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[发明专利]一种高效肖特基接触超势垒整流器-CN202310821634.2在审
发明人：徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型柱状区，其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧，其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层；第二导电类型体区，其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧，第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区；阳极结构，分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区；其中，在反向工作状态时，通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布，使得器件的反向击穿电压升高。
一种高效肖特基接触超势垒整流器

[发明专利]一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201710890566.X有效
发明人： 陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上电极层。该欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器具有制造工艺简单、优化电性特征和耐受过流能力的特点。
一种欧姆接触肖特基超级整流器及其制作方法

[发明专利]一种高效整流器及其制造方法-CN201610150194.2有效
发明人： 陈文锁;张培健;钟怡;王林凡 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效整流器及其制造方法；所述高效整流器包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型保护环区、第二导电类型体区、第一导电类型增强层、场介质层、栅介质层、栅电极层、上电极金属层和下电极金属层；所述高效整流器属于超势垒整流器类型，其采用只增加一次离子注入方式形成的增强层能够对MOS沟道区和位于体区间的类似JFET区进行杂质浓度调节，从而该高效整流器具有制造工艺简单和超低VF的优点。
一种高效整流器及其制造方法

[发明专利]一种混合导通机制二极管-CN202310826403.0在审
发明人：徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请提供一种混合导通机制二极管，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型漂移区，其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧；第二导电类型体区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧；锗硅区，其设置于所述第一导电类型漂移区背离所述第一导电类型衬底层的一侧，其中所述第二导电类型体区和所述锗硅区通过所述第一导电类型漂移区分隔开；阳极结构，分别接触所述第二导电类型体区、所述第一导电类型漂移区和所述锗硅区；其中，在正向导通时，所述锗硅区与所述阳极结构的接触处形成空穴导通通道。本申请可通过混合导通机制提高器件大电流导通性能以及抗单粒子辐照性能。
一种混合机制二极管

[发明专利]一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201710854806.0有效
发明人： 陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡;黄彬 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第一导电类型势垒高度调节区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层和上电极层。所述第一导电类型势垒高度调节区和肖特基接触区均覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面、第二导电类型体区之上的部分表面、肖特基接触区之上的部分表面。所述栅介质层还覆盖于第一导电类型势垒高度调节区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层之上，所述上电极层还覆盖于肖特基接触区之上的部分表面。
一种肖特基接触超级整流器及其制作方法

[发明专利]一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管-CN202310262897.4在审
发明人： 陈文锁;俞齐声;张澳航 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种内置肖特基接触超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极金属层(1)、重掺杂第一导电类型虚拟栅多晶硅层(2)、重掺杂第一导电类型栅极多晶硅层(3)、氧化层(4)、第二导电类型阳极区域(5)、第二导电类型栅极体区域(6)、重掺杂第一导电类型栅极接触区域(7)、第一导电类型传导区域(8)、轻掺杂第一导电类型漂移区(9)、重掺杂第一导电类型衬底层(10)、漏极金属层(11)；本发明改善了器件的反向恢复特性，相较于内置超势垒二极管的功率金属氧化物半导体场效应晶体管，本发明的反向恢复时间更短、反向恢复电流峰值更小。
一种内置肖特基接触超势垒二极管功率金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器-CN202310177029.6在审
发明人： 陈文锁;张澳航 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开一种包含肖特基二极管的肖特基接触超势垒整流器，包括阳极金属层(1)、重掺杂第二导电类型多晶硅层(2)、栅氧化层(3)、重掺杂第二导电类型阳极区域(4)、轻掺杂第一导电类型漂移区(5)、重掺杂第一导电类型衬底层(6)；本发明在肖特基接触超势垒整流器(SSBR)基础上进行改进，改善了器件的正向特性，相较于SSBR整流器，本发明的正向阈值电压更低。
一种包含肖特基二极管接触超势垒整流器

