310640005.X在审
发明人：徐鹏 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种改善刻蚀腔体状态的方法，包括以下步骤：对经若干晶圆进行干法刻蚀工艺后的刻蚀腔体的内壁，采用含卤族元素的气体进行各向同性刻蚀，本发明通过增加上述采用含卤族元素的气体进行各向同性刻蚀的步骤，可以减少所述刻蚀腔体的内壁上附着有刻蚀副产物，从而减轻刻蚀腔体中聚合物的沉积，改善刻蚀腔体中颗粒的状况，从而延长刻蚀腔体的清扫周期。
一种改善刻蚀状态方法

[发明专利]测试程序调用方法-CN202310634096.6在审
发明人：李晶晶;谢晋春;陈培申 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试程序调用方法，包括：提供用于测试产品的测试程序，测试程序包括能使用该测试程序的批号以及有效时间；提供待测试产品的批号；判断待测试产品的批号是否为能使用该测试程序的批号；如果是，则判断提供待测试产品时的时间是否在有效时间内；如果是，则调用测试程序对待测试产品进行测试。本发明在对产品测试之前通过对产品批号的检测，检测其是否属于该程序能测试的批号，从而防止了不属于该程序的产品发生误测的情况。在对产品批号的检测之后，继续对此时的自然时间进行判断，若还在测试程序的有效时间内，则可以对产品进行测试，从而防止了已超时间范围的产品的发生误测的情况。
测试程序调用方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310471059.8在审
发明人：韩继武;周闻天 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，其可以先在半导体衬底的表面的中间区域上自下而上依次形成衬垫氧化层和第一硬掩膜层，同时暴露出所述半导体衬底的边缘区域所对应的表面，然后，在利用局部氧化工艺，在所述暴露出的所述半导体衬底的边缘区域上形成边缘保护物层(即二氧化硅)，之后，在对边缘区域形成有所述二氧化硅的边缘保护物层的半导体衬底进行后续的沟槽刻蚀、清洗等工艺，以通过将半导体衬底的边缘区域(晶边)的硅材料先转变成在后续沟槽刻蚀过程中不会被刻蚀的氧化硅之后，再对其进行刻蚀工艺，从而起到了包含晶圆边缘的硅材料，即减小晶圆边缘的硅材料发生损耗的目的，最终保证了形成的半导体结构的完整性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电荷泵滤波电路-CN202310698872.9在审
发明人：杨光军 -专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵滤波电路，包括：第一PMOS管和第一电容。第一PMOS管的源极连接电荷泵的输出端。第一PMOS管的漏极连接第一电容的第一端且作为输出电压的输出端。第一电容的第二端接地。第一PMOS管的栅极连接第一节点，第一节点的电压为第一电压，第一PMOS管具有第一导通电阻。电荷泵的电源端连接电源电压。第一电压和电源电压成比例，使第一导通电阻受所述电源电压大小调节。当电源电压增加时，第一节点的电压增加，第一导通电阻增加，滤波效果增加。当电源电压降低时，第一节点的电压降低，第一导通电阻降低，驱动能力增加。本发明能保证低压下的驱动能力，同时又能降低高压下的波纹缺陷。
电荷滤波电路