专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种眼用对称式平移开睑器-CN202310882010.1在审
  • 牛耘丽;田忠平;韩雯婷;林明玥;张熙若;张力 - 上海市同济医院
  • 2023-07-18 - 2023-10-27 - A61B17/02
  • 本发明公开了一种眼用对称式平移开睑器,包括:拉钩和杆状结构,其中,两拉钩相对设置;两拉钩沿杆状结构的长度方向互相靠近或远离;其中,拉钩包括:连接部、第一弯折部、接触部和第二弯折部,两拉钩的第一弯折部的中部相向凸出,第一弯折部的两端之间具有空隙并在第一弯折部的中部形成夹缝,接触部与连接部在高度上错位设置,两拉钩的第二弯折部的中部也相向凸出,第二弯折部的两端之间也具有空隙并在第二弯折部的中部形成夹缝,接触部与患者的眼球接触,第一弯折部的夹缝和第二弯折部的夹缝分别夹住患者的上眼睑的两侧或下眼睑的两侧。本发明能充分暴露手术视野,有效控制眼睑运动,为手术操作提供便利,减少术中并发症发生。
  • 一种对称平移开睑器
  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210412752.3在审
  • 胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上依次包括:第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层;第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型;第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括电阻及计数器;半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起,其中电阻与第一半导体层电连接,以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增,提高探测灵敏度;通过减小本征层的厚度,提高探测器信号读取速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L31/105
  • 本发明提供一种浅结深低能量电子探测器,包括:硅衬底;第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层,分别形成于硅衬底的第一面和第二面,以钝化硅衬底的第一面和第二面;P型非晶硅层和N型非晶硅层,分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上;保护环结构,自P型非晶硅层朝硅衬底延伸;阻挡层,形成于P型非晶硅层上,阻挡层中形成有窗口,通过窗口定义电子探测器的探测区域;网格状电极,形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复,钝化不饱和化学键,从而提高表面载流子寿命,可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题,提高对低能量电子的探测效率。
  • 浅结深低能量电子探测器
  • [发明专利]一种高效肖特基接触超势垒整流器-CN202310821634.2在审
  • 徐向涛;张澳航;张成方;陈文锁;王航;张力 - 重庆平伟实业股份有限公司;重庆大学
  • 2023-07-05 - 2023-10-27 - H01L29/872
  • 本申请提供一种高效肖特基接触超势垒整流器包括:第一导电类型衬底层;第一导电类型漂移区,其设置于所述第一导电类型衬底层的一侧;第二导电类型柱状区,其与第一导电类型漂移区并排设置于基底背离所述阴极结构的一侧,其中第一导电类型漂移区与第二导电类型柱状区之间设置有隔离层;第二导电类型体区,其设置于第二导电类型柱状区背离第一导电类型衬底层的一侧,第二导电类型体区完全覆盖第二导电类型柱状区并部分延伸至第一导电类型漂移区;阳极结构,分别接触第二导电类型体区和第一导电类型漂移区;其中,在反向工作状态时,通过第二导电类型柱状区调节整流器内部的电场分布,使得器件的反向击穿电压升高。
  • 一种高效肖特基接触超势垒整流器
  • [发明专利]一种静音式数码变频发电机的冷却系统-CN202311078053.0在审
  • 李卫峰;张力 - 浙江中坚科技股份有限公司
  • 2023-08-25 - 2023-10-27 - F01P3/02
  • 本申请公开了一种静音式数码变频发电机的冷却系统,所述冷却系统包括主体,以及安装在主体上的发动机、水泵、水箱,所述发动机连接一发电机,所述水箱内填装有冷却水;所述发动机包括缸体和缸头;所述水泵连接所述发动机的曲轴机构;所述水箱与水泵之间通过第一进水管连接;所述水泵与缸体之间通过第二进水管连接;所述缸体与缸头的内部设置连通两者的冷却水道,或所述缸体与缸头的外表面设置冷却水道;所述缸头与水箱之间通过回水管连接;使用时,所述发动机曲轴驱动所述水泵转动,将所述水箱中的冷却水通过第一进水管及第二进水管输送至冷却水道内,对缸体及缸头进行水冷降温,再通过所述回水管回流至水箱内。
  • 一种静音数码变频发电机冷却系统
  • [发明专利]直接型电子探测器-CN202210411536.7在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种直接型电子探测器,包括:半导体叠层结构及外围信号测量电路;半导体叠层结构由下向上包括:半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层;第一半导体层形成于电阻层的凹槽中,第二半导体层形成于第一半导体层上,绝缘层形成于第二半导体层外侧,金属层形成于绝缘层外侧;电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型,第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型,第三半导体层及本征层形成电子吸收区,第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区;外围信号测量电路包括计数器;半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
  • 直接电子探测器
  • [发明专利]一种兼具开睑功能的眼内注射辅助装置-CN202310882011.6在审
  • 牛耘丽;田忠平;韩雯婷;林明玥;张熙若;张力 - 上海市同济医院
  • 2023-07-18 - 2023-10-27 - A61F9/007
  • 本发明公开了一种兼具开睑功能的眼内注射辅助装置,包括:拉钩、杆状结构和角膜固定装置,其中,两拉钩相对设置,拉钩均包括:与眼球相近的接触部以及夹持眼睑的夹持部,两夹持部连接在接触部的两端上;两拉钩沿杆状结构的长度方向互相靠近或远离;角膜固定装置包括:固定环和固定翼缘,固定环呈环状,固定翼缘连接在固定环的一端的外缘上并向外延伸,固定翼缘具有弧度并与患者的眼球部分相贴合。本发明采用沿杆状结构互相靠近的拉钩以及角膜固定装置,兼具开睑和定位功能,能有效暴露睫状体平坦部,精准定位,实现一体化操作,为玻璃体腔注射提供良好的手术视野及精确的注射部位,减少手术并发症的发生。
  • 一种兼具功能注射辅助装置
  • [发明专利]探测器像素结构及电子探测器-CN202210405269.2在审
  • 胡立磊;张力;陈昌;韩天雁;罗浒;任嘉莹;张旭 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
  • 2022-04-18 - 2023-10-27 - H01L27/146
  • 本发明提供一种探测器像素结构及电子探测器。探测器像素结构包括半导体衬底、第一和第二导电类型重掺杂层、绝缘层、上电极、下电极、电子通道孔电极、金属保护环及掺杂环;掺杂环位于半导体衬底内,且位于第一导电类型重掺杂层的外侧,并显露于半导体衬底的第一表面;绝缘层自非探测区域表面延伸到半导体衬底的表面,上电极自非探测区域表面延伸到绝缘层的表面;电子通道孔电极位于半导体衬底的侧壁,且一端与下电极电连接,另一端延伸到绝缘层的侧面,金属保护环位于半导体衬底的表面,且位于上电极的外侧。本发明可以有效避免因电子束传播方向发生偏移而导致的图像发生畸变的情况,可降低探测器的漏电流,提高击穿电压,由此提高探测性能。
  • 探测器像素结构电子

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