[发明专利]一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201610039763.6有效
发明人： 陈文锁;张培健;钟怡;王林凡;肖添;胡镜影;杨婵;王盛 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述横向绝缘栅双极型晶体管以薄硅层SOI基作为衬底，采用浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构。这种新型薄硅层SOI基横向绝缘栅双极型晶体管在保证器件较小的关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件采用的浅槽隔离和阳极浮空缓冲区的设计结构可以采用集成电路制造工艺的浅槽隔离工艺实现，并且这种设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
一种薄硅层 soi 横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202210315138.5在审
发明人： 陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种浮空缓冲层沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、集电极沟槽重掺杂第二导电类型栅极区(12)、第一导电类型浮空缓冲层(21)、轻掺杂第一导电类型漂移层(22)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、集电极沟槽绝缘介质层(35)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明器件结构击穿电压得到提高、实现工艺得到简化、关断损耗进一步降低。
一种缓冲沟槽集电极逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202210315111.6在审
发明人： 陈文锁;简鹏;张澳航;王玉莹;徐向涛;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极接触层(1)、重掺杂第二导电类型集电极区(10)、重掺杂第一导电类型集电极区(11)、轻掺杂第二导电类型集电极区(12)、第一导电类型缓冲层(20)、轻掺杂第一导电类型漂移层(21)、第二导电类型基区(30)、重掺杂第二导电类型发射区(31)、重掺杂第一导电类型发射区(32)、重掺杂第一导电类型栅极区(33)、栅极绝缘介质层(40)、发射极接触层(2)、栅极接触层(3)；本发明采用较小的背面元胞尺寸抑制RC‑IGBT在正向导通时的折回(snap‑back)现象，提高可靠性并降低功率损耗，提升RC‑IGBT器件整体性能。
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法-CN202210315166.7在审
发明人： 陈文锁;张澳航;王玉莹;简鹏;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法，整流器包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)；制造方法步骤包括依次形成下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、第一导电类型外延层(30)、超势垒栅肖特基表面接触结构和上电极层(50)的步骤。本发明能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系，从而使该肖特基势垒接触的超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
一种超势垒栅肖特基整流器及其制造方法

[发明专利]一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管-CN202210313758.5在审
发明人： 陈文锁;王玉莹;张澳航;简鹏;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的横向绝缘栅双极型晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底区、有源区和表面功能区；本发明在阳极侧集成肖特基势垒栅，并延申到器件内部的N缓冲区形成肖特基接触。当器件从导通态转变至关断态时，阳极加在辅助栅上的电压使得阳极侧打开一条额外的电子提取通路，过剩载流子的复合时间大大缩短，从而提升器件关断时的速度，降低关断损耗。正向导通时，通过调整阳极结构，使得阳极侧的电子提取通路在阳极P+开始向N区注入空穴后开启，可以解决正向导通时的负阻效应，从而实现无正向折回现象。
一种阳极集成肖特基超势垒辅助横向绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202210330190.8在审
发明人： 陈文锁;简鹏;王玉莹;张澳航;李剑;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种阳极集成肖特基超势垒辅助栅的逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括阳极接触区(1)、重掺杂第二导电类型阳极区(2)、第一导电类型阳极缓冲区(3)、第一导电类型漂移区(4)、第二导电类型阴极阱区(5)、重掺杂第一导电类型阴极区(6)、重掺杂第二导电类型阴极区(7)、阴极接触区(8)、栅极介质层(9)、栅极接触区(10)、阳极辅助栅介质层(13)、阳极辅助栅接触区(14)和阳极肖特基接触区(15)；本发明可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性，获得更好的导通态损耗与关断态损耗之间的折衷关系；实现器件的逆向导通能力。
一种阳极集成肖特基超势垒辅助逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]高压半导体介质耐压终端-CN201910517136.2有效
发明人：谭开洲;付强;唐昭焕;胡刚毅;许斌;陈光炳;王健安;王育新;张振宇;杨永晖;钟怡;刘勇;黄磊;王志宽;朱坤峰;陈文锁;邱盛 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体介质耐压终端，包括高掺杂半导体材料层、形成于高掺杂半导体材料层上的外延层、外延层顶部部分区域处理后形成的有源器件区，在有源器件区的一侧开设有第一深槽，第一深槽垂直穿过外延层，进入到高掺杂半导体材料层，在第一深槽内的侧壁上形成有第一介质绝缘层，且在第一深槽内填充形成有半绝缘层；在外延层上垂直开设有进入到高掺杂半导体材料层的第二深槽，根据第二深槽与所述有源器件区的位置关系以及第二深槽的横向宽度与外延层的关联性，对高压半导体介质耐压终端进行设计，从而提高高压半导体介质耐压终端的耐压性能。
高压半导体介质耐压终端

[发明专利]一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管-CN201711481000.8有效
发明人： 陈文锁;廖瑞金;李晓玲;蒋玉宇 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括SOI衬底、漂移区、阳极区、阴极区和栅极区；所述SOI衬底包括衬底层、介质层和顶层硅；所述衬底层为P型或者N型掺杂的硅材料；所述介质层覆盖于衬底层之上，所述介质层为二氧化硅材料；所述顶层硅覆盖于介质层之上，所述顶层硅为P型或者N型掺杂的硅材料；一种异质结电势控制绝缘栅双极晶体管的导电功能区在顶层硅中形成；所述漂移区贴附于介质层的上方，所述漂移区由N基区构成；所述阳极区和阴极区分别位于N基区的两侧；所述阳极区包括硅/锗硅异质结。所述阳极区还包括电势控制结构；所述阴极区包括硅/锗硅异质结；所述栅极区贴附于阴极区上方。
一种异质结电势控制绝缘栅双极型晶体管

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